研究会 - Ｃ：エレクトロニクスソサイエティ - 検索条件: 2009年度

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Ｃ：エレクトロニクスソサイエティ (検索条件: 2009年度)

東京都での開催

講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 13:00	東京	機械振興会館	［特別講演］フレキシブルシリコーンゴム基板上へのマイクロ光学部品の集積化 ○大越昌幸・井上成美（防衛大） R2009-1 CPM2009-1 OPE2009-1	F2レーザー（波長157 nm），ArFレーザー（波長193 nm）およびNd:YAGレーザーの第4高調波（波長266 ... [more]	R2009-1 CPM2009-1 OPE2009-1 pp.1-5
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 13:40	東京	機械振興会館	AlGaInAsレーザのESD耐性 ○市川弘之・福田智恵・松川真治・浜田耕太郎・生駒暢之・中林隆志（住友電工） R2009-2 CPM2009-2 OPE2009-2	高速変調、高温駆動に優れたAlGaInAsレーザではESD耐圧の報告がこれまでなかった。そこで今回我々は、AlGaInA... [more]	R2009-2 CPM2009-2 OPE2009-2 pp.7-10
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 14:05	東京	機械振興会館	マルチチップ集積PLCモジュールにおけるチップ接続構造信頼性試験 ○福満高雄・土居芳行（NTT）・田村保暁・笠原亮一（NEL）・金子明正・鈴木扇太（NTT） R2009-3 CPM2009-3 OPE2009-3	最近の光ネットワークの高度化に伴い，これに使われるROADMなどの光機能回路の高性能化が求められている．高性能な多機能光... [more]	R2009-3 CPM2009-3 OPE2009-3 pp.11-16
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 14:45	東京	機械振興会館	多チャネルモニタ用PDアレイにおけるクロストーク特性の検討 ○土居芳行・小川育生・大山貴晴・金子明正（NTT）・赤堀裕二（NEL） R2009-4 CPM2009-4 OPE2009-4	光通信システムにおいて使用される光強度モニタ部品として、フォトダイオード（ＰＤ）アレイを用いた多チャネルモニタは小型集積... [more]	R2009-4 CPM2009-4 OPE2009-4 pp.17-21
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 15:10	東京	機械振興会館	FBGによる波長選択光帰還を用いた利得スイッチングLDによる高品質光パルス発生法の検討 ○北岡伸康・徐　勲建（高知工科大）・大道浩児（フジクラ）・野中弘二（高知工科大） R2009-5 CPM2009-5 OPE2009-5	簡単な短光パルス発生手段である半導体レーザ(Laser Diode : LD)を用いた利得スイッチング法には，いくつかの... [more]	R2009-5 CPM2009-5 OPE2009-5 pp.23-27
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 15:35	東京	機械振興会館	熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性 ○村上洋介・清水　優・朱　蕾・杉尾崇行・下村和彦（上智大） R2009-6 CPM2009-6 OPE2009-6	[more]	R2009-6 CPM2009-6 OPE2009-6 pp.29-34
OPE, CPM, R (共催)	2009-04-17 16:00	東京	機械振興会館	波長選択スイッチ(WSS)用MEMSミラーアレイモジュール ○碓氷光男・内山真吾・橋本　悦・葉玉恒一・石井雄三・松浦伸昭・阪田知巳・下山展弘・松浦　徹・下川房男（NTT） R2009-7 CPM2009-7 OPE2009-7	波長選択スイッチ（WSS：Wavelength Selective Switch）用として、高フィルファクタで狭ピッチ・... [more]	R2009-7 CPM2009-7 OPE2009-7 pp.35-39
MW, SCE (共催)	2009-04-23 09:45	東京	機械振興会館	位相コヒーレンシー特性を有する多周波ステップミリ波発振器 ○水谷浩之（三菱電機）・林　武宏（三菱電機エンジニアリング）・津留正臣・川上憲司・檜枝護重（三菱電機） SCE2009-1 MW2009-1	多周波ステップICW (Interrupted Continuous Wave)方式のレーダに用いられる発振器には，複数... [more]	SCE2009-1 MW2009-1 pp.1-4
MW, SCE (共催)	2009-04-23 10:10	東京	機械振興会館	低スプリアス・周波数高安定光マイクロ波発振器 ○水間将支・亀山俊平・津留正臣・小牧昌彦・酒井清秀・平野嘉仁（三菱電機） SCE2009-2 MW2009-2	[more]	SCE2009-2 MW2009-2 pp.5-10
MW, SCE (共催)	2009-04-23 10:35	東京	機械振興会館	5.2GHz帯DCOの開発と高性能化の検討 ○内田健太・トマルアビェシク・ポカレルラメシュ・金谷晴一・吉田啓二（九大） SCE2009-3 MW2009-3	本報告では、RFフロントエンドLSIにおけるVCO(電圧制御発振器)のディジタル制御化、即ちDCO(Digitally ... [more]	SCE2009-3 MW2009-3 pp.11-16
MW, SCE (共催)	2009-04-23 11:10	東京	機械振興会館	終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討 ○柴田幸司・神　宏卓（八戸工大）・増田陽一郎（八戸工大名誉教授） SCE2009-4 MW2009-4	近年電磁波による人体影響が懸念されており、この影響を調べる基礎検討として液体ファントムの複素誘電率を測定する研究等が行わ... [more]	SCE2009-4 MW2009-4 pp.17-22
MW, SCE (共催)	2009-04-23 11:35	東京	機械振興会館	800M/2GHz帯デュアルバンド小型アンテナの開発 ○占部裕樹・中村優太・ポカレルラメシュ・金谷晴一・吉田啓二（九大）・石川　晶・深川秀午・多比良明弘（九州テン） SCE2009-5 MW2009-5	我々はアンテナ小型化のため,フィルタを整合回路として用いる設計法を提案し,整合回路一体型アンテナの研究を進めてきた.今回... [more]	SCE2009-5 MW2009-5 pp.23-28
MW, SCE (共催)	2009-04-23 14:30	東京	機械振興会館	H型導波路を用いた超伝導帯域幅チューナブルフィルタの検討 ○關谷尚人・小池優輔・原田洋幸・垣尾省司・中川恭彦（山梨大）・大嶋重利（山形大） SCE2009-6 MW2009-6	本論文では超伝導フィルタの帯域幅チューニングについて述べる．チューニング方法にはH型導波路を共振器間に配置し導波路のスイ... [more]	SCE2009-6 MW2009-6 pp.29-34
MW, SCE (共催)	2009-04-23 14:55	東京	機械振興会館	不要結合を考慮したQuasi-spiral共振器を用いた超伝導小型フィルタの設計と試作 ○小野　哲（山形大）・藤根陽介・後藤俊介（ライトム）・加藤卓也・宇野正紘（山形大）・原田善之（物質・材料研究機構）・李　宰勲（SuNAM）・齊藤　敦（山形大）・吉澤正人（岩手大）・中島健介・大嶋重利（山形大） SCE2009-7 MW2009-7	超伝導小型フィルタの実現のためにライン&スペース10 μm のQuasi-spiral 共振器(QSR)を用いて、8段バ... [more]	SCE2009-7 MW2009-7 pp.35-38
MW, SCE (共催)	2009-04-23 15:20	東京	機械振興会館	Gd（Dy）-Ba-Cu-O超伝導バルク共振器フィルタの作製と耐電力特性の評価 ○齊藤　敦（山形大）・手嶋英一（新日鐵）・小野　哲（山形大）・李　宰勲（SuNAM）・宇野正紘・遠藤之正・中島健介・大嶋重利（山形大） SCE2009-8 MW2009-8	移動体通信システム内送信用超伝導フィルタ実現のために，改良型QMG法により作製した高温超伝導（HTS）バルクリング共振器... [more]	SCE2009-8 MW2009-8 pp.39-43
OCS, OPE (併催)	2009-05-15 12:50	東京	機械振興会館	サブキャリアに64QAMを用いたOFDMコヒーレント光伝送 ○大宮達則・後藤広樹・葛西恵介・吉田真人・中沢正隆（東北大） OCS2009-1	近年，光通信分野では無線通信で用いられている直交周波数分割多重(OFDM:Orthogonal Frequency Di... [more]	OCS2009-1 pp.1-6
OCS, OPE (併催)	2009-05-15 13:15	東京	機械振興会館	IQインバランス補償を用いた光OFDM伝送 ○アルアミンアブドゥッラー・ヤンセンサンダー・高橋英憲・森田逸郎・田中英明（KDDI研） OCS2009-2	直交周波数分割多重光伝送方式（光OFDM）は光分散補償が不要な大容量光伝送方式の候補として注目を浴びている。OFDM送受... [more]	OCS2009-2 pp.7-12
OCS, OPE (併催)	2009-05-15 16:15	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC2009報告～光伝送システム関連～ ○菊池信彦・佐々木愼也（日立） OCS2009-7 OPE2009-13	2009年3月22～26日に米国サンディエゴで開催された国際学会OFC/NFOEC2009に関して，光伝送システム関連の... [more]	OCS2009-7 OPE2009-13 pp.29-32(OCS), pp.23-26(OPE)
OCS, OPE (併催)	2009-05-15 16:40	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC2009報告～光ネットワーク関連～ ○釣谷剛宏（KDDI研） OCS2009-8 OPE2009-14	[more]	OCS2009-8 OPE2009-14 pp.33-36(OCS), pp.27-30(OPE)
OCS, OPE (併催)	2009-05-15 17:05	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC2009報告～アクセスシステム関連～ ○中川潤一（三菱電機） OCS2009-9 OPE2009-15	2009年3月22～26日にサンディエゴ（アメリカ）で開催されたOFC/NFOEC2009の概要のうち，光アクセスシステ... [more]	OCS2009-9 OPE2009-15 pp.37-42(OCS), pp.31-36(OPE)
OPE, OCS (併催)	2009-05-15 13:15	東京	機械振興会館	光強度制御による波長選択型全光スイッチの広帯域化の検討 ○岸川博紀・木宮健太・後藤信夫・柳谷伸一郎（徳島大） OPE2009-8	広帯域で高速なフォトニックネットワークを実現するには，波長選択的な全光スイッチングが重要となる．我々は導波路型ラマン増幅... [more]	OPE2009-8 pp.1-6
OPE, OCS (併催)	2009-05-15 13:50	東京	機械振興会館	［特別招待講演］InP, silica, and silicon photonic integrated circuits for highly spectrally efficient communication systems ○Christopher R. Doerr（Alcatel-Lucent） OCS2009-3 OPE2009-9	[more]	OCS2009-3 OPE2009-9 pp.13-16(OCS), pp.7-10(OPE)
OPE, OCS (併催)	2009-05-15 14:50	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC 2009報告～光ファイバ関連～ ○今村勝徳・高橋正典・武笠和則・八木　健（古河電工） OCS2009-4 OPE2009-10	2009年3月22日～26日に、米国サンディエゴにて開催されたOFC/NFOEC2009における、光ファイバに関連するト... [more]	OCS2009-4 OPE2009-10 pp.17-20(OCS), pp.11-14(OPE)
OPE, OCS (併催)	2009-05-15 15:15	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC 2009報告～パッシブモジュール/デバイス関連～ ○服部邦典（NTT） OCS2009-5 OPE2009-11	2009年3月米国カリフォルニア州サンディエゴ市で開催された光ファイバ通信の国際会議（OFC/NFOEC）にて報告された... [more]	OCS2009-5 OPE2009-11 pp.21-24(OCS), pp.15-18(OPE)
