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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2011-09-22 15:45 |
大阪 | 大阪市中央公会堂 | Alq3有機EL素子のAl陰極/有機層界面におけるLiF挿入による過渡応答特性への影響 ○池田智文・梶井博武・大森 裕（阪大）  OME2011-45 |
[more] | OME2011-45 pp.21-24 |
| OME | 2011-09-22 16:10 |
大阪 | 大阪市中央公会堂 | ポリアルキルフルオレン有機発光トランジスタの電気的光学的特性の紫外光照射による影響 ○寺島大樹・楠本悠介・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2011-46 |
poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電... [more] | OME2011-46 pp.25-29 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］燐光有機EL素子の過渡EL特性 ○梶井博武・大森 裕（阪大） EMD2011-12 CPM2011-48 OME2011-26 |
燐光有機EL素子を作製し、変調電圧及び電流駆動特性に関する検討を行った。青色燐光有機EL素子の過渡EL特性は、素子面積の... [more] | EMD2011-12 CPM2011-48 OME2011-26 pp.23-27 |
| OME | 2011-03-08 11:20 |
大阪 | 阪大（コンベンションセンター） | poly[9,9-dioctylfluoren-co-(benzo-thiadiazole)]を用いた積層型高分子有機EL素子の過渡応答特性 ○小島世誠・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2010-81 |
[more] | OME2010-81 pp.21-24 |
| OME | 2010-07-29 15:25 |
山口 | 帝人(株) 先端技術開発センター 第五会議室 | Poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene)を用いた有機発光トランジスタの作製とその特性 ○小岩井恭平・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2010-44 |
poly [(9,9-dialkylfluorene-2,7-dyil)-co-(bithiophene)] (F8T2... [more] | OME2010-44 pp.23-28 |
| OPE, OME (共催) |
2009-11-13 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | 溶液プロセスで作製したポリフルオレン誘導体を用いた有機受光素子 濱嵜達成（阪大）・森宗太一郎（香川高専）・梶井博武・○大森 裕（阪大） OME2009-57 OPE2009-152 |
高分子材料は溶液プロセスで成膜が可能で、容易に素子作製ができる特徴がある。本研究ではポリフルオレンおよびその誘導体とフラ... [more] | OME2009-57 OPE2009-152 pp.25-28 |
| OME | 2009-10-23 10:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 ２１４号室 | 赤色蛍光材料と青色燐光材料を用いた白色有機EL素子の応答特性 ○高法田憲義・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2009-40 |
赤色蛍光材料4-(dicyanomethylene)-2-i-propyl-6-(1,1,7,7-tetramethyl... [more] | OME2009-40 pp.1-5 |
| OME | 2009-10-23 10:25 |
大阪 | 中央電気倶楽部 ２１４号室 | 高導電性ポリマー陽極上に作製した低分子有機EL素子の発光特性と劣化過程 ○白木秀憲（近畿大）・梶井博武（阪大）・林 光澤（近畿大）・大森 裕（阪大） OME2009-41 |
陽極材料として高導電性ポリマー poly(3,4-etylenedioxythiophene)-polystyrenes... [more] | OME2009-41 pp.7-11 |
| OME | 2009-10-23 10:50 |
大阪 | 中央電気倶楽部 ２１４号室 | ポリフルオレン系高分子EL素子における薄膜相や機能性ドーパントによる電気的光学的特性の変化 ○高田亮太郎・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2009-42 |
ポリフルオレン系導電性高分子であるpoly(9,9-dioctylfluorene) (PFO)を発光層として用いた高分... [more] | OME2009-42 pp.13-17 |
| ED | 2009-07-30 14:50 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | 有機光センサーデバイスの応用に向けた有機発光素子の過渡応答特性 ○梶井博武・高法田憲義・高田亮太郎・笠間大輔・大森 裕（阪大） ED2009-105 |
