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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2017年度)
「from:2017-11-30 to:2017-11-30」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 13:35 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定 ○清水奈緒人・高橋佑知・小林玄季・中納 隆・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）  ED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62 |
[more] | ED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62 pp.1-6 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 ○太田有亮・坂井繁太・山口敦史（金沢工大） ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 |
窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流－電圧特性... [more] | ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 pp.7-10 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー） ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 |
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性（S-... [more] | ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 pp.11-14 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ○早川峰洋・林 佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸 充・川上養一（京大） ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 |
近年，AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており，メーカーによる市販化も始まった．し... [more] | ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 pp.15-18 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 ○河野 司・久志本真希・永松謙太郎・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 |
MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、＋c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少な... [more] | ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 pp.19-22 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大） ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学... [more] | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 pp.23-26 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 pp.27-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 09:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ○森 拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 |
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート（AlNテンプレート）の2種類の基板上にInGa... [more] | ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 pp.39-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 10:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 ○舘林 潤・稲葉智宏・塩見圭史・藤原康文（阪大） ED2017-58 CPM2017-101 LQE2017-71 |
我々はEu添加GaN (GaN:Eu)を発光層とした狭帯域赤色発光ダイオード(LED)の実用化に向けて、光出力の増大を目... [more] | ED2017-58 CPM2017-101 LQE2017-71 pp.45-48 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 10:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 ○小島久範・安田俊輝・上林大輝・飯田一喜・小出典克・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智・赤崎 勇（名城大） ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72 |
[more] | ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72 pp.49-53 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 10:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | フォトニック結晶深紫外LEDの実現 ～ p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作 ～ ○鹿嶋行雄（丸文）・前田哲利（理研）・松浦恵里子（丸文）・定 昌史（理研）・岩井 武・森田敏郎（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・倉島優一・高木秀樹（産総研）・平山秀樹（理研） ED2017-60 CPM2017-103 LQE2017-73 |
[more] | ED2017-60 CPM2017-103 LQE2017-73 pp.55-60 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 ○梶原瑛祐・米原健矢・加藤大望・上杉謙次郎・新留 彩・蔵口雅彦・向井 章・大野浩志・湯元美樹（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75 |
[more] | ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75 pp.65-68 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており，これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] | ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 pp.69-72 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 ○佐々井耕平・Myunghee KIM・鈴木 敦・澁谷弘樹・栗崎湧気・軒村恭平・竹林 穣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕・赤﨑 勇（名城大） ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 |
[more] | ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78 pp.77-82 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率な... [more] | ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 pp.83-86 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 15:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 ○林 侑介・三宅秀人・平松和政・秋山 亨・伊藤智徳（三重大）・片山竜二（阪大） ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 |
[more] | ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 pp.87-90 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 15:35 |
愛知 | 名古屋工業大学 | m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化 ○定 昌史・南 聡史・平山秀樹（理研） ED2017-68 CPM2017-111 LQE2017-81 |
[more] | ED2017-68 CPM2017-111 LQE2017-81 pp.91-94 |
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