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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 13:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN ○Ji-Ho Park・Hiroshi Okada・Akihiro Wakahara・Yuzo Furukawa（Toyohashi Univ. of Tech.）・Yong-Tae Kim（Dankook Univ.）・Jonghan Song（KIST）・Ho-Jung Chang（Dankook Univ.）・Shin-ichiro Sato・Takeshi Ohshima（JAEA, Takasaki）  ED2009-82 SDM2009-77 |
[more] | ED2009-82 SDM2009-77 pp.141-144 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| AP | 2009-01-23 09:30 |
福岡 | 福岡大学 | FDTD法を用いた周期的フラクタル状多層媒質の電磁波伝搬解析 ○石川風生・園田 潤・海野啓明（仙台電波高専）・若原昭浩（豊橋技科大） AP2008-175 |
近年，フラクタル構造中の電磁波伝搬に関する研究が行われているが，そのほとんどが理論計算しか行われておらず，計算結果の妥当... [more] | AP2008-175 pp.145-149 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価 ○泉 佳太・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 |
Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circui... [more] | ED2008-7 CPM2008-15 SDM2008-27 pp.29-34 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-15 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価 ○松野文弥・畠中 奨・中西快之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） |
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり，光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more] | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究 ○河野達也・畠中 奨・伊藤幹記・若原昭浩・岡田 浩・石田 誠（豊橋技科大） |
本研究では、集積回路作製時の熱処理に耐えうるGaNを光デバイス層として用いることで、一連のプロセスにおいて電子・光の両デ... [more] | ED2006-30 CPM2006-17 SDM2006-30 pp.55-60 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 09:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性 ○若原昭浩・古川雄三・佐藤 淳・島田英里・箕原大介・米津宏雄（豊橋技科大） |
[more] | ED2006-31 CPM2006-18 SDM2006-31 pp.61-65 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more] | ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 pp.67-72 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製 ○太田成人・森崎祐二・文 秀榮・石地正義・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits：OEIC... [more] | ED2006-33 CPM2006-20 SDM2006-33 pp.73-78 |
| LQE, PN, OPE, OFT, EMT (共催) |
2006-02-02 11:10 |
兵庫 | 神戸大学 | 多層膜金属格子に励起される表面プラズモン ○松田豊稔・中村 隆（熊本電波高専）・若原昭浩（豊橋技科大）・奥野洋一・大津道歳・周山大慶（熊本大） |
[more] | PN2005-89 OFT2005-76 OPE2005-137 LQE2005-152 pp.23-28 |
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