燐光及び蛍光有機EL素子を作製し、パルス電圧駆動時の過渡ELに関する検討を行った。基本的な応答特性を検証し、蛍光素子は、... [more] | ED2009-105 pp.19-22 |
| OME | 2009-05-22 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | フルオレン系共役ポリマーによるトップゲート型両極性有機電界効果トランジスタ ○梶井博武・小岩井恭平・広瀬遥平・大森 裕（阪大） OME2009-16 |
本研究では、有機電界効果トランジスタのソース・ドレイン電極に酸化インジウム錫（ITO）を用い、有機薄膜作製後に、ゲート絶... [more] | OME2009-16 pp.41-44 |
| OME | 2008-09-30 14:45 |
兵庫 | 情報通信研究機構 神戸研究所 | フルオレン系材料とフラーレン誘導体を用いた有機受光素子の周波数応答特性 ○濱嵜達成（阪大）・森宗太一郎（詫間電波高専）・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2008-46 |
[more] | OME2008-46 pp.19-22 |
| OME | 2008-09-30 16:20 |
兵庫 | 情報通信研究機構 神戸研究所 | ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性 ○広瀬遥平・梶井博武（阪大）・田村弘毅（東京応化）・大森 裕（阪大） OME2008-49 |
フルオレンとチオフェンのコポリマーであるpoly [(9,9-dialkylfluorene - 2,7- dyil)-... [more] | OME2008-49 pp.33-36 |
| OME | 2008-03-13 10:20 |
京都 | 京都リサーチパーク(KRP) | パルス電圧駆動による燐光有機EL素子の応答特性と色度可変型白色素子への応用 ○金原邦敏・関本康宏・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2007-90 |
青色燐光材料bis[(4,6-difuluorophenyl)-pyridinato-N,C2’](picolinate... [more] | OME2007-90 pp.7-10 |
| OME | 2007-09-20 13:25 |
兵庫 | 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 第三研究棟中会議室 | ゲル状ポリフルオレンを用いた熱転写法による有機EL素子特性の検討 ○笠間大輔・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2007-23 |
[more] | OME2007-23 pp.7-10 |
| OME | 2007-09-20 13:50 |
兵庫 | 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 第三研究棟中会議室 | 応力耐性の向上を目指した高導電性ポリマー電極による有機EL素子の作製と検討 ○関本康宏・梶井博武（阪大）・滋野安広・竹原直也・中川浩志（ホシデン）・大森 裕（阪大） OME2007-24 |
[more] | OME2007-24 pp.11-14 |
| OME | 2007-09-20 16:10 |
兵庫 | 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 第三研究棟中会議室 | n型有機トランジスタにおける絶縁層/半導体層界面、及び半導体層/電極界面に関する検討 ○福田翔平・梶井博武（阪大）・緒方寿幸・高橋元樹（東京応化）・大森 裕（阪大） OME2007-29 |
フラーレン誘導体を半導体層として持つn型有機トランジスタにおけるソース/ドレイン電極構造とポリマー絶縁膜が及ぼす影響につ... [more] | OME2007-29 pp.33-37 |
| OME, EID (共催) |
2007-03-05 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 低分子系有機EL素子における有機層/Al電極へのLiFとLiの電子注入効果 金 全健・○梶井博武・大森 裕（阪大） |
[more] | OME2006-135 EID2006-92 pp.19-24 |
| OME | 2006-09-25 10:00 |
兵庫 | 兵庫県立大学本部（中会議室） | 湿式法で作製したオリゴチオフェン有機トランジスタのポリマー絶縁膜界面の影響 ○奥谷 浩・梶井博武・福田翔平・大森 裕（阪大） |
[more] | OME2006-77 pp.1-5 |
| OME | 2006-09-25 13:30 |
兵庫 | 兵庫県立大学本部（中会議室） | 高導電性PEDOT:PSSとITOとの複合電極を用いた有機EL素子の特性 ○槇 秀樹・梶井博武・大森 裕（阪大） |
オールウェットプロセスで有機素子を作製するためには、陽極もウェットプロセスで作る必要性がある。またIndium Tin ... [more] | OME2006-83 pp.35-38 |
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