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登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・降順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM	2010-06-22 14:35	東京	東京大学（生産研An棟）	GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 ○喜多浩之（東大/JST）・王　盛凱・李　忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海　明（東大/JST） SDM2010-43	[more]	SDM2010-43 pp.55-60
SDM	2009-06-19 13:00	東京	東京大学（生産研An棟）	金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海　明（東大/JST） SDM2009-32	Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more]	SDM2009-32 pp.33-38
OME	2008-10-31 14:15	東京	東大本郷工学部６号館３階セミナー室Ａ	水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上 ○横山孝理・朴　昌範・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海　明（東大） OME2008-53	[more]	OME2008-53 pp.15-20
SDM	2008-06-09 16:15	東京	東京大学(生産研 An棟)	MOS反転層モビリティの高精度評価 ○鳥海　明・喜多浩之（東大） SDM2008-45	[more]	SDM2008-45 pp.17-22
SDM	2008-06-10 10:55	東京	東京大学(生産研 An棟)	High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重　裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林　亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海　明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） SDM2008-51	[more]	SDM2008-51 pp.53-58
SDM	2007-06-08 13:35	広島	広島大学（学士会館）	Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木　翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海　明（東大） SDM2007-47	High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている．HfO2/Geは600℃での... [more]	SDM2007-47 pp.85-90
SDM	2006-06-22 14:15	広島	広島大学, 学士会館	還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 ○水林　亘・小川有人・生田目俊秀・佐竹秀喜・鳥海　明（産総研）	[more]	SDM2006-61 pp.107-111
ICD, SDM (共催)	2005-08-19 11:10	北海道	函館国際ホテル	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 ○門島　勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海　明（MIRAI-ASRC/東大）	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more]	SDM2005-148 ICD2005-87 pp.31-36

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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