研究会 - Ｃ：エレクトロニクスソサイエティ - 検索条件: 2009年度

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Ｃ：エレクトロニクスソサイエティ (検索条件: 2009年度)

東京都での開催

講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 13:55	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	［招待講演］最新RF回路技術動向 ○田中　聡（ルネサステクノロジ） ICD2009-54	CMOS微細化に伴い従来独立したICとして存在していたトランシーバIC、チューナICがSOCに集積化され始めており、特に... [more]	ICD2009-54 pp.117-122
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 14:45	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	90nmCMOSによるFMCW方式レーダー送受信ICの開発 ○三友敏也・小野直子・星野洋昭・吉原義昭・渡辺　理・瀬戸一郎（東芝） ICD2009-55	本発表では90nm CMOS プロセスで試作した77GHz帯周波数変調連続波方式(FMCW方式)を用いたレーダー向け送受... [more]	ICD2009-55 pp.123-128
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 15:10	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	24GHz帯動作可能な高イメージ抑圧低雑音増幅回路の構成 ○増田　徹・白水信弘・中村宝弘・鷲尾勝由（日立） ICD2009-56	本報告では24GHz帯やより高周波で動作する低雑音増幅回路（LNA）を対象に，高いイメージ抑圧効果を備える増幅回路の構成... [more]	ICD2009-56 pp.129-134
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 15:35	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	10次チャネル・フィルタを搭載した低消費電力Zero-IFフル・セグメントISDB-T CMOSチューナの開発 ○鎌田隆嗣（阪大/RfStream）・奥井一規・深澤昌彦・田中一好・呉　忠輝（RfStream）・松岡俊匡・谷口研二（阪大） ICD2009-57	Zero-IF方式を採用したISDB-T準拠フル・セグメント用地上波デジタル放送用TVチューナICを0.25$\mu$m... [more]	ICD2009-57 pp.135-140
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 16:10	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	時刻同期型MACプロトコルを用いる58-uWワンチップセンサノードプロセッサ ○和泉慎太郎・竹内　隆・松田隆志・李　赫鍾・小西恵大・鶴田　嵩・酒井康晴・川口　博・太田　能・吉本雅彦（神戸大） ICD2009-58	本研究では，時刻同期型MACプロトコル（I-MAC）を用いる1-chipセンサノードSoCの垂直統合設計を行った．提案す... [more]	ICD2009-58 pp.141-145
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 16:35	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	アナログ離散時間信号処理のための高線形かつ広帯域サンプリング回路 ○佐藤　守・阿部寛之・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） ICD2009-59	ソフトウェア無線技術の実現に向けて，アナログ信号を離散時間処理することで，回路の特性が再構築可能となる手法が注目されてい... [more]	ICD2009-59 pp.147-152
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 17:00	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	HDDリードチャネル向けディジタルキャリブレーション型プログラマブルGm-Cフィルタ ○寺田崇秀（日立）・那須浩司（ルネサステクノロジ）・山脇大造・小久保　優（日立） ICD2009-60	HDDリードチャネル向けディジタルキャリブレーション型プログラマブルGm-Cフィルタを開発した．このフィルタはgmとブー... [more]	ICD2009-60 pp.153-157
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 17:25	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	周波数同期技術を用いたオンチップCMOS参照クロック源回路 ○上野憲一・浅井哲也・雨宮好仁（北大） ICD2009-61	本稿では, 低消費電力オンチップCMOSクロック源回路を提案する. 提案クロック源回路は周波数同期技術に基づき, 温度・... [more]	ICD2009-61 pp.159-164
ICD, ITE-IST (共催)	2009-10-02 17:50	東京	キャンパス・イノベーションセンター東京（田町）	極低電力サブスレッショルド・ディジタル回路のオンチップ遅延バラツキ補正技術 ○大崎勇士・廣瀬哲也・松本　啓・黒木修隆・沼　昌宏（神戸大） ICD2009-62	LSIの消費電力を格段に削減する設計手法として，MOSFETをサブスレッショルド領域で動作させて回路システムを構築する技... [more]	ICD2009-62 pp.165-170
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 10:30	東京	機械振興会館	光学式力覚センサの小型化 ○小坂部康介・森　大祐・以後直樹・星野　聖（筑波大） EID2009-18	人間との共存環境で動作するヒト型ロボットハンドの力覚センサには，小型であること, 加えられた力を推定出来ることだけでなく... [more]	EID2009-18 pp.1-3
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 11:00	東京	機械振興会館	レーザTV用揺動スクリーン構造の開発 ○岡垣　覚・渡辺教弘・越前谷大介・井上正哉・野村　徹・道盛厚司・笹川智広・杉浦博明（三菱電機） EID2009-19	レーザTVのシンチレーション低減のため、新規に開発した揺動スクリーンの構造について述べる。揺動スクリーンは、1.シンチレ... [more]	EID2009-19 pp.5-8
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 11:30	東京	機械振興会館	自由な前腕動作を許容する手指形状推定システム ○冨田元將・星野　聖（筑波大） EID2009-20	カメラによる手指形状推定を情報入力に用いることを考えた場合，その入力画像には，「手指」と「前腕」が撮像されることになる．... [more]	EID2009-20 pp.9-12
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 13:15	東京	機械振興会館	撮像/表示における動き鮮鋭化超解像"TFA運動" ～視知覚信号処理工学の進展～ ○吹抜敬彦（イメトピア研） EID2009-21	[more]	EID2009-21 pp.13-16
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 13:45	東京	機械振興会館	HDR画像合成におけるシーンに適応した露光比選択方法 ○森　太・下平美文（静岡大） EID2009-22	本研究室では，XYZ三刺激値取得カメラを作製し，さらなる高品質化のために，画像合成によりダイナミックレンジを拡大する方法... [more]	EID2009-22 pp.17-20
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 14:15	東京	機械振興会館	表面処理及び照度の違いによるグレアとブルアの許容性評価 ○久武雄三・渡辺直子・上原伸一・平　和樹・小池崇文・中野義彦（ISO/TC159国内対策委員会） EID2009-23	我々は「映り込み」と画像の「綺麗さ」に対して、パネル表面の拡散度合い（ヘイズ度）及び環境照度の許容性を主観評価によって調... [more]	EID2009-23 pp.21-23
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 15:00	東京	機械振興会館	エッジ強調画像の鮮鋭さ評価に於ける改良型従来評価法と協調視覚モデル法の性能比較 ○松井利一・藤田智大（群馬大） EID2009-24	協調視覚モデルを用いた鮮鋭さ評価法は，評価性能に於いて従来評価法よりも優れており，鮮鋭さ評価尺度の満たすべき条件という観... [more]	EID2009-24 pp.25-28
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 15:30	東京	機械振興会館	ディスプレイにおける階調表現力向上手法の開発 ○中野菜美・長瀬章裕・浅村まさ子・染谷　潤・杉浦博明（三菱電機） EID2009-25	我々は，ハードウェア化を前提に，計算量が少なく，かつ画像の鮮鋭度劣化が少ない階調表現力向上の手法について提案し，評価をお... [more]	EID2009-25 pp.29-32
ITE-IDY, EID, ITE-HI, ITE-3DMT, LSJ, IEE-OQD (共催)	2009-10-08 16:00	東京	機械振興会館	明度の知覚特性を利用した画像の広色域化技術 ○今井良枝・金子敏充・馬場雅裕・伊藤　剛（東芝） EID2009-26	近年、HDTV放送のITU-R BT.709等の入力映像信号よりも広い色域をもつ、広色域ディスプレイが開発されている。デ... [more]	EID2009-26 pp.33-36
SCE	2009-10-20 13:00	東京	機械振興会館	パイプライン動作を考慮した単一磁束量子回路のための論理設計検証手法 ○佐藤元紀・田中雅光・高木一義・高木直史（名大） SCE2009-17	本稿ではSFQ回路におけるパイプライン動作の検証手法を提案する。SFQ論理回路は各ゲートにクロックを供給することにより、... [more]	SCE2009-17 pp.1-6
SCE	2009-10-20 13:25	東京	機械振興会館	A clock line for a Large Scale Reconfigurable Data Paths Processor ○Irina Kataeva・Hiroyuki Akaike・Akira Fujimaki（Nagoya Univ.v） SCE2009-18	[more]	SCE2009-18 pp.7-11
SCE	2009-10-20 13:50	東京	機械振興会館	Nbアドバンストプロセスを用いた単一磁束量子浮動小数点演算器の設計 ○貝沼世樹・島村泰浩・宮岡史滋・山梨裕希・吉川信行（横浜国大）・藤巻　朗・高木直史・高木一義（名大） SCE2009-19	超伝導単一磁束量子(SFQ)回路は高速性、低消費電力性に優れ、ディジタル回路への応用が進められている。我々はSFQ回路に... [more]	SCE2009-19 pp.13-18
SCE	2009-10-20 14:30	東京	機械振興会館	動的に再構成可能な単一磁束量子論理ゲートの検討 ○山梨裕希・大河一郎・吉川信行（横浜国大） SCE2009-20	信号入力により動的に機能を変えることができる、超伝導単一磁束量子論理ゲートについて検討した。単一磁束量子回路はその高感度... [more]	SCE2009-20 pp.19-23
SCE	2009-10-20 14:55	東京	機械振興会館	SFQ TDCを用いた64 kb Josephson/CMOSハイブリッドメモリのアクセスタイム測定 ○岡本悠史・朴　熙中・陳　賢珠・矢口謙太・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2009-21	我々はこれまでにRohm 0.35 μm プロセスを用いてSFQ/CMOSハイブッドメモリの検討を行ってきた。その結果、... [more]	SCE2009-21 pp.25-29
SCE	2009-10-20 15:20	東京	機械振興会館	QOSにおけるグレーゾーンの解析 ○宮嶋茂之・東　陽介・中西　功・藤巻　朗（名大） SCE2009-22	本誌では1-bit比較器として動作するQOS(Quasi-One-junction SQUID)のグレーゾーンの解析につ... [more]	SCE2009-22 pp.31-35
