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マイクロ波研究会 (MW) (検索条件: 2008年度)
「place:Kikai-Shinko-Kaikan Bldg」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 逆導通GaN FETの特性評価 ○町田 修・金子信男・馬場良平・猪澤道能・岩上信一・柳原将貴・後藤博一・岩渕昭夫（サンケン電気）  ED2008-203 MW2008-168 |
ノーマリオフ型GaN FETとGaN SBDを融合した逆導通GaN FETを試作した．試作した逆導通GaN FETはSB... [more] | ED2008-203 MW2008-168 pp.29-34 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝） ED2008-204 MW2008-169 |
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] | ED2008-204 MW2008-169 pp.35-40 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 ～ 温度に対する誘電率変化を考慮した場合 ～ ○柄川雅樹・渡邊慎也・橋本 修（青学大） ED2008-205 MW2008-170 |
[more] | ED2008-205 MW2008-170 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | コンポジット並列共振器を用いた有極帯形帯域通過フィルタの阻止域特性改善 ○兎澤孝典・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大） ED2008-206 MW2008-171 |
本報告では、コンポジット並列共振器を用いた有極形帯域通過フィルタ(BPF)の阻止域特性を改善するために、コンポジット並列... [more] | ED2008-206 MW2008-171 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | マイクロストリップパラレル結合デュアルモードリング共振器の特性解析およびフィルタ設計への応用 ○佐々木英行・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大） ED2008-207 MW2008-172 |
本研究では、マイクロストリップパラレル結合線路で給電したデュアルモード方形リング共振器を伝送線路等価回路表示から偶-奇モ... [more] | ED2008-207 MW2008-172 pp.53-58 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性 ○丸山 契・小武内哲雄・淀川信一・高坂 諭（秋田大） ED2008-208 MW2008-173 |
磁界印加によって異方性を生じる固体プラズマ材料をサブミリ波帯結合線路に挿入した場合に見られる非可逆伝搬特性について，理論... [more] | ED2008-208 MW2008-173 pp.59-64 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造 ○槇田毅彦・玉井 功・星 真一・関 昇平（OKI） ED2008-209 MW2008-174 |
半絶縁性化合物基板並みの減衰定数を有する低損失線路の実現を目指し、高抵抗シリコン基板上コプレーナ線路（CPW）を作製し、... [more] | ED2008-209 MW2008-174 pp.65-70 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs方向性結合器付き検波回路の検討 ○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・小川喜之・中山正敏（三菱電機） ED2008-210 MW2008-175 |
本報告では，無線通信用に新しく検討した方向性結合器付きのGaAs-HBT電力検波器の回路設計と実験結果について述べる．G... [more] | ED2008-210 MW2008-175 pp.71-76 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響 ○堀池恒平・福田俊介・赤川啓介・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2008-211 MW2008-176 |
InP系材料を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高速・高周波用素子として研究開発が進められてきている。HEMT... [more] | ED2008-211 MW2008-176 pp.77-81 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2008-212 MW2008-177 |
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] | ED2008-212 MW2008-177 pp.83-88 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 43 Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC ○福山裕之・伊藤敏洋・古田知史・栗島賢二・徳光雅美・村田浩一（NTT） ED2008-213 MW2008-178 |
2チャンネル利得制御トランスインピーダンス増幅器ICをInP HBT集積回路技術を用いて開発した．利得最大時のS21は2... [more] | ED2008-213 MW2008-178 pp.89-94 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 同軸線路給電L字形一次放射器を用いたミリ波平面アンテナの特性 ○沖横田 誠・中村元紀・黒木太司（呉高専） ED2008-215 MW2008-180 |
同軸線路を用いてミリ波平面アンテナ用１次放射器を励振する構造を検討した。この同軸線路は金属反射板を介し放射器と接続されて... [more] | ED2008-215 MW2008-180 pp.101-104 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波帯両面金属装荷トリプレート伝送線路の実験的検討 ○田丸了次・黒木太司（呉高専） ED2008-216 MW2008-181 |
各種プリント線路は金属はくを誘電体基板上に高い密着度で蒸着させるため、基板面が面荒らしされており、センチ波帯において誘電... [more] | ED2008-216 MW2008-181 pp.105-108 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 2008年日中合同マイクロ波会議出席報告 ○黒木太司（呉高専） ED2008-217 MW2008-182 |
[more] | ED2008-217 MW2008-182 pp.109-112 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ○重松寿生・井上雄介・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） ED2008-218 MW2008-183 |
[more] | ED2008-218 MW2008-183 pp.113-118 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大） ED2008-222 MW2008-187 |
ダイオードリニアライザを用いて高効率F級GaN HEMT 電力増幅器のひずみ補償を行い，良好な特性を得た．まず，F級Ga... [more] | ED2008-222 MW2008-187 pp.135-139 |
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