OPE, OCS (併催)	2009-05-15 15:40	東京	機械振興会館	［招待講演］OFC/NFOEC 2009報告～アクティブモジュール/デバイス関連～ ○田中　有（富士通研） OCS2009-6 OPE2009-12	米国サンディエゴで開催されるOFC/NFOEC 2009におけるアクティブモジュール/デバイス関連の発表について報告する... [more]	OCS2009-6 OPE2009-12 pp.25-28(OCS), pp.19-21(OPE)
OME	2009-05-22 09:30	東京	機械振興会館	高分子超薄膜の界面物性評価とデバイス応用 ○長村利彦・田中敬二（九大） OME2009-8	近年のナノテクノロジーの発展に伴い、複雑かつ微細な構造を有する高分子ナノ組織体の構築が実現しつつある。しかしながら、これ... [more]	OME2009-8 pp.1-2
OME	2009-05-22 09:55	東京	機械振興会館	蒸着重合法によるフッ素系高分子薄膜の形成と反射防止膜への応用細田泰弘（東京農工大）・村岡祐司・藤田隆志・森井辰輔（小松ライト製作所）・田中邦明・○臼井博明（東京農工大） OME2009-9	光学素子の反射防止コーティングへの応用を目的として、電子アシスト蒸着重合法を用いてフッ素系高分子薄膜を形成した。2-(P... [more]	OME2009-9 pp.3-7
OME	2009-05-22 10:20	東京	機械振興会館	フレキシブル基板を用いた有機EL照明デバイスとその製造技術の研究開発 ○高橋善和・吉沼由香（産総研） OME2009-10	本研究においては、高速で移動する基板に安定した均一膜厚を形成する手法の開発を行った。個々の蒸発材料の蒸発特性の評価を行い... [more]	OME2009-10 pp.9-14
OME	2009-05-22 10:45	東京	機械振興会館	蒸着重合法による高分子薄膜の高次構造制御 ○熊谷泰輔・久保野敦史（静岡大） OME2009-11	[more]	OME2009-11 pp.15-18
OME	2009-05-22 11:10	東京	機械振興会館	水晶振動子マイクロバランス法を用いた有機薄膜形成過程の解析 ○伊東卓哉・久保野敦史（静岡大） OME2009-12	近年、電気・光学デバイス、保護膜、生体適合膜など幅広い分野で有機薄膜の適用が試みられている。各用途に最適な有機薄膜を作製... [more]	OME2009-12 pp.19-22
OME	2009-05-22 11:35	東京	機械振興会館	有機半導体の昇華について：実験とシミュレーションから ○島田敏宏・宮本佐和子・大伴真名歩・長谷川哲也（東大）	[more]
OME	2009-05-22 13:00	東京	機械振興会館	メンブレンスイッチを背面板とした電子ペーパディスプレイの開発～ Roll to Rollプロセスへのアプローチ～ ○泉田和夫（住友精密工業）・臼井博明（東京農工大） OME2009-13	[more]	OME2009-13 pp.23-28
OME	2009-05-22 13:25	東京	機械振興会館	ポリブチレンテレフタレートの接着挙動におよぼす熱処理条件の影響 ○岡本泰志・青木孝司・加藤和生（デンソー）・田中敬二・高原　淳（九大） OME2009-14	ポリブチレンテレフタレート(PBT)の表面ナノ構造と接着性におよぼす熱処理(アニーリング)の影響について検討した。アニー... [more]	OME2009-14 pp.29-34
OME	2009-05-22 13:50	東京	機械振興会館	導電性高分子を用いたマウス繊維芽細胞培養実験 ○小野田光宣・阿倍弥生・多田和也（兵庫県立大）・川北悠介・藤里俊哉・宇戸禎仁（阪工大） OME2009-15	本研究の目的は, ポリピロール, PPyやポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン), PEDOTのような導電性高分子を... [more]	OME2009-15 pp.35-40
OME	2009-05-22 14:15	東京	機械振興会館	フルオレン系共役ポリマーによるトップゲート型両極性有機電界効果トランジスタ ○梶井博武・小岩井恭平・広瀬遥平・大森　裕（阪大） OME2009-16	本研究では、有機電界効果トランジスタのソース・ドレイン電極に酸化インジウム錫（ITO）を用い、有機薄膜作製後に、ゲート絶... [more]	OME2009-16 pp.41-44
OME	2009-05-22 14:55	東京	機械振興会館	五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価 ○新保一成・皆川正寛・東川哲之・北村翔平・馬場　暁・加藤景三・金子双男（新潟大） OME2009-17	近年、五酸化バナジウム（V2O5）が有機電界発光素子において電荷発生層として機能することが報告されている。我々は、このよ... [more]	OME2009-17 pp.45-48
OME	2009-05-22 15:20	東京	機械振興会館	ペンタセンFETのキャリア輸送に対する絶縁膜の効果～ TRM-SHGで見る界面トラップ～ ○間中孝彰・柳　飛・中尾元春・Weis Martin・岩本光正（東工大） OME2009-18	[more]	OME2009-18 pp.49-54
OME	2009-05-22 15:45	東京	機械振興会館	P(VDF-TrFE)LB膜を絶縁層とするFETにみられるヒステリシスの解析 ○陳　翔宇・欧陽　威・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-19	[more]	OME2009-19 pp.55-59
OME	2009-05-22 16:10	東京	機械振興会館	情報タグ用高速有機回路素子の検討 ○前田　悠・高野智輝・山内　博・飯塚正明・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-20	[more]	OME2009-20 pp.61-64
OME	2009-05-22 16:35	東京	機械振興会館	LB膜味覚センサによる混合味溶液の測定 ○長谷川有貴・近藤俊秀・内田秀和（埼玉大）	[more]
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 09:35	東京	日本工業大学神田キャンパス	周囲雰囲気がコンタクト開離時アークのガス相移行に与える影響について ○吉田　清・山田直迪（日本工大） EMCJ2009-9 EMD2009-1	銀(Ag)と銀酸化物合金(AgSnO2)コンタクトのアーク継続時間とガス相移行に対する周囲気体の影響について実験的に研究... [more]	EMCJ2009-9 EMD2009-1 pp.1-6
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 10:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象～接触抵抗について(その5) ～和田真一・○園田健人・越田圭治・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤　孝一郎（慶大） EMCJ2009-10 EMD2009-2	著者らは，鉛直方向のハンマリング加振によって電気接点に実用的な振動を与える機構を開発し，微小振動が接触抵抗に与える影響を... [more]	EMCJ2009-10 EMD2009-2 pp.7-13
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 10:25	東京	日本工業大学神田キャンパス	電磁コンタクタ用AgNi接点の電極質量変化とアークエネルギー ○澤　孝一郎（慶大）・鈴木健司・渡邊勝昭（富士電機機器制御） EMCJ2009-11 EMD2009-3	著者らは、これまで、電磁コンタクタを用い、中電流、抵抗負荷で、AgNi接点の陰極消耗の評価法について調べてきた。その結果... [more]	EMCJ2009-11 EMD2009-3 pp.15-20
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 11:05	東京	日本工業大学神田キャンパス	直流20-500V/5-30A回路における開離時アークの諸特性 ○渥美友裕・関川純哉・窪野隆能（静岡大） EMCJ2009-12 EMD2009-4	[more]	EMCJ2009-12 EMD2009-4 pp.21-26
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 11:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	金属材質で異なる溶融ブリッジ形成過程 ○森　正美（日本工大） EMCJ2009-13 EMD2009-5	[more]	EMCJ2009-13 EMD2009-5 pp.27-32
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 13:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	電気接点で発生する相互変調ひずみの非接触測定 ○久我宣裕（横浜国大） EMCJ2009-14 EMD2009-6	[more]	EMCJ2009-14 EMD2009-6 p.33
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 13:25	東京	日本工業大学神田キャンパス	銀接点低速開離時電圧波形の特徴抽出に関する検討 ○塙　真吾・萱野良樹・宮永和明・井上　浩（秋田大） EMCJ2009-15 EMD2009-7	電気接点を開離する時にブリッジが発生した後アーク放電に移行する．低速で開離する場合に，ブリッジ発生後，再びブリッジに戻る... [more]	EMCJ2009-15 EMD2009-7 pp.35-40
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 13:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	基板GNDにESDを与えたときの放電波形の測定と解析 ○飯田幹也（東芝） EMCJ2009-16 EMD2009-8	電流プローブによって，マイクロストリップ線路基板のGNDにESDを与えたときの放電波形を測定し，等価回路による解析と比較... [more]	EMCJ2009-16 EMD2009-8 pp.41-44
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 14:15	東京	日本工業大学神田キャンパス	マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度と電極表面状態の関係 ○川又　憲（八戸工大）・嶺岸茂樹（東北学院大）・藤原　修（名工大） EMCJ2009-17 EMD2009-9	ESD静電気放電あるいは電気接点の閉成などに伴い広帯域に及ぶ電磁波が発生する．また，比較的に低い電圧においても電磁妨害が... [more]	EMCJ2009-17 EMD2009-9 pp.45-48
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 15:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	アレーアンテナ技術を適用した放射イミュニティ評価装置の電界分布検討 ○内田　雄・宮崎千春・岡　尚人・三須幸一郎・小西善彦（三菱電機） EMCJ2009-18 EMD2009-10	MIL-STDや工業会基準（例えば，SAE J1113-21）に記載された放射イミュニティ評価では，100V/m以上の強... [more]	EMCJ2009-18 EMD2009-10 pp.49-53
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 15:25	東京	日本工業大学神田キャンパス	プリント基板の電源系パスコン配置条件の違いによる電圧分布 ○佐々木雄一・宮崎千春・岡　尚人・三須幸一郎（三菱電機） EMCJ2009-19 EMD2009-11	[more]	EMCJ2009-19 EMD2009-11 pp.55-59
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 15:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	PLCのEMI問題を考えるための等価回路表現 ○上　芳夫（電通大）・杉浦　行（NICT） EMCJ2009-20 EMD2009-12	電力線配線網を使用する電力線通信(PLC)は通信回路網を新しく構築しない方式である．信号伝送は2導体線路系で行われており... [more]	EMCJ2009-20 EMD2009-12 pp.61-66