SCE	2009-10-20 15:45	東京	機械振興会館	小型中性子回折装置に向けたSFQ回路開発 ○中西　功・宮嶋茂之・東　陽介・藤巻　朗（名大） SCE2009-23	我々は、MgB2ナノワイア検出器を用いた超小型中性子回折装置の開発を進めている。そこでは、試料で回折した中性子の到達位置... [more]	SCE2009-23 pp.37-39
EMD	2009-10-30 13:05	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	新しい潤滑成分を用いた新幹線用焼結合金すり板 ○土屋広志・久保俊一・久保田喜雄（鉄道総研） EMD2009-59	新幹線用パンタグラフすり板として使用している鉄系焼結合金について、近年の固体潤滑技術を反映した従来と異なる潤滑成分を用い... [more]	EMD2009-59 pp.1-6
EMD	2009-10-30 13:30	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	SEMによるスリップリング摩耗面のその場観察 ○塩見　裕・岩木雅宣・小原新吾・鈴木峰男（JAXA） EMD2009-60	人工衛星に搭載されている太陽電池パドルや送受信アンテナの駆動機構内には，衛星本体との間に電力や電気信号を伝達するためにス... [more]	EMD2009-60 pp.7-11
EMD	2009-10-30 13:55	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	Ag薄膜の摩擦配向現象と配向パターン実現の可能性 ○後藤　実（宇部高専）・秋本晃一（名大）・仙波伸也（宇部高専） EMD2009-61	超高真空中において平均膜厚2.5～50nmの多結晶Ag膜を平滑なダイヤモンド球面で摩擦したときに生じる摩擦配向現象を反射... [more]	EMD2009-61 pp.13-18
EMD	2009-10-30 14:30	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	［特別講演］DLC（ダイヤモンドライクカーボン）膜によるゼロ摩耗、超潤滑への挑戦 ○三宅正二郎（日本工大） EMD2009-62	[more]	EMD2009-62 pp.19-26
EMD	2009-10-30 15:15	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	WS2含有のCu‐Sn系複合材料の高速しゅう動特性渡辺克忠・○齋藤竜平（工学院大） EMD2009-63	WS2やC等の層状固体潤滑剤をそれぞれ40、50、60[wt%]含有した三種類のCu-Sn系複合材料を高速な条件下で、し... [more]	EMD2009-63 pp.27-32
EMD	2009-10-30 15:40	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象～加振機構のモデリング(その5) ～和田真一・○越田圭治・園田健人・サインダーノロブリン・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤　孝一郎（慶大） EMD2009-64	電気接点に実用的振動を与えうるハンマリング加振機構を開発し，微小振動が接触抵抗に与える影響を考察できる可能性を検討してき... [more]	EMD2009-64 pp.33-38
EMD	2009-10-30 16:15	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	見掛けの面積の集中抵抗に及ぼす真実接触点の影響 ○澤田　滋・玉井輝雄（三重大）・服部康弘（オートネットワーク技研）・飯田和生（三重大） EMD2009-65	接点における集中抵抗の研究について、接点形状、めっき、表面粗さの影響など、過去多くの研究者が研究を行っている。しかし、コ... [more]	EMD2009-65 pp.39-44
EMD	2009-10-30 16:40	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	開閉電気接点の溶融現象と電気的特性 ○及川雅弘・工藤孝之・高津宣夫・若月　昇（石巻専修大） EMD2009-66	開閉電気接点では、開離時の最終段階で接点の溶融が不可避である。過渡電流スイッチ回路を用いた開離時の接点電圧を制御したAg... [more]	EMD2009-66 pp.45-50
EMD	2009-10-30 17:05	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	リレーの耐熱封止性に及ぼす接着剤の影響 ○福原智博（オムロン） EMD2009-67	近年、電子部品は、実装の高密度化の要求から表面実装部品が増加している。表面実装部品の一つである表面実装（SMD）リレーは... [more]	EMD2009-67 pp.51-56
EMD	2009-10-30 17:30	東京	富士通川崎工場岡田記念ホール	リレー接点の接触抵抗特性に対するシリコーン系及び非シリコーン系ポリマー硬化物の影響に関する実験的検討（その2） ○長谷川　誠・松藤卓真・藤原　恵（千歳科技大）・河野良行（カネカ） EMD2009-68	新たに開発された非シリコーン系アクリルポリマー材料がリレー接点の接触抵抗特性に与える影響に関する検討として、120℃環境... [more]	EMD2009-68 pp.57-62
SDM	2009-11-12 10:10	東京	機械振興会館	［招待講演］誘導結合通信による低消費電力3次元システムインテグレーションとその展望 ○黒田忠広（慶大）	[more]
SDM	2009-11-12 11:00	東京	機械振興会館	［招待講演］MOSFETコンパクトモデルと今後の展開～バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて～ ○三浦道子・三宅正尭・上口　光・楠　隼太・石村健太・菊地原秀行・Feldmann Uwe・Mattausch Hans Juergen（広島大） SDM2009-135	[more]	SDM2009-135 pp.1-6
SDM	2009-11-12 13:00	東京	機械振興会館	［招待講演］2009 SISPADレビュー ○田中克彦（MIRAI-Selete） SDM2009-136	2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more]	SDM2009-136 pp.7-11
SDM	2009-11-12 13:40	東京	機械振興会館	［招待講演］2009 SISPADレビュー (2) ○小川真人（神戸大） SDM2009-137	ホテルデルコロナドで開催された2009 SISPADの内容のうち，量子効果デバイス，ナノスケールデバイスについて... [more]	SDM2009-137 pp.13-17
SDM	2009-11-12 14:40	東京	機械振興会館	表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル ○辻　博史（阪大/JST）・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2009-138	多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する．poly-Si TFTの緩... [more]	SDM2009-138 pp.19-22
SDM	2009-11-12 15:05	東京	機械振興会館	回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェフェルドマン・三浦道子（広島大） SDM2009-139	高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more]	SDM2009-139 pp.23-27
SDM	2009-11-12 15:30	東京	機械振興会館	MEMS等価回路ジェネレータの開発 ○藤原信代・浅海和雄（みずほ情報総研）・小池智之（マイクロマシンセンター）・土屋智由（京大）・橋口　原（静岡大） SDM2009-140	CMOS-MEMS(micro electromechanical system)デバイスの設計効率向上のために「等価回... [more]	SDM2009-140 pp.29-32
SDM	2009-11-12 15:55	東京	機械振興会館	CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション ○宇野重康・中里和郎（名大） SDM2009-141	CMOS バイオセンシングにおいて中心的役割を担うIon-sensitive Field-Effect Transist... [more]	SDM2009-141 pp.33-37
SDM	2009-11-13 10:00	東京	機械振興会館	自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・森　伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大） SDM2009-142	ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more]	SDM2009-142 pp.39-44
SDM	2009-11-13 10:25	東京	機械振興会館	原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーションミリニコフゲナディ・○森　伸也・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2009-143	原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した．開発した手法を用いることにより，デバイスシミュレーションに... [more]	SDM2009-143 pp.45-48
SDM	2009-11-13 10:50	東京	機械振興会館	フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田　裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内　潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144	歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more]	SDM2009-144 pp.49-53
SDM	2009-11-13 11:15	東京	機械振興会館	微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション ○来栖貴史・和田　真・松永範昭・梶田明広・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明・柴田英毅（東芝） SDM2009-145	LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている．次... [more]	SDM2009-145 pp.55-60
SDM	2009-11-13 13:00	東京	機械振興会館	［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題～ ○大村泰久（関西大） SDM2009-146	本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more]	SDM2009-146 pp.61-66
SDM	2009-11-13 13:50	東京	機械振興会館	［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内　潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147	[more]	SDM2009-147 pp.67-71
SDM	2009-11-13 15:00	東京	機械振興会館	チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本　宏・増田弘生・船山　敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148	[more]	SDM2009-148 pp.73-78
SDM	2009-11-13 15:25	東京	機械振興会館	High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木　研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149	原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more]	SDM2009-149 pp.79-84
SDM	2009-11-13 15:50	東京	機械振興会館	構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 ○川端研二・市川尚志・渡辺浩志（東芝） SDM2009-150	昨今の微細化の進展により、デバイスサイズはナノオーダーに突入しつつあり、これまで見過ごされてきた微細化極限物性的な問題が... [more]	SDM2009-150 pp.85-90
