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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
RECONF, CPSY, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2015-01-29
17:40
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 電源電圧としきい値電圧の同時最適化が集積回路の消費エネルギーに与える影響の解析
竹下俊宏西澤真一Islam AKM Mahfuzul石原 亨小野寺秀俊京大VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62
トランジスタの電源電圧としきい値電圧をアプリケーションやチップの動作状況に応じて適切に設定することにより,集積回路の消費... [more] VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62
pp.111-116
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
IT 2014-09-19
10:15
千葉 千葉県 鳩山荘 松庵 ある多数決ルールを用いた不正者全員の特定が可能な(k,n)しきい値法
島崎憲明古賀弘樹筑波大IT2014-44
$(k,n)$しきい値法では$n$個のシェアのうち任意の$k$個のシェアが集まれば秘密を復元できるが,$k$個の中に改ざ... [more] IT2014-44
pp.19-24
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
大島 梓岸田 亮籔内美智太郎小林和淑京都工繊大SDM2014-79 ICD2014-48
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい
る。本研究では, 65nm バルク・S... [more]
SDM2014-79 ICD2014-48
pp.93-98
EMM 2014-05-15
14:30
東京 東京理科大 葛飾キャンパス 圧縮センシングを利用した画像表現に基づく秘密分散法
新見道治井﨑真也野田秀樹九工大EMM2014-2
IT技術の発展にともない,文章,画像,音声等の種々のデータがディジタル化され,コンピュータ上に保管されている.重要なメデ... [more] EMM2014-2
pp.5-10
NLP 2014-03-10
11:15
東京 上智大学 周期矩形波外力により駆動されるヒステリシス素子を持つ弛張発振器の一考察
栗原拓哉神野健哉日本工大NLP2013-167
本稿では,同期現象の解析のためヒステリシス素子を有する弛張発振器の解析を行う.
この弛張発振器はヒトの睡眠-覚醒モデル... [more]
NLP2013-167
pp.15-20
SDM 2014-01-29
13:55
東京 機械振興会館 [招待講演]110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析
水谷朋子クマール アニール平本俊郎東大SDM2013-142
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した.その結果,定電流法で定義された ... [more] SDM2013-142
pp.31-34
SDM 2013-12-13
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察
金藤夏子矢野裕司大澤 愛畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-132
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが,しきい値電圧の... [more] SDM2013-132
pp.97-100
EMM, ISEC, SITE, ICSS
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(併催)
(連催) [詳細]
2013-07-19
09:10
北海道 札幌コンベンションセンター ゲートウェイ型しきい値パスワード鍵共有の構成に関する一考察
小林佑行矢内直人西出隆志岡本栄司筑波大ISEC2013-35 SITE2013-30 ICSS2013-40 EMM2013-37
クラウドにおいて認証は重要な技術の1つであり,短く覚えやすいパスワードを秘密鍵として使える性質はどこでも利用できるという... [more] ISEC2013-35 SITE2013-30 ICSS2013-40 EMM2013-37
pp.247-254
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2013-05-16
09:00
福岡 北九州国際会議場 レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法
張 宇中武繁寿北九州市大VLD2013-1
ナノスケール·プロセスでは、
Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル... [more]
VLD2013-1
pp.1-6
IT, ISEC, WBS
(共催)
2013-03-08
11:20
大阪 関西学院大学 大阪梅田キャンパス (k,n)しきい値法における多数決を用いた不正検出方式とその性能評価
島崎憲明古賀弘樹筑波大IT2012-91 ISEC2012-109 WBS2012-77
秘密分散法のひとつである$(k,n)$しきい値法では,高々$k-1$次の生成多項式
を用いることで秘密を$n$個のシェ... [more]
IT2012-91 ISEC2012-109 WBS2012-77
pp.181-188
IT, ISEC, WBS
(共催)
2013-03-08
15:10
大阪 関西学院大学 大阪梅田キャンパス しきい値復号法によるSpinal符号
森島 佑岡 育生阿多信吾阪市大IT2012-109 ISEC2012-127 WBS2012-95
Spinal 符号はレートレス符号の新たなクラスであり, 加法性白色ガウス雑音通信路において通信路容量に漸近するレートを... [more] IT2012-109 ISEC2012-127 WBS2012-95
pp.297-302
EMM 2013-01-30
11:10
宮城 東北大学 記号列に対する変換に基づく秘密分散法
津久井香奈横尾英俊群馬大EMM2012-100
現実のデータの多くは,本質的には記号列である.本研究では,そのような記号
列に対する実用的な秘密分散法を提案する.記号... [more]
EMM2012-100
pp.53-58
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
RCS, NS, USN
(併催)
2012-07-19
13:20
岩手 岩手大学 LTE-Advanced下りリンクにおけるアウターループしきい値制御を用いるAMCを適用した場合の4-by-2 MU-MIMOのユーザペア選択に関する実験評価
齊藤敬佑柿島佑一川村輝雄岸山祥久NTTドコモ)・田岡秀和ドコモ欧州研)・安藤英浩NTTドコモRCS2012-79
本稿では,OFDMAを用いるLTE-Advanced下りリンクにおいて,MMSE (Minimum Mean Squar... [more] RCS2012-79
pp.25-30
ICD 2012-04-24
14:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計
小田部 晃伊藤清男竹村理一郎土屋龍太日立)・堀口真志ルネサス エレクトロニクスICD2012-15
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに,しきい値ばらつきを低減する技術として,完全... [more] ICD2012-15
pp.79-84
NLP 2012-04-20
11:10
三重 いせシティプラザ ヒステリシス領域分割最適化法の基本特性
神野健哉日本工大)・久保田将史斎藤利通法政大NLP2012-15
最適化問題を解くための新たな最適解探索アルゴリズムとして、目的関数の設計変数の定義域を適切に分割して探索する、領域分割最... [more] NLP2012-15
pp.79-82
MBE 2012-01-27
12:00
福岡 九州大学 反辞書符号化法を用いた不整脈検出法におけるしきい値の自動設定法
太田隆博丸山清勝小田切真也長野県工科短大)・森田啓義電通大MBE2011-82
反辞書符号化法は,無ひずみデータ圧縮法の一つで特に心電図データに対してよい圧縮性能を持つことが知られており,これを用いた... [more] MBE2011-82
pp.21-26
NLP 2011-11-09
14:30
沖縄 宮古島マリンターミナル2F研修室 しきい値制御を有するチャージポンプの動作解析
遠藤貴斗斎藤利通法政大NLP2011-101
本論文では、しきい値制御を有するチャージポンプの提案と基本的な動作解析を行う。
しきい値制御を有するチャージポンプは、... [more]
NLP2011-101
pp.55-59
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
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