EMD, EMCJ (共催)	2009-05-22 16:15	東京	日本工業大学神田キャンパス	位相合成法を用いた3アンテナ法によるアンテナ較正 ○藤井勝巳・山中幸雄（NICT）・杉浦　行（テレコムエンジニアリングセンター） EMCJ2009-21 EMD2009-13	3アンテナ法によるアンテナの較正において，送受信アンテナ間の減衰量の測定に位相合成法を適用する方法を提案した．提案する方... [more]	EMCJ2009-21 EMD2009-13 pp.67-72
ED	2009-06-11 13:00	東京	東京工業大学	高dose II剥離におけるSPMレス洗浄の検討 ○佐藤俊哉・鈴木　保・塚原彰彦（富士通マイクロエレクトロニクス）・森平恭太（アクアサイエンス）	[more]
ED	2009-06-11 13:25	東京	東京工業大学	Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価 ○伊藤篤史・原田　憲・河瀬康弘・水谷文一（三菱化学）・原　誠・青木秀充・木村千春・杉野　隆（阪大） ED2009-36	[more]	ED2009-36 pp.1-6
ED	2009-06-11 13:50	東京	東京工業大学	導波路管型高周波超音波洗浄機によるCMP後洗浄 ○鈴木一成（カイジョー/芝浦工大）・潘　毅・岡野勝一・副島潤一郎（カイジョー）・小池義和（芝浦工大） ED2009-37	半導体枚葉洗浄において，石英導波路管を伝搬体とした新しい超音波洗浄機用振動子を提案する．中実棒を伝搬体とした場合，超音波... [more]	ED2009-37 pp.7-10
ED	2009-06-11 14:30	東京	東京工業大学	べベルブラシ洗浄プロセスの開発 ○萩本賢哉・岩元勇人（ソニー） ED2009-38	[more]	ED2009-38 pp.11-14
ED	2009-06-11 14:55	東京	東京工業大学	メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性増住拓朗・原　誠・○青木秀充・呂　志明・木村千　春・杉野　隆（阪大） ED2009-39	[more]	ED2009-39 pp.15-20
ED	2009-06-11 15:35	東京	東京工業大学	GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2009-40	[more]	ED2009-40 pp.21-25
ED	2009-06-11 16:00	東京	東京工業大学	原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 ○水江千帆子・堀　祐臣（北大）・ミツェークマルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰　保（北大） ED2009-41	[more]	ED2009-41 pp.27-30
ED	2009-06-11 16:25	東京	東京工業大学	MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化 ○前田就彦・廣木正伸・榎木孝知（NTT）・小林　隆（NTT-AT） ED2009-42	MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more]	ED2009-42 pp.31-36
ED	2009-06-11 16:50	東京	東京工業大学	AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 ○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2009-43	GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精... [more]	ED2009-43 pp.37-40
ED	2009-06-12 09:30	東京	東京工業大学	歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ○西野啓之・川平一太・原　伸介・藤代博記（東京理科大） ED2009-44	InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは，テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の... [more]	ED2009-44 pp.41-46
ED	2009-06-12 09:55	東京	東京工業大学	InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性 ○赤堀誠志（北陸先端大/ユーリッヒ研）・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏（北陸先端大）・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen（ユーリッヒ研）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2009-45	[more]	ED2009-45 pp.47-50
ED	2009-06-12 10:20	東京	東京工業大学	SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林　嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-46	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量$C_{\{BC}}$の削減は重要である... [more]	ED2009-46 pp.51-55
ED	2009-06-12 11:00	東京	東京工業大学	熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 ○丸井俊治・星　真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井　功・関　昇平（OKI） ED2009-47	近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more]	ED2009-47 pp.57-62
ED	2009-06-12 11:25	東京	東京工業大学	GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原　直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2009-48	ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら... [more]	ED2009-48 pp.63-67
ED	2009-06-12 11:50	東京	東京工業大学	SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存 ○松下景一・桜井博幸・沈　正七・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2009-49	[more]	ED2009-49 pp.69-72
SDM	2009-06-19 09:30	東京	東京大学（生産研An棟）	Geの材料物性ーSiとの比較 ○伊藤公平（慶大） SDM2009-26	本講演ではゲルマニウム半導体の歴史と，ゲルマニウムを扱う時にシリコンの常識と違う点を抽出して紹介する. [more]	SDM2009-26 pp.1-2
SDM	2009-06-19 10:00	東京	東京大学（生産研An棟）	分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング～ SiO2/Siとの違い～ ○渡邉孝信・恩田知弥・登坂　亮・山本英明（早大） SDM2009-27	GeとOの任意の混在系を再現する原子間相互作用モデルを開発し、この相互作用モデルを用いた分子動力学シミュレーションでGe... [more]	SDM2009-27 pp.3-8
SDM	2009-06-19 10:20	東京	東京大学（生産研An棟）	Si酸化における界面反応の第一原理計算 ○秋山　亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大） SDM2009-28	Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more]	SDM2009-28 pp.9-13
SDM	2009-06-19 10:50	東京	東京大学（生産研An棟）	GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 ○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本　学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大） SDM2009-29	[more]	SDM2009-29 pp.15-20
SDM	2009-06-19 11:20	東京	東京大学（生産研An棟）	GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林　亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） SDM2009-30	Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more]	SDM2009-30 pp.21-26
SDM	2009-06-19 12:40	東京	東京大学（生産研An棟）	Ge MOSデバイスの熱安定性～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割～ ○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島　章（東芝）・手塚　勉（MIRAI-東芝） SDM2009-31	GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH... [more]	SDM2009-31 pp.27-31
SDM	2009-06-19 13:00	東京	東京大学（生産研An棟）	金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海　明（東大/JST） SDM2009-32	Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more]	SDM2009-32 pp.33-38
SDM	2009-06-19 13:20	東京	東京大学（生産研An棟）	ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33	高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more]	SDM2009-33 pp.39-44
SDM	2009-06-19 13:40	東京	東京大学（生産研An棟）	HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島　岳・奥山雅則（阪大） SDM2009-34	我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが，ゲート絶... [more]	SDM2009-34 pp.45-50
SDM	2009-06-19 14:10	東京	東京大学（生産研An棟）	界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価～ Ge基板への絶縁膜形成～ ○中島　寛・平山佳奈・楊　海貴・王　冬（九大） SDM2009-35	We are searching MIS structure with good interface and insul... [more]	SDM2009-35 pp.51-56
SDM	2009-06-19 14:30	東京	東京大学（生産研An棟）	熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東　清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-36	熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more]	SDM2009-36 pp.57-60
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 09:05	東京	機械振興会館6階66号室	五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討 ○井芹有志・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）・羽路伸夫（横浜国大） OPE2009-16 LQE2009-19	InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmetric Coupled Quant... [more]	OPE2009-16 LQE2009-19 pp.1-6