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 13:00	東京	早稲田大学	［招待講演］シングル垂直磁気記録技術 ○田河育也（日立）・サイモングリーブス・村岡裕明（東北大）・金井　靖（新潟工科大） MR2009-29	シングル記録とはヘッド磁極を縮小せずに高トラック化を実現する技術である。記録密度向上の最大の壁は狭トラック化に起因する記... [more]	MR2009-29 pp.1-6
OPE, OME (共催)	2009-11-13 09:20	東京	機械振興会館	有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御 ○浦部裕亮・多田喜宏・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-53 OPE2009-148	テトラチアフルバレン（TTF）とテトラシアノキノジメタン（TCNQ）を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤの成長を大... [more]	OME2009-53 OPE2009-148 pp.1-5
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 13:45	東京	早稲田大学	1 Tbit/in2級微細磁性ドットアレイの形状が磁気特性、記録特性に及ぼす影響 ○有明　順・近藤祐治（秋田県産技総研センター）・石尾俊二（秋田大）・本多直樹（東北工大） MR2009-30	1 Tbit/in2級のビットパターン媒体(BPM)作製のための作製プロセスや媒体設計上の課題抽出のため，微細磁性ドット... [more]	MR2009-30 pp.7-12
OPE, OME (共催)	2009-11-13 09:45	東京	機械振興会館	エレクトロスプレー法による高分子半導体微粒子の形成廣瀬悠人・名取　至・田中邦明・○臼井博明（東京農工大） OME2009-54 OPE2009-149	エレクトロスプレーデポジション(ESD) 法は、溶液に高い電界をかけてノズルから噴霧して基板上に製膜する方法である。可溶... [more]	OME2009-54 OPE2009-149 pp.7-12
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 14:10	東京	早稲田大学	ソフトガードバンドを有する垂直磁気記録媒体の磁化反転機構 ○安仁屋政憲・島田　明・園部義明（HOYA）・佐藤浩太郎・嶋　敏之（東北学院大）・高梨弘毅（東北大）・大内隆成・本間敬之（早大） MR2009-31	磁気記録媒体の更なる高密度化のため、ディスクリートトラック媒体やパターン媒体が提案されているが、我々はそれらの作製方法の... [more]	MR2009-31 pp.13-20
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 14:35	東京	早稲田大学	ヘッドディスクインタフェース技術の動向 ○徐　鈞国（日立） MR2009-32	[more]	MR2009-32 pp.21-24
OPE, OME (共催)	2009-11-13 10:10	東京	機械振興会館	有機薄膜の可視ATR特性 ○青木克仁（茨城高専）・豊島　晋（福島高専）・若松　孝（茨城高専） OME2009-55 OPE2009-150	有機薄膜の光吸収は，通常，透過スペクトル測定によって評価されるが，透過スペクトルには反射光の影響が含まれ，特に吸収の強い... [more]	OME2009-55 OPE2009-150 pp.13-17
OPE, OME (共催)	2009-11-13 10:35	東京	機械振興会館	光第2次高調波発生法による積層有機EL素子の界面電荷蓄積時間の評価 ○田口　大・長田憲司郎・マーティンワイス・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-56 OPE2009-151	積層有機EL試料（IZO/NPB/Alq/Al）にパルス電圧を印加し、電場誘起光第2次高調波発生（EFISHG）法を用い... [more]	OME2009-56 OPE2009-151 pp.19-23
OPE, OME (共催)	2009-11-13 11:00	東京	機械振興会館	溶液プロセスで作製したポリフルオレン誘導体を用いた有機受光素子濱嵜達成（阪大）・森宗太一郎（香川高専）・梶井博武・○大森　裕（阪大） OME2009-57 OPE2009-152	高分子材料は溶液プロセスで成膜が可能で、容易に素子作製ができる特徴がある。本研究ではポリフルオレンおよびその誘導体とフラ... [more]	OME2009-57 OPE2009-152 pp.25-28
OPE, OME (共催)	2009-11-13 13:20	東京	機械振興会館	紫外線硬化樹脂を用いたハイブリッドくし形クラッドを持つ90度光路変換素子 ○杉浦雄二・神田昌宏・三上　修（東海大） OME2009-58 OPE2009-153	従来の電気配線に光配線を加えた光電気混載基板をベースとした光インタコネクションにおいて，光素子と光配線間を90度光路変換... [more]	OME2009-58 OPE2009-153 pp.29-32
OPE, OME (共催)	2009-11-13 13:45	東京	機械振興会館	Carbon-nanotube-deposited Devices for Four-Wave Mixing based Wavelength Conversion ○Kin Kee Chow・Shinji Yamashita（Univ. of Tokyo） OME2009-59 OPE2009-154	[more]	OME2009-59 OPE2009-154 pp.33-38
OPE, OME (共催)	2009-11-13 14:10	東京	機械振興会館	Signal Amplification and Photorefractive Phase Conjugation for Space Laser Communications ○Christian A. Schaefer（NICT） OME2009-60 OPE2009-155	Photorefractive phase conjugation is attractive for applying... [more]	OME2009-60 OPE2009-155 pp.39-44
OPE, OME (共催)	2009-11-13 14:35	東京	機械振興会館	ブラッグファイバを用いた表面プラズモン共鳴屈折率センサ ○馬　麟・片桐崇史・松浦祐司（東北大） OME2009-61 OPE2009-156	表面プラズモン共鳴（SPR）を利用したブラッグファイバ型屈折率センサを提案した．センサ部において，光はブラッグ多層膜によ... [more]	OME2009-61 OPE2009-156 pp.45-48
OPE, OME (共催)	2009-11-13 15:15	東京	機械振興会館	Si細線光導波路の曲がり損失の数値解析 ○外間洋平・北　智洋・大寺康夫・山田博仁（東北大） OME2009-62 OPE2009-157	Si細線光導波路における曲げ損失を3つの損失要因に分解して考え，それら損失要因による損失の値を90度曲げ導波路，180度... [more]	OME2009-62 OPE2009-157 pp.49-54
OPE, OME (共催)	2009-11-13 15:40	東京	機械振興会館	SOI導波路基板上へのLDチップ実装方法に関する検討 ○阿部政浩（東北大）・宮村悟史・中村幸治（OKI）・北　智洋・大寺康夫・山田博仁（東北大） OME2009-63 OPE2009-158	SOI光集積プラットフォーム上に，半導体レーザ(LD)やフォトダイオード(PD)を集積化する技術が求められている．本論文... [more]	OME2009-63 OPE2009-158 pp.55-60
OPE, OME (共催)	2009-11-13 16:05	東京	機械振興会館	自己クローニング型フォトニック結晶による波長選択フィルターを用いた近赤外イメージングの検討 ○クルニアタンダニエル・大寺康夫・山田博仁（東北大） OME2009-64 OPE2009-159	波板状の誘電体多層膜構造である自己クローニング型フォトニック結晶による波長フィルターの応用の一つとして, 水溶液中の含水... [more]	OME2009-64 OPE2009-159 pp.61-66
OPE, OME (共催)	2009-11-13 16:30	東京	機械振興会館	多層膜型フォトニック結晶の等価屈折率 ○大寺康夫・山田博仁（東北大） OME2009-65 OPE2009-160	フォトニック結晶の等価屈折率を簡単な数値計算で求める方法を提案する。ここでいう等価屈折率は、外部の一様媒質から見たフレネ... [more]	OME2009-65 OPE2009-160 pp.67-71
OPE, OME (共催)	2009-11-13 16:55	東京	機械振興会館	A NOVEL APPROACH IN RF-MEMS SWITCH ANALYSIS USING TIME DOMAIN TLM METHOD ○Alireza haghshenas・Changiz ghobadi・Javad Nourinia（urmia univ）	[more]
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 15:15	東京	早稲田大学	［招待講演］交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減 ○三俣千春（日立金属）・佐久間昭正・深道和明（東北大） MR2009-33	磁気ヘッドの再生素子に用いられる反強磁性膜について，再生ギャップ長を低減させるための薄膜化を目的とし，反強磁性(AFM)... [more]	MR2009-33 pp.25-30
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 16:00	東京	早稲田大学	ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性 ○佐藤　陽・星野勝美・岡村　進・加藤恵三・星屋裕之（日立） MR2009-34	ホイスラー合金を用いたCPP-GMR 素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR 比，およびバイアス電圧依存性について検討... [more]	MR2009-34 pp.31-34
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 16:25	東京	早稲田大学	フィードフォーワードによるノイズキャンセルを用いた強誘電体媒体からの信号検出 ○矢部友崇・立石　潔・高橋宏和・尾上　篤（パイオニア） MR2009-35	強誘電体プローブメモリーは超高密度ストレージとして注目されている。これを実現する上で、信号検出の更なる高速化が求められて... [more]	MR2009-35 pp.35-38
ITE-MMS, MRIS (共催)	2009-11-13 16:50	東京	早稲田大学	ハードディスク装置のRun-out Orientedな制御系設計～ 2種類のRun-outモデルによる設計手法の検証～ ○石川　潤（東京電機大） MR2009-36	ハードディスク装置のヘッド位置決め制御系では，ヘッドが追従すべき目標位置の変動に加えて，観測ノイズ，トルク外乱などが外部... [more]	MR2009-36 pp.39-46
EMD	2009-11-19 09:10	東京	日本工業大学神田キャンパス	Motion Studies of Cathode Roots in High Current Arcs using an Optical Fiber Array based Imaging System ○J W McBride・S M Sharkh（Univ. of Southampton.）・K J Cross（Taicaan Research）・S Y Kim（Hyundai Heavy Ind.） EMD2009-69	[more]	EMD2009-69 pp.1-4
EMD	2009-11-19 09:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	A study on Length and Diameter of Bridge Related with Holder Heat Capacity ○Kazuaki Miyanaga・Yoshiki Kayano（Akita Univ.）・Tasuku Takagi（Em. Prof. Tohoku Univ.）・Hiroshi Inoue（Akita Univ.） EMD2009-70	In order to clarify the physics of contact life time and con... [more]	EMD2009-70 pp.5-8
