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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-06-19 15:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 ○大田晃生・劉 冲・荒井 崇・竹内大智・張 海・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2014-56 |
[more] | SDM2014-56 pp.69-73 |
| SDM | 2013-06-18 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 ○牧原克典・福岡 諒・張 海・壁谷悠希（名大）・大田晃生（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-53 |
[more] | SDM2013-53 pp.47-50 |
| SDM | 2013-06-18 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 ○大田晃生（広島大）・福嶋太紀・牧原克典（名大）・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-56 |
[more] | SDM2013-56 pp.61-66 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 08:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior ○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System ○Motoki Fukusima（Nagoya Univ.）・Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy ○Daichi Takeuchi・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）・Hirokazu Kaki・Tsukasa Hayashi（NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.,） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures ○Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM | 2012-06-21 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価 ○福嶋太紀（名大）・大田晃生（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2012-43 |
[more] | SDM2012-43 pp.1-6 |
| SDM | 2012-06-21 09:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2012-45 |
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にし... [more] | SDM2012-45 pp.13-16 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［招待講演］一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 ○牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大） ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 |
熱SiO2膜上のSi-QDs上にGeを選択成長させ、酸化・高温熱処理を施した後、SiH4-LPCVDを行うことによって、... [more] | ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 pp.1-6 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 ○竹内大智・牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大）・可貴裕和・林 司（日新電機） ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 |
[more] | ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 pp.95-98 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 15:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 ○岡田竜弥（琉球大）・東 清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大） ED2009-201 SDM2009-198 |
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] | ED2009-201 SDM2009-198 pp.29-33 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor ○Hideki Murakami・Syed Mahboob・Kiyotaka Katayama・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Yumehiro Hata・Akio Kuroda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-87 SDM2009-82 |
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] | ED2009-87 SDM2009-82 pp.161-164 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots ○Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Akira Kawanami・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-92 SDM2009-87 |
Silicon-quantum-dots (Si-QDs) with an areal density as high ... [more] | ED2009-92 SDM2009-87 pp.181-184 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用 ○島ノ江和広・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（広島大） ED2008-54 SDM2008-73 |
We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ul... [more] | ED2008-54 SDM2008-73 pp.77-80 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Electrical Detection of Si-Tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces ○S. Mahboob・Katsunori Makihara・Hirotaka Kaku・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki・Akio Kuroda（Hiroshima Univ.） ED2008-69 SDM2008-88 |
We successfully detected silicon-binding proteins such as Si... [more] | ED2008-69 SDM2008-88 pp.155-158 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 13:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4 ○Hirotaka Kaku・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2008-90 SDM2008-109 |
[more] | ED2008-90 SDM2008-109 pp.271-274 |
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