SDM	2009-06-19 14:50	東京	東京大学（生産研An棟）	LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37	GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more]	SDM2009-37 pp.61-66
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 09:30	東京	機械振興会館6階66号室	五層非対称結合量子井戸マイクロリング共振器波長フィルタの試作 ○槙野太郎・長谷川　亮・荒川太郎・國分泰雄（横浜国大） OPE2009-17 LQE2009-20	InGaAs/InAlAs 五層非対称結合量子井戸（FACQW）をコアに持つマイクロリング共振器チューナブル波長フィルタ... [more]	OPE2009-17 LQE2009-20 pp.7-12
SDM	2009-06-19 15:10	東京	東京大学（生産研An棟）	低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡　哲・松木武雄・三瀬信行・神山　聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路　譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38	Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more]	SDM2009-38 pp.67-70
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 09:55	東京	機械振興会館6階66号室	InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現 ○上田悠太・藤本信二・山田拓人・中村真也・宇高勝之（早大）・塩田貴支・北谷　健（日立） OPE2009-18 LQE2009-21	[more]	OPE2009-18 LQE2009-21 pp.13-17
SDM	2009-06-19 15:40	東京	東京大学（生産研An棟）	LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中　繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39	high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more]	SDM2009-39 pp.71-76
SDM	2009-06-19 16:00	東京	東京大学（生産研An棟）	High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2009-40	我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている... [more]	SDM2009-40 pp.77-80
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 10:30	東京	機械振興会館6階66号室	階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作 ○杉尾崇行・岩崎寛弥・谷村　昂・村上洋介・下村和彦（上智大） OPE2009-19 LQE2009-22	[more]	OPE2009-19 LQE2009-22 pp.19-23
SDM	2009-06-19 16:20	東京	東京大学（生産研An棟）	Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-41	Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more]	SDM2009-41 pp.81-85
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 10:55	東京	機械振興会館6階66号室	位相演算型光シリアル・パラレル変換器に関する研究 ○矢沢　豪・清水　智・植之原裕行（東工大） OPE2009-20 LQE2009-23	近年のインターネットトラフィックの急増に対処するため，高速かつ低消費電力な処理が期待される光パケットスイッチやラベル処理... [more]	OPE2009-20 LQE2009-23 pp.25-30
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 11:20	東京	機械振興会館6階66号室	時間軸Talbot効果とSOA-FRLとの組み合わせによる全光クロック抽出 ○大岩政基・南　俊輔・辻　健一郎・小野寺紀明・猿渡正俊（防衛大） OPE2009-21 LQE2009-24	時間軸Talbot効果(TTE)を用いた全光クロック抽出法は，OOK (On-off keying)変調された信号光に伝... [more]	OPE2009-21 LQE2009-24 pp.31-36
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 11:45	東京	機械振興会館6階66号室	光パルスシンセサイザを用いた形状可変なパルス圧縮 ○柏木　謙・小玉雄一朗・田中洋介・黒川隆志（東京農工大） OPE2009-22 LQE2009-25	我々は時空間変換による全光信号処理を実現するシステムとして，アレイ導波路回折格子と強度・位相変調器をモノリシックに集積し... [more]	OPE2009-22 LQE2009-25 pp.37-40
SDM	2009-06-19 16:50	東京	東京大学（生産研An棟）	極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東　清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-42	800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more]	SDM2009-42 pp.87-92
SDM	2009-06-19 16:55	東京	東京大学（生産研An棟）	ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 ○五月女真一・中山隆史（千葉大） SDM2009-43	[more]	SDM2009-43 pp.93-97
SDM	2009-06-19 17:00	東京	東京大学（生産研An棟）	TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉　国浜・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-44	TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more]	SDM2009-44 pp.99-103
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 14:30	東京	機械振興会館6階66号室	MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討 ○稲本　慎・丸山武男・飯山宏一（金沢大） OPE2009-23 LQE2009-26	Si光導波路を用いたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の位相制御器は、一般的に熱光学効果を用いているが、消費電力が大き... [more]	OPE2009-23 LQE2009-26 pp.41-44
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 14:55	東京	機械振興会館6階66号室	光波長可変フィルタのための導波路形複合Fabry-Perot共振器の特性と製作プロセスの検討 ○加藤亜希文・中津原克己・中神隆清（神奈川工科大） OPE2009-24 LQE2009-27	通信トラフィックの増加に対応するため、大容量で柔軟なWDM通信システムの実現が必要であり、そのために、低消費電力で集積化... [more]	OPE2009-24 LQE2009-27 pp.45-49
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 15:20	東京	機械振興会館6階66号室	10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25～100℃)SMF80km伝送 ○小林　亘・荒井昌和・山中孝之・藤原直樹・藤澤　剛・都築　健・田所貴志・狩野文良（NTT） OPE2009-25 LQE2009-28	低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的... [more]	OPE2009-25 LQE2009-28 pp.51-54
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 15:55	東京	機械振興会館6階66号室	シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ ○藤岡伸秀・儲　涛・斉藤恵美子（NEC/光協会）・徳島正敏・中村　滋（NEC）・石坂政茂（NEC/光協会） OPE2009-26 LQE2009-29	波長可変レーザは、波長多重通信において最も重要な光デバイスの１つであり、その小型・低消費電力化が期待されている。我々は、... [more]	OPE2009-26 LQE2009-29 pp.55-58
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 16:20	東京	機械振興会館6階66号室	BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3um波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ ○八木英樹・大西　裕・辻　幸洋・市川弘之・吉永弘幸・野間口俊夫・平塚健二・上坂勝己（住友電工） OPE2009-27 LQE2009-30	10Gbit/sを超える高速直接変調を目的として、BCB(ベンゾシクロブテン)埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3u... [more]	OPE2009-27 LQE2009-30 pp.59-62
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 16:45	東京	機械振興会館6階66号室	周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送 ○硴塚孝明・松尾慎治・瀬川　徹・柴田泰夫・川口悦弘・高橋　亮（NTT） OPE2009-28 LQE2009-31	近年のネットワークトラフィック量の増大に対応すべく、アクセス網の高速化および広域化への期待が高まっている。我々は簡易な構... [more]	OPE2009-28 LQE2009-31 pp.63-66
LQE, OPE (共催)	2009-06-19 17:10	東京	機械振興会館6階66号室	波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザ～単一モード化、高速化の検討～ ○田中　有（富士通研/富士通/QDレーザ/光協会）・高田　幹・石田　充（東大）・前多泰成（QDレーザ）・松本　武・江川　満・宋　海智（富士通研）・山口正臣（QDレーザ）・中田義昭（富士通研/QDレーザ）・西　研一（QDレーザ）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会）・菅原　充（富士通研/富士通/QDレーザ/光協会）・荒川泰彦（東大） OPE2009-29 LQE2009-32	[more]	OPE2009-29 LQE2009-32 pp.67-72
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 14:00	東京	機械振興会館	高速ソフトスタート制御回路を用いた電流モードDC-DCコンバータ ○柴田公男・範　公可（電通大） EMD2009-14 CPM2009-26 OME2009-21	携帯電子機器は，小型，軽量，そして搭載されている電池の動作時間の延長が要求されている．スリープモードや待機モードは，不必... [more]	EMD2009-14 CPM2009-26 OME2009-21 pp.1-6
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 14:25	東京	機械振興会館	AFM探針スクラッチナノ加工による強磁性パターン薄膜の狭窄化 ○菅沼秀教・チャンキョンミン・山田　努・竹村泰司（横浜国大） EMD2009-15 CPM2009-27 OME2009-22	[more]	EMD2009-15 CPM2009-27 OME2009-22 pp.7-10