EMD	2009-11-19 09:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Experimental Result on Reducing the Resistance Due To Temperature Rise in Pd Contacts ○Hiroyuki Ishida・Shunsuke Sasaki（Tohoku Bunka Gakuen Univ.） EMD2009-71	We should study on the phenomenon reducing the contact resis... [more]	EMD2009-71 pp.9-12
EMD	2009-11-19 10:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	多接触点を持つ見掛けの接触面積の接触抵抗解析 ○澤田　滋・玉井輝雄（三重大）・服部康弘（オートネットワーク技研）・飯田和生（三重大） EMD2009-72	接点における集中抵抗の研究に関して、接点形状に対する影響や、めっきに対する影響、表面粗さの影響など、過去多くの研究者... [more]	EMD2009-72 pp.13-16
EMD	2009-11-19 10:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Study of the Main Factors Affecting the Potential Distribution for Porcelain Zinc Oxide Arresters ○Xingwen Li・Qian Wang・Mingzhe Rong・Yi Wu（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-73	The potential distribution is calculated with finite element... [more]	EMD2009-73 pp.17-20
EMD	2009-11-19 11:10	東京	日本工業大学神田キャンパス	The Discrimination of Failure Mechanisms by Analyzing the Variations of Time Parameters for Relays Shujuan Wang・○Qiong Yu・Guofu Zhai・Xiaochen Li（Harbin Inst. of Tech） EMD2009-74	Usually the contact voltage drop or contact resistance of el... [more]	EMD2009-74 pp.21-24
EMD	2009-11-19 11:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	The mechanism of a detailed surface transformation of fretting corrosion ○Daiji Ito・Yosuke Miura・Yasushi Saitoh・Hirosaka Ikeda・Terutaka Tamai・Kazuo Iida（Mie Univ.）・Yasuhiro Hattori（AutoNetwork technologies） EMD2009-75	[more]	EMD2009-75 pp.25-28
EMD	2009-11-19 13:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	Welding of Manganin and Copper sheets by Using Magnetic Pulse Welding (MPW) Technique ○Mehrdad Kashani・Tomokatsu Aizawa・Keigo Okagawa（Tokyo Metropolitan Coll. of Tech.）・Yoshitaka Sugiyama（Yazaki Corp.） EMD2009-76	[more]	EMD2009-76 pp.29-31
EMD	2009-11-19 13:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	Effect of Crosslink Agents on Alumina and Natural Rubber Composite Materials ○Nuchnapa Tangboriboon・Anchalee Banchong・Saranya Chaisakgreenon・Nahathai Sornprasarn（Kasetsart Univ.） EMD2009-77	Adding non-carboxylic peroxide, dicumyl peroxide (DCP), to v... [more]	EMD2009-77 pp.33-36
EMD	2009-11-19 14:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	Analysis of arc characteristics in miniature circuit breaker ○Mingzhe Rong・Fei Yang・Yi Wu・Weizong Wang・Jin Guo（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-78	[more]	EMD2009-78 pp.37-40
EMD	2009-11-19 14:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	Characteristics of Break Arcs Driven by Transverse Magnetic Field in a DC High-voltage Resistive Circuit ○Tomohiro Atsumi・Junya Sekikawa・Takayoshi Kubono（Shizuoka Univ.） EMD2009-79	Break arcs are generated between pure silver electrical cont... [more]	EMD2009-79 pp.41-44
EMD	2009-11-19 15:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	Simulation and Experimental Research on Electric Automobile Horn ○Jifeng Guo・Guofu Zhai・Wanbin Ren・Wenying Yang（Harbin Inst. of Tech） EMD2009-80	[more]	EMD2009-80 pp.45-48
EMD	2009-11-19 15:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	導電および電界効果クラスターによる電気接点の動作解析 ○若月　昇・及川雅弘・工藤孝之・高津宣夫（石巻専修大） EMD2009-81	[more]	EMD2009-81 pp.49-54
EMD	2009-11-19 15:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	電気接点の金属溶融におけるクラスターモデルの検証 ○及川雅弘・工藤孝之・高津宣夫・若月　昇（石巻専修大） EMD2009-82	[more]	EMD2009-82 pp.55-60
EMD	2009-11-19 16:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	電気接点のアーク放電におけるクラスターモデルの検証 ○工藤孝之・若月　昇・及川雅弘・高津宣夫（石巻専修大） EMD2009-83	[more]	EMD2009-83 pp.61-66
EMD	2009-11-19 16:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象～加振機構のモデリング（その6）～和田真一・○越田圭治・園田健人・サインダーノロブリン・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤　孝一郎（慶大） EMD2009-84	[more]	EMD2009-84 pp.67-70
EMD	2009-11-19 17:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象～接触抵抗について（その(8）～ ○和田真一・園田健人・越田圭治・サインダーノロブリン・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤　孝一郎（慶大） EMD2009-85	[more]	EMD2009-85 pp.71-74
EMD	2009-11-19 17:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	Computerized test stand software for testing switching capacity of lighting circuit switches ○Piotr Borkowski・Krzysztof Gorecki（Technical Univ. of Lodz） EMD2009-86	[more]	EMD2009-86 pp.75-78
EMD	2009-11-19 17:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	Research on Capacitive Divider with Symmetrical Low-Voltage Arms Xiaoshe Zhai・○Yingsan Geng・Jianhua Wang・Yan Wang・Zhengxing Wang・Zhengxiang Song（Xi'an Jiaotong Univer.） EMD2009-87	[more]	EMD2009-87 pp.79-82
EMD	2009-11-20 09:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	タービン発電機の鉄リングにおけるフリッティングライクなR-U特性とブラシ電流分担アンバランス現象について ○堂ノ浦修平・鈴木康誉・高根沢　真・上野貴博・森田　登（日本工大） EMD2009-88	The brush gear reliability for turbine generator is more and... [more]	EMD2009-88 pp.83-86
EMD	2009-11-20 09:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	DCモータにおけるカーボンフラット整流子の摩耗に関する検討 ○澤　孝一郎（慶大）・上野貴博・田中秀典（日本工大） EMD2009-89	ガソリンおよびエタノール中カーボンフラット整流子とブラシの摩耗についてこれまで報告して来た。今回、ガソリン５０エタノ... [more]	EMD2009-89 pp.87-91
EMD	2009-11-20 09:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	Reliability Tolerance Design of Electromagnetic Relay Considering Paremeters Fluctuation ○Xuerong Ye・Huimin Liang・Jie Deng・Guofu Zhai（Harbin Inst. of Tech.） EMD2009-90	Electrical life of Electromagnetic relay (EMR) depends mainl... [more]	EMD2009-90 pp.93-96
EMD	2009-11-20 10:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	周囲雰囲気がコンタクト開離時アークのガス相移行に与える影響の研究 ○吉田　清・澤　孝一郎（日本工大） EMD2009-91	[more]	EMD2009-91 pp.97-100
EMD	2009-11-20 10:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	Analysis of Dynamic Characteristics of the Permanent Magnetic Actuator with Multi-bar Linkage Qian Wang・○Xingwen Li・Degui Chen・Haoyong Song（Xi'an Jiaotong Univ） EMD2009-92	Coupled the mechanical-electric-magnetic processes, the dyna... [more]	EMD2009-92 pp.101-104
