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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 14:25 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | ［招待講演］紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展 ○吉田治正・武富浩幸・青木優太・高木康文・杉山厚志・桑原正和・山下陽滋・大河原 悟・前田純也（浜松ホトニクス）  R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 |
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する．ま... [more] | R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 pp.35-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 量子ドット組成混合導波路を集積した1550nm帯量子ドットレーザの検討 ○松井信衞・武井勇樹（早大）・松本 敦・赤羽浩一（NICT）・松島裕一・石川 浩・宇髙勝之（早大） OPE2016-11 LQE2016-21 |
我々は能動・受動素子の光集積回路化を見据え、多重積層量子ドット(QD)基板においてイオン注入と熱処理による組成混合技術 ... [more] | OPE2016-11 LQE2016-21 pp.11-14 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］光負帰還による単一モード半導体レーザの位相ノイズ低減 ○八坂 洋・青山康之祐・横田信英（東北大） OPE2016-14 LQE2016-24 |
半導体レーザのスペクトル線幅および位相ノイズを低減する手法として光負帰還法を提案し，スペクトル線幅および位相ノイズの低減... [more] | OPE2016-14 LQE2016-24 pp.25-30 |
| QIT (第二種研究会) |
2016-05-30 13:00 |
高知 | 高知工科大学永国寺キャンパス | ［ポスター講演］パラメトリック蛍光励起用半導体レーザーの作製 ○宮本洋子・舘野博直・宍戸宏樹・中川賢一（電通大） |
パラメトリック蛍光の励起光源として、波長 405 nm の外部共振器付半導体レーザーを作製した。 パワーはビーム整形前... [more] |
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| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2016-02-18 09:05 |
沖縄 | 沖縄大学 | 半導体レーザの直接変調と偏頗保持ファイバ型FBGファブリ・ペロー干渉計を用いた高速な温度とひずみの同時計測 ○和田 篤・田中 哲・髙橋信明（防衛大） OFT2015-55 OPE2015-215 |
偏波保持ファイバ上に書き込んだファイバブラッググレーティング(PM-FBG)を用いると、温度とひずみなど、二つの物理パラ... [more] | OFT2015-55 OPE2015-215 pp.1-4 |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 10:55 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 ○只野翔太郎・金子貴晃・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久（東工大） PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 |
長波長帯トランジスタレーザ（TL）は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モー... [more] | PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 pp.21-26 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 13:20 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作 ○平谷拓生・井上大輔・冨安高弘・厚地祐輝・福田 快・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2015-1 |
近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で、配線層上部のグローバル配線において、信号遅延や発熱などが問題とな... [more] | LQE2015-1 pp.1-6 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 13:45 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 光負帰還原理を用いた超小型狭線幅半導体レーザ光源 ○青山康之祐・小林宗平・横田信英・八坂 洋（東北大） LQE2015-2 |
単一モード半導体レーザと光フィルタのみで構成する、光負帰還原理を用いた超小型狭線幅半導体レーザ光源を提案し、その特性を数... [more] | LQE2015-2 pp.7-12 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 13:25 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 ○岡田竜弥・神村盛太・野口 隆（琉球大） SDM2015-14 OME2015-14 |
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20－500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能で... [more] | SDM2015-14 OME2015-14 pp.53-55 |
| EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-01-30 09:00 |
大阪 | 大阪大学 豊中キャンパスΣホール | Single-Mode Operation of GaAsP Ring/Fabry-Perot Composite Cavity Semiconductor Lasers ○Ashim Kumar Saha・Masahiro Uemukai・Toshiaki Suhara（Osaka Univ.） PN2014-64 OPE2014-189 LQE2014-176 EST2014-118 MWP2014-86 |