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 14:50	東京	機械振興会館	エアロゾルデポジッション法によるPLZT厚膜の形成と電気光学空間光変調器への応用 ○山口貴志・久米章博（豊橋技科大）・内田裕久（東北工大）・井上光輝（豊橋技科大） EMD2009-16 CPM2009-28 OME2009-23	本研究は，エアロゾルデポジッション（Aerosol deposition: AD）法を用いて，数m以上の... [more]	EMD2009-16 CPM2009-28 OME2009-23 pp.11-16
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 15:15	東京	機械振興会館	圧電駆動型磁気光学空間光変調器のための光反射膜に関する研究 ○加藤武紀・水戸慎一郎（豊橋技科大）・高木宏幸（豊田高専）・金　周映・井上光輝（豊橋技科大） EMD2009-17 CPM2009-29 OME2009-24	磁気光学空間光変調器(MOSLM)は，二次元の光信号の強度や位相を高速に変調することが可能なデバイスである．我々は圧電体... [more]	EMD2009-17 CPM2009-29 OME2009-24 pp.17-21
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 15:55	東京	機械振興会館	電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価 ○宮沢　亮・田口　大・Martin Weis・間中孝彰・岩本光正（東工大） EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25	P3HT を半導体層とするMIS 構造素子のCMS、C-V 特性を測定した。C-V 特性から、電極から注入されたホールの... [more]	EMD2009-18 CPM2009-30 OME2009-25 pp.23-26
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 16:20	東京	機械振興会館	ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象～接触抵抗について(その6) ～和田真一・○園田健人・越田圭治・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤　孝一郎（慶大） EMD2009-19 CPM2009-31 OME2009-26	著者らは，鉛直方向のハンマリング加振機構及び摺動接触機構によって電気接点における微小振動が接触抵抗に与える影響を検討した... [more]	EMD2009-19 CPM2009-31 OME2009-26 pp.27-32
CPM, EMD, OME (共催)	2009-06-19 16:45	東京	機械振興会館	Ag接点の開離アーク放電特性に対する接点開離速度の影響に関する実験的検討 ○須藤あすか・長谷川　誠（千歳科技大） EMD2009-20 CPM2009-32 OME2009-27	Ag接点の開離アーク放電特性に対する接点開離速度の影響を検討するために、直流誘導性負荷回路にて14Ｖ－0.1～2.0Ａの... [more]	EMD2009-20 CPM2009-32 OME2009-27 pp.33-38
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 10:00	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器 ○藤島　実・夏苅洋平（東大） SDM2009-97 ICD2009-13	シングルエンド入力・差動出力を持つ低消費電力・広帯域63GHz CMOS低雑音増幅回路(LNA)を提案する．提案するLN... [more]	SDM2009-97 ICD2009-13 pp.1-6
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 13:25	東京	東京工業大学	Cu/Pt/Fe三層膜によるFePtCu規則合金薄膜の特性制御 ○緒方祐史・今井康晴・中川茂樹（東工大） MR2009-13	熱アシスト磁気記録用媒体材料として有望視されているL10FePt規則合金薄膜のキュリー温度の制御をCu添加により行った。... [more]	MR2009-13 pp.1-5
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 13:50	東京	東京工業大学	負の一軸磁気異方性材料を用いたMAMR用発振素子の発振特性 ○吉田和悦・横江真人・石川勇磨（工学院大）・金井　靖（新潟工科大） MR2009-14	あらまし磁気記録において記録媒体の雑音と熱揺らぎ，記録ヘッドの磁界強度の3者間でのトレードオフ関係，トリレンマが高密... [more]	MR2009-14 pp.7-12
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 10:25	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	電荷領域のサンプリング相関器を用いた100Mbps, 1.28mWインパルスUWB受信回路 ○劉　楽昌・桜井貴康・高宮　真（東大） SDM2009-98 ICD2009-14	従来の相関器を用いたインパルスUWB受信回路で課題であったアナログ回路によるDC電力と、同期回路による電力増の問題を解決... [more]	SDM2009-98 ICD2009-14 pp.7-11
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 14:15	東京	東京工業大学	リニアテ－プシステムにおける塗布型バリウムフェライト媒体の高密度化研究 ○原澤　建・松本彩子・武者敦史・清水　治（富士フイルム） MR2009-15	粒子体積1500nm3の微粒子バリウムフェライト磁性体を用いて熱安定性を確保したテ－プを作製した。GMRヘッドとGPR4... [more]	MR2009-15 pp.13-17
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 14:40	東京	東京工業大学	データストレージ用磁気テープの熱安定性 ○西尾博明・山元　洋（明大） MR2009-16	平均体積(Vphy)が小さい(約2000-5000 nm3)針状メタル(MP)および六板状Ba-ferrite(BF)粒... [more]	MR2009-16 pp.19-24
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 15:20	東京	東京工業大学	X線反射率法を用いたパターンド媒体の加工ダメージ評価 ○白鳥聡志・鎌田芳幸・前田知幸・柏木一仁・礒脇洋介・喜々津　哲（東芝） MR2009-17	Arイオンエッチングによるパターンド媒体のエッチングダメージを，X反射率法を用いて解析した．X線反射率法は非破壊で表面お... [more]	MR2009-17 pp.25-30
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 15:45	東京	東京工業大学	電子線ホログラフィーによる擬似垂直磁気記録媒体軟磁性裏打ち層内の磁化状態観察 ○平田　京（沖縄科学技研基盤整備機構/東北大）・石田洋一（TDK）・柳澤圭一（沖縄科学技研基盤整備機構）・葛西裕人（沖縄科学技研基盤整備機構/日立）・進藤大輔（沖縄科学技研基盤整備機構/東北大）・外村　彰（沖縄科学技研基盤整備機構/日立） MR2009-18	垂直磁気記録用記録ヘッドの磁極からの記録磁界に対する垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層内部の磁化状態を解析するため，垂直磁... [more]	MR2009-18 pp.31-34
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 16:10	東京	東京工業大学	垂直磁気記録システムにおける浮遊磁界耐力の向上～消去スポット位置の解析～ ○濱口雄彦・前田英明・望月正文（日立グローバルストレージテクノロジーズ） MR2009-19	垂直磁気記録システムに磁界を印加した条件で記録再生特性を評価し，浮遊磁界によるデータ消去の問題の解析を行った．単磁極ヘッ... [more]	MR2009-19 pp.35-39
MRIS, ITE-MMS (共催)	2009-07-16 16:35	東京	東京工業大学	結晶性FeCoB裏打ち軟磁性層によるグラニュラー垂直磁気記録媒体の特性改善 ○五味俊輔・平田健一郎・松鵜利光（東工大）・松沼　悟・井上鉄太郎・渡辺利幸・土井嗣裕（日立マクセル）・中川茂樹（東工大） MR2009-20	垂直磁気記録媒体の記録層と裏打ち軟磁性層の間に挿入される中間層Ruの薄膜化を達成するために結晶性裏打ち軟磁性層を適用する... [more]	MR2009-20 pp.41-45
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 11:00	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	49mW 5Gbps CMOS 60GHz Pulse Receiver for Wireless Communication ○Ahmet Oncu・Minoru Fujishima（Univ. of Tokyo.） SDM2009-99 ICD2009-15	A 5Gbps CMOS receiver for 60GHz impulse radio is realized. I... [more]	SDM2009-99 ICD2009-15 pp.13-16
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 11:25	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術 ○財津和也（阪市大）・岩本　久・黒田泰斗・矢野祐二（ルネサステクノロジ）・山本耕次（ルネサスデザイン）・井上一成（ルネサステクノロジ）・阿多信吾・岡　育夫（阪市大） SDM2009-100 ICD2009-16	高速データ転送を保証する高性能ルータの開発において、パケットバッファの動作保証が非常に困難になっている。我々の研究チーム... [more]	SDM2009-100 ICD2009-16 pp.17-22
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 11:50	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	2.88Gbps UWBトランシーバの低消費電力化技術 ○大島直樹・沼田圭市・児玉浩志・石川比呂夢・矢野仁之・田中昭生（NEC） SDM2009-101 ICD2009-17	UWB(Ultra Wide Band)通信において3バンドを同時に送受信することで伝送レートが2.88Gbpsになる、... [more]	SDM2009-101 ICD2009-17 pp.23-28
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 13:15	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題 ○藤田　忍（東芝） SDM2009-102 ICD2009-18	[more]	SDM2009-102 ICD2009-18 pp.29-32
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 14:00	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	0.5V動作DRAM用60pJ，立ち上がり時間3クロック，しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 ○田中丸周平・竹内　健（東大） SDM2009-103 ICD2009-19	0.5V動作DRAMのための, 低消費電力・高速ワード線昇圧回路を提案する．スタンドバイチャージポンプ・アクティブキッカ... [more]	SDM2009-103 ICD2009-19 pp.33-38
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 14:25	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ ○矢島亮児・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内　健（東大） SDM2009-104 ICD2009-20	データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフ... [more]	SDM2009-104 ICD2009-20 pp.39-44
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 15:00	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 ○陳　杰智・更屋拓哉・平本俊郎（東大） SDM2009-105 ICD2009-21	(110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる．ナノワイヤFETはゲートオールア... [more]	SDM2009-105 ICD2009-21 pp.45-48