EMD	2009-11-20 11:00	東京	日本工業大学神田キャンパス	Simulation of Pressure Rise in Arc Quenching Chamber of Molded Case Circuit Breaker During its Interruption Process ○Degui Chen・Xingwen Li・Zhipeng Li・Liang Ji（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-93	Based on mass conversation law, energy conversation law and ... [more]	EMD2009-93 pp.105-108
EMD	2009-11-20 11:20	東京	日本工業大学神田キャンパス	Effect of Contact Point Distribution to the High-Frequency Impedance on a Coaxial Connector ○Yu-ichi Hayashi（Tohoku Univ.）・Songping Wu・Jun Fan（Missouri Univ. of Sci. and Tech.）・Takaaki Mizuki・Hideaki Sone（Tohoku Univ.） EMD2009-94	[more]	EMD2009-94 pp.109-112
EMD	2009-11-20 11:40	東京	日本工業大学神田キャンパス	Passive Intermodulation due to Distributed Nonlinearity in Mismatched Passive Circuits ○Daijiro Ishibashi・Nobuhiro Kuga・Kazuki Kumagai（Yokohama Nat'l Univ.） EMD2009-95	[more]	EMD2009-95 pp.113-116
EMD	2009-11-20 13:10	東京	日本工業大学神田キャンパス	A Control Method for Improving Performance of Permanent Magnetic Actuators in Vacuum Circuit Breakers ○Zhenxing Wang・Peng Yan・Yingsan Geng・Xiaoshe Zhai・Li Yu（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-96	[more]	EMD2009-96 pp.117-120
EMD	2009-11-20 13:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	A microprocessor control system for an automated stand for testing erosion of contacts designed for DC and AC contactors ○Piotr Borkowski・Artur Augustyniak（Technical Univ. of Lodz） EMD2009-97	[more]	EMD2009-97 pp.121-124
EMD	2009-11-20 13:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Arc Duration at Carbon Contacts Interrupting DC Current in an Inductive Circuit -- Measurement and Calculation -- ○Keiichi Suhara（Tokyo Nat Coll. of Tech.） EMD2009-98	Direct currents from 0.5A to 5A in an inductive circuit were... [more]	EMD2009-98 pp.125-128
EMD	2009-11-20 14:10	東京	日本工業大学神田キャンパス	Effects of Contact Materials on Rotational Motion of Break Arcs Driven by Radial Magnetic Field ○Junya Sekikawa・Takayoshi Kubono（Shizuoka Univ.） EMD2009-99	[more]	EMD2009-99 pp.129-132
EMD	2009-11-20 14:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Growth of oxide film on tin plated surface of connector contacts and it effect on contact resistance ○Yuya Nabeta・Yasushi Saitoh・Shigeru Sawada（Mie Univ.）・Yasuhiro Hattori（ANTech）・Terutaka Tamai（Mie Univ.） EMD2009-100	[more]	EMD2009-100 pp.133-136
EMD	2009-11-20 15:10	東京	日本工業大学神田キャンパス	Observation of Tin Plated Fretting Contacts using FIB-SEM ○Tetsuya Ito・Yoshiyuki Nomura・Yasuhiro Hattori（AutoNetworks Technologies） EMD2009-101	In recent years, there has been increasing demand to miniatu... [more]	EMD2009-101 pp.137-140
EMD	2009-11-20 15:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	Study on the Retrograde Motion of Arc under Tranverse Magnetic Field Zhai Guofu・○Cui Xinglei・Zhou Xue（Harbin Inst. of Tech） EMD2009-102	The phenomenon of retrograde motion of arc in the air of nor... [more]	EMD2009-102 pp.141-144
EMD	2009-11-20 15:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Current Fluctuation Measurement for Breaking Contact at Transient Period from Bridge to Arc ○Shingo Hanawa・Kazuaki Miyanaga・Yoshiki Kayano・Hiroshi Inoue（Akita Univ.） EMD2009-103	[more]	EMD2009-103 pp.145-148
EMD	2009-11-20 16:30	東京	日本工業大学神田キャンパス	Research on Mechanical Fault Recognition of Circuit Breaker Based on SVM Mingzhe Rong・Dongyan Li・○Xiaohua Wang・Ting Wang・Yi Wu（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-104	The on-line fault recognition for Circuit Breakers (CBs) is ... [more]	EMD2009-104 pp.149-152
EMD	2009-11-20 16:50	東京	日本工業大学神田キャンパス	Effect of Different Vent Configurations on the Interruption Process of Arc Chamber ○Degui Chen・Ruicheng Dai・Xingwen Li（Xi'an Jiaotong Univ.） EMD2009-105	his paper, based on a simplified model of arc chamber with a... [more]	EMD2009-105 pp.153-156
LQE	2009-12-11 09:35	東京	機械振興会館地下3階2号室	半導体レーザにおける戻り光カオスと自己混合ドップラダイナミクス ○大坪順次・生源寺　類（静岡大） LQE2009-139	半導体レーザは元来安定なクラスBに分類されるレーザであるが、戻り光など外部からの自由度の追加により容易にカオス発振する不... [more]	LQE2009-139 pp.1-6
LQE	2009-12-11 10:00	東京	機械振興会館地下3階2号室	戻り光量子ドットレーザにおけるダイナミクス ○高林巨樹・生源寺　類・大坪順次（静岡大） LQE2009-140	[more]	LQE2009-140 pp.7-10
LQE	2009-12-11 10:25	東京	機械振興会館地下3階2号室	Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ ○雨宮智宏・阿部健治（東工大）・種村拓夫（東大）・水本哲弥（東工大）・中野義昭（東大） LQE2009-141	[more]	LQE2009-141 pp.11-17
LQE	2009-12-11 11:00	東京	機械振興会館地下3階2号室	端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響 ○市川弘之・熊谷安紀子・河野直哉・松川真治・福田智恵・岩井圭子・生駒暢之（住友電工） LQE2009-142	端面発光型レーザの信頼性を左右する指標の1つに、端面の応力が挙げられる。しかしながら、高速変調・高温動作に優れたAlGa... [more]	LQE2009-142 pp.19-23
LQE	2009-12-11 11:25	東京	機械振興会館地下3階2号室	OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 ○竹下達也・佐藤具就・満原　学・近藤康洋・大橋弘美（NTT） LQE2009-143	2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期... [more]	LQE2009-143 pp.25-30
LQE	2009-12-11 11:50	東京	機械振興会館地下3階2号室	有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長 ○佐藤由章・寺村晃彦・佐久間吉彦・小島修司・笠原健一（立命館大）・大塚岳夫（阪大）・三浦伸仁（カネカ） LQE2009-144	燐光型有機EL素子は三重項からの発光を用いることができ、緑色や赤色で高い発光効率が実現されているが、短波長領域では未だ十... [more]	LQE2009-144 pp.31-35
LQE	2009-12-11 13:25	東京	機械振興会館地下3階2号室	［奨励講演］多重上位準位を有する量子カスケードレーザ ○藤田和上・枝村忠孝・山西正道・杉山厚志・古田慎一・落合隆英・秋草直大・菅　博文（浜松ホトニクス） LQE2009-145	[more]	LQE2009-145 pp.37-40
LQE	2009-12-11 13:50	東京	機械振興会館地下3階2号室	ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度 ○片岡　誉・森本恭弘・古田　峻・笠原健一（立命館大）・藤田和上・秋草直太・枝村忠孝（浜松ホトニクス） LQE2009-146	[more]	LQE2009-146 pp.41-44
LQE	2009-12-11 14:15	東京	機械振興会館地下3階2号室	半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作 ○奥村忠嗣・伊藤　瞳・近藤大介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2009-147	[more]	LQE2009-147 pp.45-50
LQE	2009-12-11 14:40	東京	機械振興会館地下3階2号室	低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田　学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川　満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148	近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more]	LQE2009-148 pp.51-56
LQE	2009-12-11 15:05	東京	機械振興会館地下3階2号室	InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ ○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） LQE2009-149	S-Kモードを利用した量子ドット形成法は1層あたりで高密度の量子ドットを作製でき、高性能半導体レーザ、半導体光アンプなど... [more]	LQE2009-149 pp.57-60
