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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2017-07-07 13:50 |
東京 | 東京工業大学 | 低消費電力MTJ用の負の超磁歪を有するSmFe2薄膜の作製と評価 ○冨田誠人・石谷優剛・高村陽太・中川茂樹（東工大）  MR2017-13 |
[more] | MR2017-13 pp.13-18 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2017-06-08 16:50 |
宮城 | 東北大学 | ハーフメタル・フルホイスラー合金Co2FeSiを用いた垂直磁化型MTJ構造の作製 篠原光貴・高村陽太・○中川茂樹（東工大） |
[more] | |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2016-07-14 15:30 |
石川 | 金沢大学 (7/14)，しいのき迎賓館 (7/15) | ラミネート法を用いた半透明ポリマーEL素子の作製 西岡酉樹・○中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2016-29 |
ラミネート法による半透明ポリマーELデバイスの作製について検討した．陽極と陰極の両電極としてindium-tin-oxi... [more] | OME2016-29 pp.19-22 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 14:15 |
東京 | 中央大学 | Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 ○篠原光貴・鈴木隆寛・高村陽太・中川茂樹（東工大） MR2016-16 |
強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホ... [more] | MR2016-16 pp.19-24 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 09:00 |
富山 | 富山大学 | 透明酸化物半導体IGZO自己整合縦形トランジスタ ○栗原史昂・岡田裕之・中 茂樹（富山大） EID2015-33 |
[more] | EID2015-33 pp.57-60 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 09:08 |
富山 | 富山大学 | 強磁性薄膜電極を持つ有機EL素子の基礎的検討 ○坂西和樹・中 茂樹・岡田裕之（富山大） EID2015-34 |
[more] | EID2015-34 pp.61-64 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 11:25 |
富山 | 富山大学 | Studies on correlation of surface and device properties of organic thin film transistors. ○Safizan Shaari・Shigeki Naka・Hiroyuki Okada（Univ. of Toyama） |
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| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-07-29 13:30 |
富山 | 富山大学工学部 | 有機半導体放射線検出器を用いた放射線分布測定の可能性検討 ○野上光博・高田英治（富山高専）・錦戸文彦（放射線医学総研）・岡田裕之・中 茂樹（富山大） OME2015-35 |
生体等価な放射線検出器の開発を目指し、有機シンチレータ上に有機フォトダイオード(OPD)を直接製作する検出器について検討... [more] | OME2015-35 pp.5-10 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-07-29 13:50 |
富山 | 富山大学工学部 | 青・緑色積層型有機フォトダイオードの作製 ○堰 和彦・中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2015-36 |
有機半導体は可視領域に特徴的な吸収をもち100 nm程度の薄膜で十分な光吸収が可能である。また強い光感受性から光センサへ... [more] | OME2015-36 pp.11-14 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-07-29 15:00 |
富山 | 富山大学工学部 | 異なる界面層を持つ有機薄膜トランジスタ ○サフィザン シャアリ・中 茂樹・岡田裕之（富山大） OME2015-38 |
[more] | OME2015-38 pp.23-27 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-07-10 16:10 |
東京 | 早稲田大学 | フルホイスラー合金Co2FeSiとCo2MnSiへの垂直磁気異方性の付与 ○高村陽太・松下直輝・篠原光貴・鈴木隆寛・藤野頼信（東工大）・園部義明（サムソン）・中川茂樹（東工大） MR2015-14 |
スピントロニクスデバイスに応用可能なスピン分極率が100%のハーフタル強磁性体として期待されているCo基フルホイスラー合... [more] | MR2015-14 pp.31-35 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2015-01-22 09:25 |
愛知 | 分子研（岡崎） | ［招待講演］波長選択型有機フォトダイオードの検討 ○中 茂樹・堰 和彦・岡田裕之（富山大） OME2014-81 |
有機光学材料は、高光感受性、大きな吸収係数の特徴から、膜厚100 nm程度で充分な光吸収が可能である。また、材料により波... [more] | OME2014-81 pp.31-35 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 09:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］ワイヤレスセンサネットワーク向け超低消費電力2ステップウェイクアップ受信機 ○阿部敬之・佐藤多俊・中村重紀・堀内陽一郎・今村幸司（パナソニック） SDM2014-63 ICD2014-32 |
センサーネットワークにおいて，無線回路の受信待受け消費電力の削減が課題であり，その解決策としてウェイクアップ無線受信機が... [more] | SDM2014-63 ICD2014-32 pp.5-9 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-07-17 13:00 |
東京 | 東京工業大学 | [Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の磁気異方性のMgO基板結晶方位依存性 ○松下直輝・藤野頼信・高村陽太（東工大）・園部義明（サムスン）・中川茂樹（東工大） MR2014-8 |
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金Co2MnSi(CMS)とPdの人工格子を異なる面方位の単結晶MgO基板上に... [more] | MR2014-8 pp.1-5 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 10:20 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 透明有機EL素子における陰極構造の検討 ○佐野弘尚・中 茂樹・岡田裕之（富山大） EID2013-25 |
透明有機ELにおける陰極構造の検討を行った。陰極構造として金属薄膜/MoO3/IZO構造を導入し、MoO3によるIZOス... [more] | EID2013-25 pp.101-104 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 10:28 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 誘電体/金属/誘電体透明電極を用いた有機EL素子 ○坂西和樹・中 茂樹・岡田裕之（富山大） EID2013-26 |
[more] | EID2013-26 pp.105-108 |
| COMP | 2013-12-21 09:55 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター | 既存点までの距離誤差を最小にする点位置発見アルゴリズム ○中村茂幹・浅野哲夫（北陸先端大）・Siu-Wing Cheng（HKUST） COMP2013-49 |
平面に$n$個の点が配置されているときに，新たな1点を挿入する問題を考える．新たに挿入する点と既に配置された各点との間に... [more] | COMP2013-49 pp.63-68 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-11-15 15:20 |
東京 | 早稲田大学 | Si/NiFe配向制御層を用いたグラニュラー媒体のRu中間層厚低減化手法 ○酒井秀忠・佐縁馬 岳・中川茂樹（東工大） MR2013-21 |
[more] | MR2013-21 pp.17-22 |
| IA | 2013-10-22 13:40 |
東京 | 東京大学先端知ビル 5F 武田ホール | 地震観測データ流通システムJDXnetの現状とクラウド化 卜部 卓・○鷹野 澄・鶴岡 弘・中川茂樹（東大） IA2013-45 |
日本列島には約1200の高感度地震観測点と約120の広帯域地震観測点が設置され，日本列島周辺で発生した微小地震から巨大地... [more] | IA2013-45 pp.21-23 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 14:55 |
東京 | 中央大学 | FeCoB膜の異方性内部応力形成観測と高磁気異方性の関係 ○林原久憲・饒平名礼生・中川茂樹（東工大） MR2013-9 |
i/Ru/FeCoB膜において形成される異方的な内部応力と磁気異方性との関係について評価した。ターゲット～基板間距離やス... [more] | MR2013-9 pp.19-24 |
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