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 15:25	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀　陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） SDM2009-106 ICD2009-22	我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more]	SDM2009-106 ICD2009-22 pp.49-52
ICD, SDM (共催)	2009-07-16 15:50	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン後藤正和・○川中　繁・犬宮誠治・楠　直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉　聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23	Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more]	SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 09:30	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討 ○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2009-108 ICD2009-24	[more]	SDM2009-108 ICD2009-24 pp.57-62
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 09:55	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2009-109 ICD2009-25	[more]	SDM2009-109 ICD2009-25 pp.63-68
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 10:20	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術 ○阪本利司・多田宗弘・辻　幸秀・伴野直樹・波田博光（NEC）・青野正和（物質・材料研究機構） SDM2009-110 ICD2009-26	[more]	SDM2009-110 ICD2009-26 pp.69-72
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 11:15	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト ○遠藤哲郎・羽生貴弘（東北大） SDM2009-111 ICD2009-27	近年のCMOS技術の課題を受けて、More MooreやMore than Mooreといった技術トレンドに加えて、Be... [more]	SDM2009-111 ICD2009-27 pp.73-78
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 12:00	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤　悟・峰　利之・島　明生・藤崎芳久・久米　均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） SDM2009-112 ICD2009-28	ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more]	SDM2009-112 ICD2009-28 pp.79-83
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 13:25	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］スピン機能MOSFETよる新しいエレクトロニクスの展開 ○菅原　聡（東工大/JST） SDM2009-113 ICD2009-29	[more]	SDM2009-113 ICD2009-29 pp.85-89
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 14:10	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM ○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和（NEC）・尾崎康亮（NECエレクトロニクス）・齊藤信作・根橋竜介・崎村　昇・本庄弘明・森　馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦（NEC） SDM2009-114 ICD2009-30	高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more]	SDM2009-114 ICD2009-30 pp.91-95
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 14:45	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー ○田原修一（NEC） SDM2009-115 ICD2009-31	ナノテクノロジーはICTのイノベーションの鍵を握る技術である．NECはBIT/ECOをコンセプトとし，人と地球にやさしい... [more]	SDM2009-115 ICD2009-31 pp.97-99
ICD, SDM (共催)	2009-07-17 15:30	東京	東工大大岡山キャンパス国際交流会館	［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 ○尾辻泰一（東北大） SDM2009-116 ICD2009-32	本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電... [more]	SDM2009-116 ICD2009-32 pp.101-106
SCE	2009-07-21 13:00	東京	機械振興会館	MOD法によるBi-2212/MgO薄膜の膜厚変化による特性評価 ○濱中公志・立木　隆・内田貴司（防衛大） SCE2009-9	我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器などへの応用を目指し、真空装置を必要とせず、低コストで大面積での成膜が可能な... [more]	SCE2009-9 pp.1-6
SCE	2009-07-21 13:25	東京	機械振興会館	電流バイアスされた固有ジョセフソン接合の電磁波放射特性の数値的検討 ○立木　隆・内田貴司（防衛大） SCE2009-10	電流バイアスされたBi-2212固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射を検討するために，接合数と接合長を変えた接合ス... [more]	SCE2009-10 pp.7-12
SCE	2009-07-21 13:50	東京	機械振興会館	固有ジョセフソン接合スタックにおける結合効果 ○入江晃亘・山田清孝・藤野雅俊・大矢銀一郎（宇都宮大） SCE2009-11	これまで，固有ジョセフソン接合の電流－電圧特性における結合効果が及ぼす影響について理論的な研究は進められてきたが，実験的... [more]	SCE2009-11 pp.13-17
SCE	2009-07-21 14:15	東京	機械振興会館	アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の評価 ○御田村直樹・丸山千風・赤池宏之・藤巻　朗（名大）・石井林太郎・新原佳紘・内藤方夫（東京農工大） SCE2009-12	アモルファス半導体障壁層を用いたMgB2ジョセフソン接合の作製及び評価を行った。障壁層としてアモルファスボロンおよびアモ... [more]	SCE2009-12 pp.19-23
SCE	2009-07-21 14:50	東京	機械振興会館	高温超伝導バイクリスタル結晶粒界接合の欠陥評価 ○牧　哲朗・孔　祥燕・中谷悦啓・関　天放・久保　等・阿部真之・糸崎秀夫（阪大） SCE2009-13	(100) STOバイクリスタル結晶粒界に堆積したYBCO薄膜の欠陥を評価した．FE-SEMならびに，AFM観察により，... [more]	SCE2009-13 pp.25-28
SCE	2009-07-21 15:15	東京	機械振興会館	プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製 ○長井友樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻　朗（名大） SCE2009-14	本誌では、NbN接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその接合の諸特性について述べる。このプラズマ窒化... [more]	SCE2009-14 pp.29-33
SCE	2009-07-21 15:40	東京	機械振興会館	超伝導接合を流れるジョセフソン電流の外部磁界2次元走査による変調特性 ○中山明芳・阿部　晋・渡邉騎通（神奈川大） SCE2009-15	長方形、正三角形および六角形の形の接合を流れるジョセフソン電流の変調特性を調べた。2対のヘルムホルツコイルを使い独立にG... [more]	SCE2009-15 pp.35-39
SCE	2009-07-21 16:05	東京	機械振興会館	光キャビティ付超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の開発 ○三木茂人（NICT）・武田正典（国立天文台）・藤原幹生・佐々木雅英・王　鎮（NICT） SCE2009-16	光キャビティ付超伝導ナノワイヤ単一光子検出器(OC-SNSPD)の作製および多チャンネル冷凍機システム搭載の為の実装技術... [more]	SCE2009-16 pp.41-45
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 13:15	東京	機械振興会館	外光を抑制した高コントラストフロントプロジェクタ用スクリーン ○片桐　麦・佐藤良太・大池正信・鈴木芳人・鹿野　満・内田龍男（東北大） EID2009-12	スクリーン下側からのプロジェクタ光のみを観察者の存在する正面方向に拡散させるスクリーンを考案した。これにより明るい環境下... [more]	EID2009-12 pp.1-4
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 13:45	東京	機械振興会館	ゾルゲルガラスで封止したナノ粒子Eu錯体の劣化特性 ○加藤さやか・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦（埼玉大） EID2009-13	[more]	EID2009-13 pp.5-8
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 14:15	東京	機械振興会館	液晶ドライバ用フレームメモリ縮小のための表示画像圧縮方式 ○片山ゆかり・黒川能毅・内田裕介・赤井亮仁・工藤泰幸・笠井成彦（日立）・長澤秀昭・本間和樹（ルネサスエスピードライバ） EID2009-14	携帯機器用液晶ドライバの低消費電力技術として，フレームメモリを搭載し転送電力を削減する方法がある.しかし，液晶パネルの高... [more]	EID2009-14 pp.9-12
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 15:00	東京	機械振興会館	液晶ディスプレイの残像現象に影響する不純物イオンの解析 ○水崎真伸（東北大/シャープ）・宮下哲哉・内田龍男（東北大）・山田祐一郎（シャープ） EID2009-15	液晶ディスプレイでは残像発生により画質の低下が生じる場合がある。残像は、液晶パネル内にイオン性不純物が存在することにより... [more]	EID2009-15 pp.13-16
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 15:30	東京	機械振興会館	2放電路型セルを用いた超高精細PDPの放電特性 ○平野芳邦・石井啓二・薄井武順・村上由紀夫（NHK） EID2009-16	超高精細PDP の放電発光特性改善を目的とした2 つの放電路を有する新構造セル(2 放電路型セル) について、その放電現... [more]	EID2009-16 pp.17-20