LQE	2009-12-11 15:40	東京	機械振興会館地下3階2号室	偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討 ○坂口　淳・片山健夫・河口仁司（奈良先端大） LQE2009-150	面発光半導体レーザ(VCSEL)の偏光双安定性を用いた光バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強... [more]	LQE2009-150 pp.61-66
LQE	2009-12-11 16:05	東京	機械振興会館地下3階2号室	低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ ○岩井則広・影山健生・高木啓史・今井　英・川北泰雅・平岩浩二・清水　均・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） LQE2009-151	近年の情報量の増加に伴い，ボード間のデータ通信等において，光インターコネクションの普及が進んでいる．また，情報量の増加に... [more]	LQE2009-151 pp.67-70
LQE	2009-12-11 16:30	東京	機械振興会館地下3階2号室	レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 ○篠田和典・足立光一朗・李　英根・塩田貴支・田中滋久（日立/光協会）・菅原俊樹・青木雅博（日立）・辻　伸二（日立/光協会） LQE2009-152	次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはIn... [more]	LQE2009-152 pp.71-74
LQE	2009-12-11 16:55	東京	機械振興会館地下3階2号室	光インタコネクトのための光素子のセルフアライメント技術と光サブアセンブリ ○鈴木　敦（日本特殊陶業）・菊地克弥・岡田義邦・仲川　博・青柳昌宏・三川　孝（産総研） LQE2009-153	光インタコネクトのために開発した光実装技術と光サブアセンブリについて報告する．面型光素子と光ファイバの位置合わせを実現す... [more]	LQE2009-153 pp.75-80
OPE	2009-12-18 13:00	東京	機械振興会館	多層膜型フォトニック結晶の反射抑制について ○大寺康夫・クルニアタンダニエル・山田博仁（東北大） OPE2009-161	[more]	OPE2009-161 pp.1-5
OPE	2009-12-18 13:25	東京	機械振興会館	フォトニック結晶型波長フィルターを用いた色素の濃度測定の検討 ○大寺康夫・山口修平・クルニアタンダニエル・山田博仁（東北大） OPE2009-162	[more]	OPE2009-162 pp.7-12
OPE	2009-12-18 13:50	東京	機械振興会館	平面基板上のブラッググレーティング導波路の新たな設計方法 ○小川憲介・官　寧・五井一宏・佐久間　健・Yong Tsong Tan（フジクラ）・MingBin Yu・Selin Hwee Gee Teo・Guo-Qiaong Lo・Dim-Lee Kwong（IME） OPE2009-163	ブラッググレーティング導波路を複屈折を生ずることなく形成するための新たな設計方法について説明する．この方法では，導波路コ... [more]	OPE2009-163 pp.13-18
OPE	2009-12-18 14:15	東京	機械振興会館	光通信帯における左手系光制御素子の設計 ○雨宮智宏・進藤隆彦・高橋大祐・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2009-164	本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる「メタマテリアル」の概... [more]	OPE2009-164 pp.19-24
OPE	2009-12-18 14:50	東京	機械振興会館	プロトンビーム描画による波長1.5μm帯用シングルモードPMMA導波路三浦健太・○町田裕貴・上原政人・花泉　修（群馬大）・石井保行・佐藤隆博・高野勝昌・大久保　猛・山崎明義・井上愛知・江夏昌志・横山彰人・神谷富裕・小嶋拓治（原子力機構）・西川宏之（芝浦工大） OPE2009-165	プロトンビーム描画は，次世代の微細加工技術として注目されているが，PMMAへのプロトン照射による屈折率向上効果を利用する... [more]	OPE2009-165 pp.25-28
OPE	2009-12-18 15:15	東京	機械振興会館	グレーティングによるSOI導波路と面実装PDの偏波無依存結合 ○内保光太郎・武井亮平・水本哲弥（東工大） OPE2009-166	グレーティング結合器は，導波路と外部素子である光ファイバやフォトダイードPDとの間で光を結合させる手段として有効である．... [more]	OPE2009-166 pp.29-34
OPE	2009-12-18 15:40	東京	機械振興会館	ErxY2-xSiO5光導波路の作製と評価～シリコンフォトニクス用小型光増幅器の開発～ ○一色秀夫・中島崇之・本間花霞・田中康仁・木村忠正（電通大） OPE2009-167	[more]	OPE2009-167 pp.35-40
OPE	2009-12-18 16:05	東京	機械振興会館	電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光 ○中　良弘・曽根田真也・中野誠一・疋田　創・住吉　猛（熊本大）・土屋昌弘（NICT）・中村有水（熊本大） OPE2009-168	シリコンフォトニクスにおいて，シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μｍ以上のシリコン（Si）系発光素子の開発が重要課... [more]	OPE2009-168 pp.41-45
OPE	2009-12-18 16:40	東京	機械振興会館	モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作 ○朴　成鳳・土澤　泰・渡辺俊文・篠島弘幸・西　英隆・山田浩治（NTT）・石川靖彦・和田一美（東大）・板橋聖一（NTT） OPE2009-169	モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PD... [more]	OPE2009-169 pp.47-52
OPE	2009-12-18 17:05	東京	機械振興会館	Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発 ○小林賢太郎・大平和哉・飯塚紀夫・吉田春彦・江崎瑞仙（東芝） OPE2009-170	シリコンフォトニクス技術を活用したLSI 光配線の実現に向けて、Si チップ上に光導波路及び光機能デバイスの小型・集積化... [more]	OPE2009-170 pp.53-56
OPE	2009-12-18 17:30	東京	機械振興会館	小型1芯双方向光通信モジュールの開発 ○川合裕輝・漆畑卓朗・中田　敦・古川眞一（矢崎総業） OPE2009-171	住宅や工場、自動車内の光LANに向けたHPCF(Hard Polymer Clad Fiber)用の小型の1芯双方向光通... [more]	OPE2009-171 pp.57-61
OME	2010-01-12 09:40	東京	機械振興会館	［チュートリアル講演］有機FETにおけるキャリアダイナミクス ○間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2009-66	[more]	OME2009-66 pp.1-6
OME	2010-01-12 10:30	東京	機械振興会館	自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御 ○中川　隆・横田知之・関谷　毅・竹内　健（東大）・Ute Zschieschang・Hagen Klauk（MPI）・染谷隆夫（東大） OME2009-67	自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁層に用いることで，低電圧駆動フローティング（浮遊）ゲート型有機メモリトランジスタを作製... [more]	OME2009-67 pp.7-11
OME	2010-01-12 10:55	東京	機械振興会館	インクジェット印刷による有機トランジスタ電極の微細化と高速動作 ○野口儀晃・横田知之・関谷　毅・染谷隆夫（東大） OME2009-68	[more]	OME2009-68 pp.13-16
OME	2010-01-12 11:20	東京	機械振興会館	表面プラズモン共鳴を用いたユビキタスバイオセンサの開発 ○三浦　達・堀内　勉・岩崎　弦・瀬山倫子・高橋淳一・井上鈴代・芳賀恒之（NTT） OME2009-69	誰でも使えるユビキタスバイオセンサを実現するために，SPRセンサとマイクロ流路技術を用いた測定チップの研究を行っている．... [more]	OME2009-69 pp.17-21
OME	2010-01-12 13:00	東京	機械振興会館	Brain Machine Interfaceのための脳波測定用ゲル電極の開発 ○外山　滋・高野弘二・池上史郎・神作憲司（国立障害者リハビリテーションセンター） OME2009-70	BMI(Brain Machine Interface)システムのための脳波測定用電極に用いる導電性ゲルを開発した。数種... [more]	OME2009-70 pp.23-26
OME	2010-01-12 13:25	東京	機械振興会館	自己組織化単分子絶縁膜上のDNTTトランジスタの温度特性と大気安定性 ○内山直哉・関谷　毅（東大）・山本達也・瀧宮和男（広島大）・Ute Zschieschang・Hagen Klauk（マックス・プランク研）・染谷隆夫（東大） OME2009-71	DNTT(dinaphtho[2,3-b:2’,3’-f]thieno[3,2-b]thiophene)を自己組織化単分... [more]	OME2009-71 pp.27-31
OME	2010-01-12 13:50	東京	機械振興会館	自己組織化単分子ゲート膜を用いた2V駆動有機トランジスタの熱安定性 ○栗原一徳・福田憲二郎・横田知之・関谷　毅（東大）・Zschieschang Ute・Klauk Hargen（マックス・プランク研）・染谷隆夫（東大） OME2009-72	[more]	OME2009-72 pp.33-36
OME	2010-01-12 14:15	東京	機械振興会館	可溶性金属フタロシアニンを用いた波長選択型有機光電変換素子 ○金　海峰・福田武司・鎌田憲彦・石丸雄大（埼玉大） OME2009-73	[more]	OME2009-73 pp.37-40
OME	2010-01-12 14:40	東京	機械振興会館	有機光電変換素子におけるシロール誘導体の添加効果 ○小林諒平・福田武司・鎌田憲彦（埼玉大）・相原　聡・瀬尾北斗（NHK）・幡野　健・照沼大陽（埼玉大） OME2009-74	[more]	OME2009-74 pp.41-44
OME	2010-01-12 15:15	東京	機械振興会館	［招待講演］両極性伝導と発光トランジスタ ○竹延大志（東北大/JST） OME2009-75	[more]	OME2009-75 pp.45-49
OME	2010-01-12 16:05	東京	機械振興会館	in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76	有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more]	OME2009-76 pp.51-56
OME	2010-01-12 16:30	東京	機械振興会館	多孔質ガラスを用いたVOCセンサの開発 ○丸尾容子・中村二朗（NTT）・泉　克幸（東洋大） OME2009-77	多孔質ガラスにシッフ試薬とリン酸若しくは硫酸を含浸させたセンサ素子を作製し，揮発性有機化合物(VOC) の検出の可能性に... [more]	OME2009-77 pp.57-62
OME	2010-01-12 16:55	東京	機械振興会館	検知紙の電子画像解析によるオゾンの簡易測定～カラーセンシングシステムの評価～ ○山下　光（NTT/東洋大）・山田　巧・丸尾容子・中村二朗（NTT）・泉　克幸（東洋大） OME2009-78	我々はオゾンに曝露すると退色するオゾン検知紙について報告してきた。従来は目視で色見本と比較する簡易なものであった。今回は... [more]	OME2009-78 pp.63-67
ED, MW (共催)	2010-01-13 13:00	東京	機械振興会館	マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いた小型UWB帯域通過フィルタの設計 ○別府昭人・馬　哲旺（埼玉大）・陳　春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大） ED2009-174 MW2009-157	本研究では、マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いたUWBフィルタの回路解析を行い、この種の回路の... [more]	ED2009-174 MW2009-157 pp.1-6
