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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2010年度)

「from:2010-12-16 to:2010-12-16」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2010-12-16
15:10
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [ポスター講演]アレイ型アクセラレータにおける演算器間ネットワークの設計
大上 俊岩上拓矢吉村和浩中田 尚中島康彦奈良先端大ICD2010-115
我々は,VLIWプロセッサと演算器アレイから構成されている演算器アレイ型アクセラレータ(LAPP)を提案している.本アク... [more] ICD2010-115
pp.97-99
ICD 2010-12-16
15:10
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [ポスター講演]標準CMOSプロセスによるオンチップ免疫反応センサの試作
李 在城広島大)・上口 光東大)・金子文恵アステラス製薬)・石川智弘広島大/JSTICD2010-116
標準CMOSチップを用いた免疫反応の検出を目指し、素子上で磁気ビーズを駆動するチップを試作した。磁気ビーズを分散した試料... [more] ICD2010-116
pp.101-105
ICD 2010-12-17
09:30
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [招待講演]時間差増幅回路の発想から発表まで
名倉 徹東大ICD2010-117
 [more] ICD2010-117
pp.107-111
ICD 2010-12-17
10:20
東京 東京大学 先端科学技術研究センター エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ
畑中輝義矢島亮児野田晋司東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大ICD2010-118
低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提... [more] ICD2010-118
pp.113-118
ICD 2010-12-17
10:55
東京 東京大学 先端科学技術研究センター Development of Procedure for Modeling MOSFET Compatible with ITRS -- Noise and I-V Characteristics Modeling for RF/Analog MOSFET --
Sin-Nyoung KimAkira TsuchiyaHidetoshi OnoderaKyoto Univ.ICD2010-119
A procedure for modeling MOSFET compatible with ITRS is prop... [more] ICD2010-119
pp.119-123
ICD 2010-12-17
11:20
東京 東京大学 先端科学技術研究センター A Charge-Domain Auto- and Cross-Correlation Based IR-UWB Receiver with Power- and Area-efficient PLL for 62.5ps Step Data Synchronization in 65nm CMOS
Lechang LiuTakayasu SakuraiMakoto TakamiyaUniv. of TokyoICD2010-120
 [more] ICD2010-120
pp.125-129
ICD 2010-12-17
13:00
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [招待講演]微細MOSデバイスのばらつき
竹内 潔ルネサス エレクトロニクスICD2010-121
 [more] ICD2010-121
pp.131-133
ICD 2010-12-17
13:50
東京 東京大学 先端科学技術研究センター Misleading Energy and Performance Claims in Sub/Near Threshold Digital Systems
Yu PuXin ZhangJim HuangUniv. of Tokyo)・Atsushi MuramatsuMasahiro NomuraKoji HirairiHidehiro TakataTaro SakurabayashiShinji MiyanoSTARC)・Makoto TakamiyaTakayasu SakuraiUniv. of TokyoICD2010-122
Many of us in the field of ultra-low-Vdd processors experien... [more] ICD2010-122
pp.135-140
ICD 2010-12-17
14:15
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 演算器アレイを拡張する細粒度時分割機構
岩上拓矢吉村和浩森 浩大中田 尚中島康彦奈良先端大ICD2010-123
我々は一般的な機械語命令を演算器アレイに写像して高い効率で実行する線形アレイ型アクセラレータ
LAPP を提案している... [more]
ICD2010-123
pp.141-146
ICD 2010-12-17
14:50
東京 東京大学 先端科学技術研究センター SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法
田中丸周平東大)・江角 淳伊東充吉李 凱シグリード)・竹内 健東大ICD2010-124
SSD向けのエラー訂正手法として,リード・ソロモン符号やBCH符号等を訂正能力に応じて比較する.そのうえで,より高信頼性... [more] ICD2010-124
pp.147-152
ICD 2010-12-17
15:15
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 3次元積層型乗算器の回路分割手法に関する研究
坂井一仁多田十兵衛山形大)・江川隆輔東北大/JST)・小林広明東北大)・後藤源助山形大ICD2010-125
近年,LSIの更なる性能向上の手段として3次元積層技術が注目されている.演算回路を3次元実装する場合,回路をいくつかのサ... [more] ICD2010-125
pp.153-158
ICD 2010-12-17
15:40
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 低エラーのLUTによる打切り乗算器の設計
ホアン ヴァン フック範 公可電通大ICD2010-126
打切り乗算器を用いることで信号処理システムにおける乗算器の電力及面積を低減することができる。LUTによる打切り方法を用い... [more] ICD2010-126
pp.159-162
ICD 2010-12-17
16:15
東京 東京大学 先端科学技術研究センター A 1-V Input, 0.2-V to 0.47-V Output Switched-Capacitor DC-DC Converter with Pulse Density and Width Modulation (PDWM) for 57% Ripple Reduction
Xin ZhangYu PuKoichi IshidaUniv. of Tokyo)・Yoshikatsu RyuYasuyuki OkumaSTARC)・Po-Hung ChenUniv. of Tokyo)・Kazunori WatanabeSTARC)・Takayasu SakuraiMakoto TakamiyaUniv. of TokyoICD2010-127
 [more] ICD2010-127
pp.163-167
ICD 2010-12-17
16:40
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路
陳 柏宏石田光一張 信東大)・大熊康介劉 良勝半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大ICD2010-128
本論文では、0.18-V入力基板順バイアス型三段チャージポンプ回路を提案した。本回路はチャージポンプを構成する全てのトラ... [more] ICD2010-128
pp.169-173
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