EID, ITE-IDY (共催)	2009-07-23 16:00	東京	機械振興会館	高耐圧アドレスドライバIC(Hi-AD IC)を用いたPDP片側駆動方式 ○長瀬拓生・森　睦宏・小野澤　誠・春名史雄・福田智之・糸川直樹・小山明夫（日立） EID2009-17	ＰＤＰモジュールの消費電力、コストを低減する駆動方式として、一方のサステイン回路を削除して駆動する片側駆動方式が注目され... [more]	EID2009-17 pp.21-24
OME	2009-09-03 13:00	東京	機械振興会館	ビニルカルバゾール蒸着重合膜形成における表面開始剤SAM膜の効果梅本祐也・金　性湖・田中邦明・○臼井博明（東京農工大） OME2009-36	一般に蒸着膜は基板に物理的に吸着しているため界面が不安定であるが，本研究では表面開始蒸着重合の手法を用い，基板表面に化学... [more]	OME2009-36 pp.1-6
OME	2009-09-03 13:25	東京	機械振興会館	走査トンネル分光によるオクタンチオールSAM上のLu@C82のエネルギー準位の評価 ○岩本全央・小川大輔・東　康男（東工大）・梅本　久・伊藤靖浩・沖本治哉・泉　乃里子・篠原久典（名大）・真島　豊（東工大） OME2009-37	金属内包フラーレンは、炭素からなるフラーレン殻に金属原子を内包した分子であり、分子内に電子状態の偏り・双極子モーメントを... [more]	OME2009-37 pp.7-12
OME	2009-09-03 13:50	東京	機械振興会館	SHG・ラマンイメージングによるペンタセンFETにおける電界・電荷分布評価 ○間中孝彰・川島　啓・田中康之・岩本光正（東工大） OME2009-38	[more]	OME2009-38 pp.13-18
OME	2009-09-03 14:15	東京	機械振興会館	(BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関 ○石黒雅人・伊藤裕哉・高原知樹・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-39	有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathi... [more]	OME2009-39 pp.19-22
CPM	2009-09-25 13:00	東京	機械振興会館	［招待講演］次世代光ディスクの技術動向 ○前田武志（JST） CPM2009-83	光ディスクの将来技術として種々のものが研究開発されている。光ディスク産業と学会の将来の発展のために、技術ロードマップが２... [more]	CPM2009-83 pp.1-6
CPM	2009-09-25 13:35	東京	機械振興会館	コンパクトフェムト秒パルスファイバーレーザーを用いた3次元光記録 ○辻　真俊（静岡大）・西澤典彦（阪大）・居波　渉・川田善正（静岡大） CPM2009-84	我々はフェムト秒パルス発振可能なファイバーレーザーを開発し，3次元ビット記録を行った．レーザー共振器をリング状ファイバー... [more]	CPM2009-84 pp.7-11
MW	2009-09-25 09:00	東京	電通大	120GHz帯ミリ波無線伝搬特性の気象条件依存性 ○枚田明彦・高橋宏之・久々津直哉・門　勇一（NTT） MW2009-74	2008年3月から神奈川県ＮＴＴ厚木研究所において 120 GHz 帯ミリ波無線の長期伝搬試験を実施し、120 GHz ... [more]	MW2009-74 pp.1-6
CPM	2009-09-25 14:00	東京	機械振興会館	有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ ○香取重尊・池之上卓己・藤田静雄（京大）・平林克彦・神原浩久（NTT）・栗原　隆（九州先端科学技研） CPM2009-85	二光子吸収効率の向上を目的としてフェニル基（フェニレン型）およびチェニル基（チェニレン型）を導入した有機ホウ素ポリマーを... [more]	CPM2009-85 pp.13-17
MW	2009-09-25 09:25	東京	電通大	PINダイオードを用いた60GHz帯電子走査リフレクトアレーアンテナ ○鴨田浩和・岩崎　徹・津持　純・九鬼孝夫（NHK） MW2009-75	60GHz帯電子走査リフレクトアレーアンテナの試作・評価を行った．反射素子は，誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ... [more]	MW2009-75 pp.7-12
MW	2009-09-25 09:50	東京	電通大	MIMO用2周波アンテナの放射パターン直交性改善の基礎検討 ○斉藤　昭（ワイケーシー）・星野有哉（電通大）・青木由隆（カシオ）・本城和彦（電通大） MW2009-76	MIMO通信で重要な放射パターンの直交性に関して、EBGを用いた改善の検討を行ったので報告する。アンテナの入力インピーダ... [more]	MW2009-76 pp.13-18
CPM	2009-09-25 14:35	東京	機械振興会館	適応型2次元フィルタによるHDSの信号品質の改善 ○高畑洋介・近藤　陽・吉田周平・山本　学（東京理科大） CPM2009-86	ホログラムメモリ(Holographic Data Storage)は，多重記録時に媒体の収縮や光学系の波面収差などによ... [more]	CPM2009-86 pp.19-22
CPM	2009-09-25 15:00	東京	機械振興会館	モノキュラー光学系を用いた500GBホログラフィックメモリシステムの開発 ○石井利樹・嶋田堅一・井手達朗（日立）・スティーブヒュージ・アランホスキンス・ケビンカーティス（インフェーズテクノロジーズ） CPM2009-87	青色レーザと高NA対物レンズでモノキュラー光学系を構成することで，高密度記録の検討が可能なホログラフィックメモリ評価装置... [more]	CPM2009-87 pp.23-28
CPM	2009-09-25 15:25	東京	機械振興会館	広帯域光源を用いた書き換え型ホログラフィックメモリー ○藤村隆史・志村　努・黒田和男（東大） CPM2009-88	広帯域光源を用いたホログラム再生法では、記録時とは異なる長波長の光でも体積ホログラムから画像情報を再構築することができ、... [more]	CPM2009-88 pp.29-33
MW	2009-09-25 10:30	東京	電通大	ベクトルネットワークアナライザ残留方向性評価方法の検証～リップル法とベクトル法～ ○工藤賢一（長野県工技総合センター）・堀部雅弘・信太正明（産総研） MW2009-77	リップル法によって算出したベクトルネットワークアナライザの残留方向性を，ベクトル法による結果と比較して検証を行った．ベク... [more]	MW2009-77 pp.19-23
MW	2009-09-25 10:55	東京	電通大	RF領域におけるベクトルネットワークアナライザの残留不確かさ評価 ○堀部雅弘・信太正明・小見山耕司（産総研） MW2009-78	ベクトルネットワークアナライザの残留要素評価方法には、同軸標準線路(エアライン)を用いたリップル法やベクトル法が用いられ... [more]	MW2009-78 pp.25-29
MW	2009-09-25 11:20	東京	電通大	広域温度で誘電特性を測定する共振器の開発 ○杉山順一（産総研） MW2009-79	対象サンプルを低温から高温まで広範囲に変えられるTM0n0型円筒空洞共振器を作成し、これを用いて種々の有機液体や粉体につ... [more]	MW2009-79 pp.31-36
MW	2009-09-25 11:45	東京	電通大	マイクロ波帯における共振器を用いた導電性織物の表面抵抗値の測定 ○島崎仁司・秋山正博（京都工繊大） MW2009-80	金属を含む糸を使って織られた導電性織物のマイクロ波帯域における表面抵抗を測定し，織り方などの抵抗値への影響について考察し... [more]	MW2009-80 pp.37-42
MW	2009-09-25 13:00	東京	電通大	60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機 ○岸本修也・折橋直行・濱田康宏・伊東正治・丸橋建一（NEC） MW2009-81	60GHz帯フェーズドアレイ送信機を標準90nm CMOSプロセス技術を用いて開発し、1x6アレイアンテナへ接続してビー... [more]	MW2009-81 pp.43-48
MW	2009-09-25 13:25	東京	電通大	定在波を用いた距離測定における信号検出位置の補正方法 ○石川　礼・上保徹志（雑賀技研） MW2009-82	定在波レーダは非常に簡素な構成でありながら比較的精度のよい測距が可能であり，また0mから測距可能である．本レーダは，直交... [more]	MW2009-82 pp.49-54
MW	2009-09-25 13:50	東京	電通大	3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO ○田辺　昭・肱岡健一郎・長瀬寛和・林　喜宏（NECエレクトロニクス） MW2009-83	3次元ソレノイド型インダクタを用いて、低電力・超小型の5GHzのLC-VCOとそれを組み込んだPLLを開発した。90nm... [more]	MW2009-83 pp.55-60
MW	2009-09-25 14:25	東京	電通大	独立バイアス形カスコード電力増幅器及びその高効率・低ひずみ設計 ○高山洋一郎・本城和彦（電通大） MW2009-84	トランジスタの微細化に伴う動作電圧の低下に対してミリ波など高周波電力増幅の高出力化を図るためにカスコード回路が採用されて... [more]	MW2009-84 pp.61-65
MW	2009-09-25 14:50	東京	電通大	直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作 ○河合　慧・高山洋一郎・石川　亮・本城和彦（電通大） MW2009-85	広いダイナミックレンジで高効率動作が期待出来るマイクロ波電力増幅器としてドハティ増幅器が注目されている.ドハティ増幅器は... [more]	MW2009-85 pp.67-72
MW	2009-09-25 15:15	東京	電通大	効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 ○重松寿生・井上雄介・赤瀬川章彦・増田　哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原　直紀（富士通研） MW2009-86	本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more]	MW2009-86 pp.73-78
MW	2009-09-25 15:50	東京	電通大	集中定数形2周波共用ウィルキンソン分配回路の構成及び設計式 ○大島　毅・深沢　徹・大塚昌孝・宮下裕章（三菱電機） MW2009-87	本報告では，２周波数帯で動作する集中定数形ウィルキンソン分配回路の構成及び設計式を示す．この分配回路は，直並列LC共振回... [more]	MW2009-87 pp.79-82
MW	2009-09-25 16:15	東京	電通大	線路幅がフェルミ・ディラック関数によって決定される不均一伝送線路で構成される一次元周期構造バンドスットップフィルタ ○松下健治・福田　誠・浜中宏一（千歳科技大） MW2009-88	[more]	MW2009-88 pp.83-86
MW	2009-09-25 16:40	東京	電通大	電界カメラによるRF信号伝搬の実時間観察と直観解析 ○土屋昌弘（NICT）・塩沢隆広（詫間電波高専） MW2009-89	NICT独自技術である電界カメラ（http://lei-camera.nict.go.jp）をRF信号伝搬の実時間観察手... [more]	MW2009-89 pp.87-92
MW	2009-09-25 17:15	東京	電通大	［特別講演］動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器 ○山之内慎吾・青木雄一・國弘和明（NEC）・平山知央（NECエレクトロニクス）・宮崎　孝（NEC）・樋田　光（NECエレクトロニクス） MW2009-90	変調波信号入力時のAM-AMとAM-PM(動的歪特性)を補償する動的プリディストータ(PD)技術を開発しWCDMA用電力... [more]	MW2009-90 pp.93-98
MW	2009-09-25 17:40	東京	電通大	［特別講演］並列動作形Fractional-N PLLシンセサイザの制御データの合成による局部発振信号の出力周波数と信号間位相差の制御手法 ○田島賢一・林　亮司（三菱電機） MW2009-91	フラクショナル-N PLL(F-PLL)シンセサイザを用いたマイクロ波帯局部発振信号の新しい位相制御手法について述べる．... [more]	MW2009-91 pp.99-104
MW	2009-09-25 18:05	東京	電通大	［特別講演］誘電体共振器と平行平板とからなる2次元左手系メタマテリアル構造 ○上田哲也（京都工繊大）・伊藤龍男（カリフォルニア大ロサンゼルス校） MW2009-92	本報告では，磁気（基本TE）共振状態にある誘電体共振器の2次元格子とカットオフ平行平板との組み合わせからなる新しい2次元... [more]	MW2009-92 pp.105-109
