| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-03 10:50 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | ［招待講演］パッケージ基板の層間接続ビア構造における電源インピーダンス低減技術 ○赤星知幸・福盛大雅・水谷大輔・谷 元昭（富士通研）  CPM2015-136 ICD2015-61 |
LSIの電源ノイズ低減を目的としたパッケージ基板の電源配線ビア構造における開発技術を紹介する。LSIを搭載する多層ビルド... [more] | CPM2015-136 ICD2015-61 pp.51-54 |
| SDM | 2015-11-06 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について ○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-91 |
[more] | SDM2015-91 pp.39-43 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-27 15:30 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | ［招待講演］3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術 ○谷 元昭・中田義弘・神吉剛司・中村友二（富士通研） VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 |
[more] | VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 pp.101-106(VLD), pp.63-68(CPM), pp.63-68(ICD), pp.9-14(CPSY), pp.101-106(DC), pp.21-26(RECONF) |
| SDM | 2013-11-14 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響 ○園田賢一郎・佃 栄次・谷沢元昭・石川清志・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2013-103 |
[more] | SDM2013-103 pp.21-26 |
| ED | 2012-12-17 13:25 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 再配線を利用した77GHz帯高出力増幅器モジュールの開発 ○佐藤 優・石月義克・佐々木伸也・松村宏志・鈴木俊秀・谷 元昭（富士通研） ED2012-94 |
車載レーダや無線端末などへ適用可能な，ミリ波帯高出力増幅器（パワーアンプ）を実現する技術を開発した． ミリ波送受信機器... [more] |
ED2012-94 pp.7-10 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-29 09:50 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | ［招待講演］LSIパッケージ用高密度配線技術 ○谷 元昭・佐々木伸也（富士通研）・上西啓介（阪大） CPM2011-155 ICD2011-87 |
LSIパッケージ基板用の高密度配線を目的とした我々の開発技術を紹介する。絶縁膜上の配線形成では、絶縁膜表面に水酸基を形成... [more] | CPM2011-155 ICD2011-87 pp.35-40 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-57 SDM2007-201 |
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more] |
VLD2007-57 SDM2007-201 pp.33-36 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） VLD2007-59 SDM2007-203 |
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] | VLD2007-59 SDM2007-203 pp.43-46 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] | VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]