ED, MW (共催)	2010-01-13 13:25	東京	機械振興会館	FR-4基板を用いた30GHz帯BITラインフィルタ ○表　祐介・黒木太司（呉高専） ED2009-175 MW2009-158	[more]	ED2009-175 MW2009-158 pp.7-10
ED, MW (共催)	2010-01-13 13:50	東京	機械振興会館	共振器で測定した複素誘電率による位相遅れδの評価 ○杉山順一（産総研） ED2009-176 MW2009-159	対象サンプルの温度を広範囲に変えられるTM0n0型円筒空洞共振器を作成し、これを用いて有機液体の複素誘電率と温度の相関を... [more]	ED2009-176 MW2009-159 pp.11-16
ED, MW (共催)	2010-01-13 14:25	東京	機械振興会館	4段コプレーナ共振器フィルタを用いたスプリアス抑制の広帯域化 ○長福隆広・出口博之・辻　幹男（同志社大）・藤田容孝（シャープ） ED2009-177 MW2009-160	遮蔽導体の無い開放型においてコプレーナ線路(CPW)共振器からの放射抑制とスプリアス応答抑制の特徴を併せ持つフィルタ... [more]	ED2009-177 MW2009-160 pp.17-21
ED, MW (共催)	2010-01-13 14:50	東京	機械振興会館	All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器 ○幸丸竜太・半谷政毅・重永晃一・山口真美子・檜枝護重（三菱電機） ED2009-178 MW2009-161	小形・広帯域な特性を有するAll-Pass/容量結合BPF切替形移相器を提案する．本移相器は，基準状態の動作を容量結合B... [more]	ED2009-178 MW2009-161 pp.23-27
ED, MW (共催)	2010-01-13 15:25	東京	機械振興会館	左手系導波管の新しい構成法池内裕章・○太田　勲（兵庫県立大）・岸原充佳（岡山県立大）・河合　正（兵庫県立大）・松本公志（古野電気） ED2009-179 MW2009-162	本論文は，左手系導波管を構成する二通りの手法について提案している．ひとつは，遮断領域にある方形導波管を２段に重ね，その共... [more]	ED2009-179 MW2009-162 pp.29-34
ED, MW (共催)	2010-01-13 15:50	東京	機械振興会館	60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討 ○大上晃一・黒木太司（呉高専）・米山　務（東北工大） ED2009-180 MW2009-163	[more]	ED2009-180 MW2009-163 pp.35-38
ED, MW (共催)	2010-01-14 10:00	東京	機械振興会館	Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤　徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164	2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more]	ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42
ED, MW (共催)	2010-01-14 10:25	東京	機械振興会館	HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165	高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more]	ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48
ED, MW (共催)	2010-01-14 10:50	東京	機械振興会館	周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰　保（北大） ED2009-183 MW2009-166	ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more]	ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53
ED, MW (共催)	2010-01-14 13:00	東京	機械振興会館	［招待講演］高性能ZnO系FETの開発～デバイス応用と高周波特性～ ○佐々誠彦・小池一歩・前元利彦・矢野満明・井上正崇（阪工大） ED2009-184 MW2009-167	酸化亜鉛（ZnO）は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタ... [more]	ED2009-184 MW2009-167 pp.55-60
ED, MW (共催)	2010-01-14 13:40	東京	機械振興会館	Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 ○水江千帆子・堀　祐臣・橋詰　保（北大） ED2009-185 MW2009-168	[more]	ED2009-185 MW2009-168 pp.61-64
ED, MW (共催)	2010-01-14 14:05	東京	機械振興会館	HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林　慶寿・岸本　茂・水谷　孝（名大） ED2009-186 MW2009-169	時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more]	ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70
ED, MW (共催)	2010-01-14 14:40	東京	機械振興会館	再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs ○廣木正伸・前田就彦・重川直輝（NTT） ED2009-187 MW2009-170	[more]	ED2009-187 MW2009-170 pp.71-76
ED, MW (共催)	2010-01-14 15:05	東京	機械振興会館	AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT ○橋本　信・秋田勝史・田辺達也・中幡英章（住友電工）・竹田健一郎・天野　浩（名城大） ED2009-188 MW2009-171	[more]	ED2009-188 MW2009-171 pp.77-80
ED, MW (共催)	2010-01-14 15:30	東京	機械振興会館	閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET ○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC） ED2009-189 MW2009-172	パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した．... [more]	ED2009-189 MW2009-172 pp.81-85
ED, MW (共催)	2010-01-15 09:30	東京	機械振興会館	75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋　剛・牧山剛三・原　直紀（富士通） ED2009-190 MW2009-173	[more]	ED2009-190 MW2009-173 pp.87-92
ED, MW (共催)	2010-01-15 09:55	東京	機械振興会館	InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器 ○長谷宗彦・野坂秀之・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT） ED2009-191 MW2009-174	InP HBT技術により6 bit分解能を有する超高速のD/A変換器を実現した．高速化のためにD/A変換器をハーフレート... [more]	ED2009-191 MW2009-174 pp.93-97
ED, MW (共催)	2010-01-15 10:20	東京	機械振興会館	InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器～ベクトル合成型多相器の線形制御のために～ ○野坂秀之・長谷宗彦・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT） ED2009-192 MW2009-175	単一電圧制御かつ線形性の優れた制御特性を持つベクトル合成型移相器を実現するためには，擬似正弦波関数を発生するアナログ電圧... [more]	ED2009-192 MW2009-175 pp.99-103
ED, MW (共催)	2010-01-15 10:55	東京	機械振興会館	低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器 ○山本和也・岡村篤司・松塚隆之・吉井　泰・鈴木　敏・中山正敏・紫村輝之・吉田直人（三菱電機） ED2009-193 MW2009-176	本報告では，CDMA用に開発した低電圧・広帯域動作HBT電力増幅器(PA)の設計及び実験結果について述べる．本PAは，コ... [more]	ED2009-193 MW2009-176 pp.105-110
ED, MW (共催)	2010-01-15 11:20	東京	機械振興会館	50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ ○半谷政毅・垂井幸宣・加茂宣卓・檜枝護重（三菱電機） ED2009-194 MW2009-177	X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した．本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more]	ED2009-194 MW2009-177 pp.111-115
ED, MW (共催)	2010-01-15 11:45	東京	機械振興会館	WLCSP技術を用いた次世代通信向け高性能・低コストMMICの開発 ○藤田清次・今川昌樹・佐藤富雄・徳満恒雄・長谷川祐一（住友電工） ED2009-195 MW2009-178	Ku帯向けに、Wafer-Level chip sizeパッケージ技術を用いた、アップコンバータとダウンコンバータMMI... [more]	ED2009-195 MW2009-178 pp.117-121
SCE	2010-01-20 10:40	東京	機械振興会館	DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証 ○斎藤　淳・田中丈之・守屋雅隆・小林忠行・水柿義直（電通大）・前澤正明（産総研） SCE2009-24	現在，次世代交流電圧標準の実現に向けて，RSFQ型DA変換器による高精度波形合成に関する研究が行なわれている．本報告では... [more]	SCE2009-24 pp.1-5
SCE	2010-01-20 11:05	東京	機械振興会館	超伝導受信機を用いたテラヘルツ帯での高感度大気観測装置の開発 ○菊池健一（産総研/JAXA）・神代　暁・前澤正明・山田隆宏（産総研）・大坪史明（エイ・イー・エス/JAXA）・佐藤亮太・壺阪和義・西堀俊幸・水越和夫（JAXA）・入交芳久・落合　啓（NICT）・尾関博之（東邦大） SCE2009-25	SIS (Superconductor-Insulator-Superconductor) ミクサを用いた超伝導ヘテロダ... [more]	SCE2009-25 pp.7-10
SCE	2010-01-20 11:30	東京	機械振興会館	窒化ニオブ超伝導単一光子検出器とアバランシェフォトダイオードの時間ジッタ比較 ○関　忠聖・柴田浩行（NTT/阪大）・武居弘樹・都倉康弘（NTT）・井元信之（阪大） SCE2009-26	窒化ニオブからなる超伝導単一光子検出器(SSPD)と、InGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)の時間ジッタの測... [more]	SCE2009-26 pp.11-15
SCE	2010-01-20 13:00	東京	機械振興会館	バイクリスタル基板を用いたRF-SQUIDの製作及び評価 ○関　天放・下中将之・孔　祥燕・中谷悦啓・牧　哲朗・糸崎秀夫（阪大） SCE2009-27	RF-SQUIDは高い感度と広い帯域幅を持つ。これまではステップエッジ接合を用いてRF-SQUIDの作製が一般的に行われ... [more]	SCE2009-27 pp.17-20
SCE	2010-01-20 13:25	東京	機械振興会館	高温超電導SQUIDグラジオメーターを用いた多層導体の非破壊検査 ○河野丈治・波頭経裕・安達成司・押久保靖夫・塚本　晃・田辺圭一（国際超電導産技研センター） SCE2009-28	現在開発が行われているY系高温超電導ケーブルの非破壊検査をねらいとし、その第一段階として、各層を絶縁したアルミ多層導体に... [more]	SCE2009-28 pp.21-25
