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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SSS 2013-12-19
13:40
東京 明治大学 紫紺館3階 多目的メタヒューリスティクスの送電系統拡張計画への応用
角田広樹・○森 啓之田村 滋福山良和明大SSS2013-29
本稿では、多目的メタヒューリスティクスを用いた送電系統拡張計画のための新しい手法を提案する。ここでは、複数の目的関数であ... [more] SSS2013-29
pp.5-8
SDM 2013-11-14
13:50
東京 機械振興会館 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝SDM2013-102
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] SDM2013-102
pp.15-20
EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT
(共催) [詳細]
2013-07-18
17:20
北海道 稚内総合文化センター [特別招待講演]グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術
佐野栄一北大MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18
炭素六員環構造の単原子層からなるグラフェンは、その特異な電子構造のため物理実験のプラットホームとして興味深く、さらには高... [more] MW2013-59 OPE2013-28 EST2013-23 MWP2013-18
pp.77-82
NLP 2013-03-15
09:00
千葉 千葉大学 西千葉キャンパス 経済時系列データモデルの性能比較と金融商品への応用
中野友希白田卓史森 康久仁松葉育雄千葉大NLP2012-160
時系列データを解析する際にモデルを用いて定式化することがある.現在までに多くのモデルが提案されており,金融工学など様々な... [more] NLP2012-160
pp.81-86
SDM 2012-11-16
13:25
東京 機械振興会館 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション
久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JSTSDM2012-109
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研... [more] SDM2012-109
pp.53-58
VLD, CAS, MSS, SIP
(共催)
2012-07-02
14:30
京都 京都リサーチパーク モンテカルロシミュレーションによるソフトエラー率の数量的評価手法
矢野 憲福岡大/JST)・林田隆則福岡大)・佐藤寿倫福岡大/JSTCAS2012-11 VLD2012-21 SIP2012-43 MSS2012-11
本研究では論理回路のSER(Soft Error Rate)の解析を正確に行う数量的評価手法を提案する。提案する手法は仮... [more] CAS2012-11 VLD2012-21 SIP2012-43 MSS2012-11
pp.61-66
ED 2011-12-14
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] ED2011-101
pp.7-12
SDM 2011-11-11
10:00
東京 機械振興会館 モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション
久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JSTSDM2011-120
将来のナノスケールSi-MOSFET は薄膜やワイヤ,さらに多重ゲート型など熱伝導性の悪い構造を取るため,デバイス内部の... [more] SDM2011-120
pp.27-31
SDM, ED
(共催)
2011-02-23
16:05
北海道 北海道大学 百年記念会館 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析
沖川侑揮大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2010-197 SDM2010-232
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] ED2010-197 SDM2010-232
pp.31-36
ED 2010-12-17
11:15
宮城 東北大学 電気通信研究所 ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の... [more] ED2010-168
pp.59-64
ED 2009-11-29
15:30
大阪 大阪科学技術センター モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響
遠藤 聡渡邊一世NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2009-163
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長Lg の短縮,及び短チャネル効果を抑制す... [more] ED2009-163
pp.19-23
SDM 2009-11-13
10:00
東京 機械振興会館 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響
鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・谷口研二阪大SDM2009-142
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] SDM2009-142
pp.39-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
11:15
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計
酒井亮輔岡井智隆塩島謙次葛原正明福井大ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
pp.109-114
VLD 2008-09-30
10:00
石川 金沢商工会議所会館 [招待講演]順序統計量のEDAへの応用とノンパラメトリック統計的タイミング解析
今井正紀半導体理工学研究センター/東工大VLD2008-53
本論文は筆者が東工大において社会人博士として行なった研究結果をまとめ, DAC2008で発表した``Non-Parame... [more] VLD2008-53
pp.37-42
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:25
東京 機械振興会館 Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
竹田 裕NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・羽根正巳NECVLD2007-58 SDM2007-202
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] VLD2007-58 SDM2007-202
pp.37-41
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
09:00
福井 福井大学 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討
酒井亮輔西田猛利塩島謙次葛原正明福井大ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66
多段および傾斜フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカル... [more] ED2007-165 CPM2007-91 LQE2007-66
pp.47-52
R 2007-06-22
14:30
東京 機械振興会館 ソフトウェアデバッグシミュレーションモデルにおける未知パラメータのキャリブレーション法に関する一考察
中嶋浩人木村光宏法政大R2007-17
本研究では,ソフトウェア信頼性評価のための時系列データを生成するモンテカルロシミュレーションモデルに含まれる,制御パラメ... [more] R2007-17
pp.19-24
R 2006-10-20
14:50
福岡 九州大学 疫病感染リスク解析
豊坂祐樹藤尾光彦廣瀬英雄九工大
21世紀人類が直面する恐れのあるパンデミックインフルエンザ,あるいはテロ行為による疫病感染拡散などに対してその社会的影響... [more] R2006-29
pp.13-17
MBE 2005-01-29
10:25
福岡 九州工大 遺伝子調節系の確率的ダイナミクス
下川哲也阪大
遺伝子調節系の仕組みを明らかにする上で,その調節系を構成する各分子数の時間的変化を追っていくことは非常に重要なことである... [more] MBE2004-77
pp.17-20
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