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 09:10	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	2V有機CMOSとシリコンCMOSを用いたEMI測定用風呂敷の原理検証 ○石田光一・増永直樹・周　志偉・安福　正・関谷　毅（東大）・ツィーシャングウテ・クラークハーゲン（マックス・プランク研）・高宮　真・染谷隆夫・桜井貴康（東大） ICD2009-33	[more]	ICD2009-33 pp.1-6
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 09:35	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	65nmCMOSテクノロジによる6bit任意デジタル雑音エミュレータの開発 ○藤本大介・松野哲郎（神戸大）・小坂大輔（エイアールテック）・濱西直之・田邉　顕・塩地正純（東芝）・永田　真（神戸大/エイアールテック） ICD2009-34	時分割寄生容量列(time-series charging of divided parasitic capacitan... [more]	ICD2009-34 pp.7-10
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 10:00	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	マイクロプロセッサにおける基板ノイズの評価と解析 ○坂東要志（神戸大）・小坂大輔（エイアールテック）・横溝剛一・坪井邦彦（半導体理工学研究センター）・Ying Shiun Li・Shen Lin（Apache）・永田　真（神戸大/エイアールテック） ICD2009-35	SoC をターゲットとした電源・基板雑音の統合解析手法について、90nm CMOS 技術によるマイクロプロセッサ・チップ... [more]	ICD2009-35 pp.11-14
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 10:25	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	電源線を用いた135Mbps双方向チップ間通信技術 ○橋田拓志・永田　真（神戸大） ICD2009-36	本研究では、チップ、パッケージ、ボード上の配線を介したチップ間シリアルデータ通信を、2チップ間で共有された電源・グランド... [more]	ICD2009-36 pp.15-18
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 11:00	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	電力回生機能を有する0.2mm2, 27Mbps, 3mW ADC/FFT-less周波数多重Body-Area-Network受信器の開発 ○石崎晴也・水野正之（NEC） ICD2009-37	[more]	ICD2009-37 pp.19-22
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 11:25	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTOF距離画像センサの試作 ○竹下裕章・澤田友成・飯田哲也・安富啓太・川人祥二（静岡大） ICD2009-38	本稿では，埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTime-of-Flight(TOF)距離画像センサの駆動方法，... [more]	ICD2009-38 pp.23-28
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 11:50	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	埋め込みダイオードによる2段転送を用いた蛍光寿命イメージセンサ ○李　卓（静岡大）・尹　亨峻（デルフト工科大）・伊藤信也・川人祥二（静岡大） ICD2009-39	[more]	ICD2009-39 pp.29-34
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 12:15	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	光学的脳神経活動計測用CMOSイメージセンサの試作 ○小黒康裕・宍戸三四郎（奈良先端大）・野田俊彦・笹川清隆・徳田　崇・太田　淳（奈良先端大/JST） ICD2009-40	我々は，大脳皮質神経細胞活動のin vivo記録法として用いられている光計測法のひとつである，内因性信号 (IOS：In... [more]	ICD2009-40 pp.35-38
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 13:30	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	マウス脳深部神経活動in vivo計測用マルチファンクショナルCMOSイメージセンサの開発 ○田川礼人・南　裕樹・三谷昌弘（奈良先端大）・野田俊彦・笹川清隆・徳田　崇・太田　淳（奈良先端大/JST） ICD2009-41	マウス脳深部の神経活動を蛍光と電位変化により計測することを目的とした、マルチファンクショナルCMOSイメージセンサを開発... [more]	ICD2009-41 pp.39-43
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 13:55	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	オンチップ・バイオセンシングのためのCMOSアナログ集積回路 ○中里和郎（名大） ICD2009-42	バイオ分子の同定による検査・診断装置や，生体分子と半導体集積回路とを融合した新機能素子の実現には，分子からの信号を検出す... [more]	ICD2009-42 pp.45-50
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 14:20	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	［招待講演］センサアレイと集積回路の融合によるバイオ・医療用スマートマイクロチップ ○石田　誠・河野剛士・澤田和明（豊橋技科大/JST） ICD2009-43	[more]	ICD2009-43 pp.51-56
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 15:20	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	［招待講演］集積化MEMSとバイオメディカルMEMS ○江刺正喜（東北大） ICD2009-44	回路を一体化した集積化MEMSには，容量検出回路を集積化した容量型センサ，また多数アレイ化したMEMSの配線線を減らすた... [more]	ICD2009-44 pp.57-62
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-01 16:10	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	［招待講演］新しい生体計測のためのバイオ/化学センサ ○三林浩二（東京医科歯科大） ICD2009-45	非侵襲計測やユビキタス・モニタリングを意識し、我々はこれまでに身体に直接装着し生体化学情報をモニタリングすることを目的と... [more]	ICD2009-45 pp.63-68
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 09:10	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	フィードバック制御を用いた時間差増幅回路 ○名倉　徹・萬代新悟・池田　誠・浅田邦博（東大） ICD2009-46	本発表では時間差増幅回路 (Time Difference Amplifier : TDA) に関して提案する。時間差増... [more]	ICD2009-46 pp.69-73
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 09:35	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性 ○申　武雄・池辺将之・本久順一・佐野栄一（北大） ICD2009-47	いままでに、CMOSイメージセンサの“Single-Slope型A/D”の量子化誤差をTDC: Time to Digi... [more]	ICD2009-47 pp.75-80
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 10:00	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	Thermal Noise Effects Caused by Settling Time Optimization in Switched-Capacitor Circuits ○Dong Ta Ngoc Huy・Masaya Miyahara・Akira Matsuzawa（Tokyo Inst. of Tech.） ICD2009-48	スイッチトキャパシタ回路において、スイッチのオン抵抗はセットリング時間に影響を与えると共に、熱雑音により精度を劣化させる... [more]	ICD2009-48 pp.81-86
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 10:25	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	A 0.5 V Feedforward Delta-Sigma Modulator with CMOS Inverter-Based Integrator ○Jun Wang・Toshimasa Matsuoka・Kenji Taniguchi（Osaka Univ.） ICD2009-49	[more]	ICD2009-49 pp.87-91
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 11:00	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	［招待講演］AD変換原理とCMOS回路技術 ○岩田　穆（エイアールテック/広島大） ICD2009-50	AD変換には，逐次比較，並列比較，パイプライン，デルタシグマなど多種の原理が考案され，集積回路として信号周波数:DC～1... [more]	ICD2009-50 pp.93-98
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 11:50	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	補間技術とバックグランド補償技術を用いた8-bit 600-MSps並列型ADCに関する研究 ○白　戴和・浅田友輔・宮原正也・松澤　昭（東工大） ICD2009-51	補間技術と巡回バックグランド補償技術を使用した並列型A/D変換器（ADC）に関して報告する．並列型ADCは分解能が上がる... [more]	ICD2009-51 pp.99-104
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 12:15	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	インターリーブADCでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術浅見幸司（アドバンテスト）・○黒澤烈士・立岩武徳・宮島広行・小林春夫（群馬大） ICD2009-52	この論文ではインターリーブADCのチャネル・サンプリング・クロック間のタイミングスキューの影響をデジタルフィルタで補正す... [more]	ICD2009-52 pp.105-110
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 12:40	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	フォールディング補間アーキテクチャを用いた自己補正方式6ビット2.7GS/s ADC 中島雄二（NECエレクトロニクス）・○阪口明美・大城戸敏夫（NECマイクロシステム）・松本哲也・四柳道夫（NECエレクトロニクス） ICD2009-53	90nm CMOS プロセスを用いて自己補正方式の6ビット2.7GS/s ADCを開発した。これは、数GHz動作のAD... [more]	ICD2009-53 pp.111-116

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