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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2017-10-20 11:05 |
秋田 | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 | マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器 ○山中宏治・弥政和宏・半谷政毅・内海博三・西原 淳・本間幸洋（三菱電機）・佐々木謙治（宇宙システム開発利用推進機構）  EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62 |
マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている．マイクロ波送電技術を実用化するに... [more] | EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62 pp.117-122 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 ○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治（三菱電機） ED2012-121 MW2012-151 |
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] | ED2012-121 MW2012-151 pp.49-52 |
| MW | 2012-06-29 14:00 |
岐阜 | 岐阜大学 | C帯220W高効率GaN増幅器 ○前原宏昭・山中宏治・小坂尚輝・西原 淳・川嶋慶一・中山正敏（三菱電機） MW2012-22 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2012-22 pp.19-24 |
| MW | 2012-03-01 13:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-175 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2011-175 pp.41-46 |
| EMCJ, MW, EST (共催) |
2011-05-26 14:35 |
東京 | 情報通信研究機構 | 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） ED2010-179 MW2010-139 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | ED2010-179 MW2010-139 pp.23-28 |
| MW | 2008-08-28 13:45 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器 ○山中宏治・湯川秀憲・井上 晃（三菱電機） MW2008-84 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研... [more] | MW2008-84 pp.31-36 |
| MW | 2008-06-27 14:50 |
愛知 | 豊橋技科大 | 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討 ○山中宏治・能登一二三・木村実人・山内和久・加茂宣卓・桑田英悟・大塚浩志・井上 晃（三菱電機） MW2008-44 |
高調波処理（高調波整合）によるGaN HEMTの高効率動作について報告する．GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] | MW2008-44 pp.69-74 |
| SCE, MW (共催) |
2008-04-22 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMT広帯域高効率増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・津山祥紀・茶木 伸・井上 晃（三菱電機） SCE2008-10 MW2008-10 |
GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることで... [more] | SCE2008-10 MW2008-10 pp.53-58 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・森 一富・能登一二三（三菱電機） ED2007-210 MW2007-141 |
GaN HEMTを用いたC帯高出力増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカ... [more] | ED2007-210 MW2007-141 pp.23-28 |
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