SCE	2010-01-20 13:50	東京	機械振興会館	冷却銅コイル/高温超伝導検出コイルと結合したSQUIDの特性 ○辻　裕介・平川慎太郎・百冨隆二・松尾政晃・円福敬二（九大） SCE2009-29	冷却した銅線または高温超伝導テープで作製した検出コイルと高温超伝導SQUIDを結合したマグネトメータの性能評価を行った。... [more]	SCE2009-29 pp.27-32
SCE	2010-01-20 14:15	東京	機械振興会館	磁気マーカーの交流磁化率測定を用いた液相免疫検査法の開発 ○玉井悠也・御嶽　哲・釈迦野　佑・松尾政晃・吉田　敬・円福敬二（九大） SCE2009-30	磁気マーカーの溶液中でのブラウン緩和特性を用いた液相免疫検査法を開発した。結合マーカーと未結合マーカーは異なるブラウン緩... [more]	SCE2009-30 pp.33-38
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-28 10:05	東京	東芝本社	ダイナミック光再構成型ゲートアレイのブロック再構成 ○瀬戸大作・渡邊　実（静岡大） ICD2009-106	[more]	ICD2009-106 pp.19-23
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-28 13:15	東京	東芝本社	［招待講演］SPARC64TM VIIIfx：富士通次期スーパーコンピュータプロセサ ○山下英男・本車田　強・森田國樹・渡邉　輝・岡野　廣・坂本真理子・直島康浩・中田達己・青木直純・丸山拓巳・浅川岳夫・長澤　茂・青木正樹・井上愛一郎（富士通） ICD2009-107	富士通の次期スーパーコンピュータに搭載されるプロセサSPARC64TM VIIIfxを開発した。このプロセサは 45nm... [more]	ICD2009-107 pp.35-37
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-28 14:00	東京	東芝本社	［招待講演］超並列マルチコアGPUを用いた高速演算処理の実用化～ 512個の32/64-bitプロセッサ・コアを1チップに集積したGPUの数値演算処理への応用～ ○馬路　徹（エヌビディア・ジャパン） ICD2009-108	PC/WS等に使用されるグラフィックスチップは、描画アルゴリズムの急速な進歩に対応するため、汎用の並列マルチコアGPUと... [more]	ICD2009-108 pp.39-44
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-28 14:45	東京	東芝本社	［招待講演］CELL REGZA TMにおけるマルチコアソフトウェア開発の実際 ○境　隆二・高山征大・加藤宣弘・島田智文（東芝） ICD2009-109	CELL REGZATM は、東芝がCell Broadband EngineTM†向けに開発してきたソフトウェア技術の... [more]	ICD2009-109 pp.45-49
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-28 15:45	東京	東芝本社	［パネル討論］最先端LSI技術をキラーアプリ創出にいかにつなげるか？ ○内山邦男（日立）・土屋憲司（東芝）・斎藤英彰（NEC）・山下英男（富士通）・馬路　徹（エヌビディア・ジャパン）・堺　隆二（日立）・門　勇一（NTT） ICD2009-110	[more]	ICD2009-110 p.51
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-29 13:25	東京	東芝本社	Developing an Architecture for a Single-Flux Quantum Based Reconfigurable Accelerator ○Farhad Mehdipour（Kyushu Univ.）・Hiroaki Honda（ISIT）・Hiroshi Kataoka・Koji Inoue・Kazuaki Murakami（Kyushu Univ.） ICD2009-111	ハイパフォーマンスコンピューティングの一つの解決法として大規模再構成可能データパス (LSRDP) プロセッサーを導入し... [more]	ICD2009-111 pp.99-104
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-29 13:50	東京	東芝本社	FPGA向きヘテロジニアスマルチコアプロセッサ: SIMD形アクセラレータコアとその評価 ○張山昌論・ハシタムトゥマラウィシディスーリヤ・松田岳久・亀山充隆（東北大） ICD2009-112	[more]	ICD2009-112 pp.105-108
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB (連催)	2010-01-29 14:30	東京	東芝本社	CMOSバンプ回路を用いた電流モード動きフィールド生成回路 ○プラバートウィーラワルダナ・柴田　直（東大） ICD2009-113	その高い計算コストのため、従来リアルタイムで生成することが難しいといわれたブロック・マッチング法を用いたオプティカル・フ... [more]	ICD2009-113 pp.109-114
SDM	2010-02-05 10:05	東京	機械振興会館	［基調講演］三次元集積化技術の課題と展望 ○小柳光正・福島誉史・李　康旭・田中　徹（東北大） SDM2009-182	(事前公開アブストラクト) [more]	SDM2009-182 pp.1-6
SDM	2010-02-05 10:50	東京	機械振興会館	耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林　喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） SDM2009-183	28ｎｍ世代以降の最先端ＬＳＩや車載用途などの高い信頼性が必要とされるＬＳＩに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたＣｕダマシ... [more]	SDM2009-183 pp.7-11
SDM	2010-02-05 11:20	東京	機械振興会館	EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山　肇・田中雄介・河村大輔・隣　真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森　一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-184	本報告においては、EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った... [more]	SDM2009-184 pp.13-18
SDM	2010-02-05 13:00	東京	機械振興会館	Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 ○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木　繁・筒江　誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡　好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武　浩（ルネサステクノロジ）・松本　晋・上田哲也（パナソニック） SDM2009-185	テクノロジーノードが32nm以細のデバイスにおいて、配線の実効誘電率を低減するため、Porous Low-k膜を直接研磨... [more]	SDM2009-185 pp.19-23
SDM	2010-02-05 13:30	東京	機械振興会館	CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 ○井口　学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） SDM2009-186	CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜（k=2.4）と低誘電率積層バリア膜（k=3.9）を用いた32nmノード配線構... [more]	SDM2009-186 pp.25-29
SDM	2010-02-05 14:00	東京	機械振興会館	低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林　裕美・松永範昭・和田　真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉　桂・柴田英毅（東芝） SDM2009-187	Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、... [more]	SDM2009-187 pp.31-36
SDM	2010-02-05 14:30	東京	機械振興会館	Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性 ○大森和幸・森　健壹・前川和義（ルネサステクノロジ）・小濱和之・伊藤和博（京大）・大西　隆・水野雅夫（神戸製鋼所）・浅井孝祐（ルネサステクノロジ）・村上正紀（学校法人立命館）・宮武　浩（ルネサステクノロジ） SDM2009-188	プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる．我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線... [more]	SDM2009-188 pp.37-41
SDM	2010-02-05 15:15	東京	機械振興会館	次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 ○山道新太郎・森　健太郎・菊池　克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC） SDM2009-189	インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ－パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5～... [more]	SDM2009-189 pp.43-48
SDM	2010-02-05 15:45	東京	機械振興会館	低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林　喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） SDM2009-190	陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である．陽電子が電子と対消滅する... [more]	SDM2009-190 pp.49-52
SDM	2010-02-05 16:15	東京	機械振興会館	多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 ○小寺雅子・高橋琢視・南幅　学（東芝） SDM2009-191	近年の高速LSIデバイスでは多孔質低誘電率膜が絶縁膜として使用されるが，加工中に誘電率が変化することが問題である．本研究... [more]	SDM2009-191 pp.53-58
SDM	2010-02-05 16:45	東京	機械振興会館	Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） SDM2009-192	Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-... [more]	SDM2009-192 pp.59-63
OPE, OFT (共催)	2010-02-26 09:20	東京	機械振興会館	半導体光増幅器内で発生するチャーピングの伝送特性に及ぼす影響 ○北村　圭・松浦基晴・來住直人（電通大） OFT2009-83 OPE2009-224	波長変換後の信号の伝送特性について検討する．波長変換方式として，半導体光増幅器を用いた相互利得変調の方式と非線形偏波回転... [more]	OFT2009-83 OPE2009-224 pp.1-6
OPE, OFT (共催)	2010-02-26 09:45	東京	機械振興会館	半導体光増幅器を用いた波長変換とマルチキャスティングによるフェーズドアレイアンテナの制御法 ○ナナンクリスディアント・松浦基晴・來住直人（電通大） OFT2009-84 OPE2009-225	光ファイバ無線システム用のフェースドアレイアンテナのビーム制御に使われる全光型波長変換とマルチキャスティングの研究を行っ... [more]	OFT2009-84 OPE2009-225 pp.7-11

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