| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-06-18 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2013-46 |
現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more] | SDM2013-46 pp.13-18 |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2012-06-21 11:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-50 |
本研究では，金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について，酸素化学ポテンシャル... [more] | SDM2012-50 pp.37-42 |
| SDM | 2009-06-19 11:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） SDM2009-30 |
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] | SDM2009-30 pp.21-26 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]