We designed and fabricated ring / Fabry-Perot composite cavi... [more] | PN2014-64 OPE2014-189 LQE2014-176 EST2014-118 MWP2014-86 pp.237-240 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 15:40 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | 外部共振器構造を導入した光制御型利得変調レーザの高速制御 ○三枝 慈・白鳥智史・横田信英（東北大）・小林 亘（NTT）・八坂 洋（東北大） OPE2014-148 LQE2014-135 |
光損失および位相を制御可能な外部共振器を集積した光制御型利得変調レーザ（OC-ECL）で， 飛躍的に3-dB帯域が拡大で... [more] | OPE2014-148 LQE2014-135 pp.47-50 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 11:50 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | ［招待講演］ECOC2014報告 -光アクティブデバイス関連- ○小林 亘（NTT） OCS2014-46 OPE2014-90 LQE2014-64 |
ECOC (European Conference on Optical Communication) 2014 (9月... [more] | OCS2014-46 OPE2014-90 LQE2014-64 pp.23-26 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 15:05 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | 偏光双安定VCSELを用いた全光型2ビットヘッダ識別による光パケットスイッチング ○林 大介・仲尾一也・片山健夫・河口仁司（奈良先端大） OCS2014-62 OPE2014-106 LQE2014-80 |
並列に配置した2つの1.55 $mu$m帯偏光双安定VCSELを用い、全光型2ビットヘッダ識別による光パケットスイッチン... [more] | OCS2014-62 OPE2014-106 LQE2014-80 pp.107-112 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 15:40 |
北海道 | 小樽経済センター | ［依頼講演］900nm帯高出力半導体レーザーバーの開発 ○影山進人・森田剛徳・鳥井康介・長倉建人・高氏基喜・前田純也・吉田治正（浜松ホトニクス） R2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35 |
固体レーザー,ファイバーレーザーの励起用光源や直接集光型レーザー加工用光源に用いられる,900 nm帯高出力半導体レーザ... [more] | R2014-31 EMD2014-36 CPM2014-51 OPE2014-61 LQE2014-35 pp.45-49 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 17:25 |
北海道 | 小樽経済センター | 磁界印加による面発光型半導体レーザの発振特性変化 ○飯島音浩（新潟大）・土井康平（東北学院大）・佐藤 孝・大河正志（新潟大） R2014-36 EMD2014-41 CPM2014-56 OPE2014-66 LQE2014-40 |
半導体レーザの発振波長は、組成や構造、レーザ温度、注入電流、磁界印加などにより変化することが知られている。本研究では、実... [more] | R2014-36 EMD2014-41 CPM2014-56 OPE2014-66 LQE2014-40 pp.67-70 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 09:35 |
北海道 | 小樽経済センター | ［招待講演］紫外半導体レーザーの現状と展望 吉田治正・○青木優太・桑原正和・山下陽滋・鳥井康介・杉山厚志・森田剛徳（浜松ホトニクス） R2014-37 EMD2014-42 CPM2014-57 OPE2014-67 LQE2014-41 |
紫外レーザーダイオード(LD)の現状として，我々が進めてきたAlGaN系紫外LDの短波長化を中心に述べ，さらに最近の成果... [more] | R2014-37 EMD2014-42 CPM2014-57 OPE2014-67 LQE2014-41 pp.71-75 |
| OCS | 2014-07-31 10:45 |
東京 | 東京工業大学 大岡山キャンパス 蔵前会館 | レーザのスペクトラム純度の評価に関する考察 ～ 線幅測定と光周波数雑音スペクトラムの関係について ～ ○四方 誠・森 常雄・深尾和弘・稲垣 誠（SYCATUS） OCS2014-28 |
通信用レーザのスペクトラム純度の評価指標として、これまで光スペクトラム線幅が用いられてきたが、光通信方式の高度化に伴い、... [more] | OCS2014-28 pp.15-20 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-22 14:25 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送 ○松田 学・植竹理人・下山峰史・奥村滋一・高林和雅・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2014-3 |
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] | LQE2014-3 pp.9-13 |
| NLP | 2014-01-22 10:00 |
北海道 | ニセコパークホテル | 低周波不規則振動で同期した半導体レーザカオスにおけるLeader-Laggard関係の定常解解析 ○菅野円隆・樋田拓也・内田淳史（埼玉大） NLP2013-146 |
時間遅延された相互結合半導体レーザの低周波不規則振動状態における同期への過渡ダイナミクスを，伝搬時間に相当する時系列の相... [more] | NLP2013-146 pp.93-98 |
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