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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大）  SDM2012-68 ICD2012-36 |
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい．消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] | SDM2012-68 ICD2012-36 pp.29-32 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2012-69 ICD2012-37 |
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し，バルクMOSトランジスタ... [more] | SDM2012-69 ICD2012-37 pp.33-36 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） |
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Statistical Analysis of Current Onset Voltage (COV) Distribution of Scaled MOSFETs ○Tomoko Mizutani・Anil Kumar・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo） |
Distribution of current onset voltage (COV) as well as thres... [more] | |
| SDM | 2011-10-20 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ ○平本俊郎（東大） SDM2011-97 |
イントリンジックチャネル完全空乏型(FD) SOI MOSFETの統計的性質を実測し，従来のバルクMOSトランジスタと比... [more] | SDM2011-97 pp.1-4 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:00 |
富山 | 富山県民会館 | Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 ○水谷朋子・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-83 ICD2011-51 |
[more] | SDM2011-83 ICD2011-51 pp.65-68 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:25 |
富山 | 富山県民会館 | 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 ○Anil Kumar・水谷朋子（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-84 ICD2011-52 |
[more] | SDM2011-84 ICD2011-52 pp.69-73 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:20 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 ○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健（東大）・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-144 ICD2010-59 |
[more] | SDM2010-144 ICD2010-59 pp.111-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| SDM | 2009-11-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147 |
[more] | SDM2009-147 pp.67-71 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 ○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎（東大） SDM2009-105 ICD2009-21 |
(110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる．ナノワイヤFETはゲートオールア... [more] | SDM2009-105 ICD2009-21 pp.45-48 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大） ED2008-234 SDM2008-226 |
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] | ED2008-234 SDM2008-226 pp.59-62 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-09 17:15 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上 ○平本俊郎・清水 健・筒井 元（東大） SDM2008-47 |
[more] | SDM2008-47 pp.29-34 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 11:10 |
北海道 | 北見工業大学 | SOI膜厚5 nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ ○清水 健・平本俊郎（東大） SDM2007-160 ICD2007-88 |
(100)面極薄SOI MOSFETにおける移動度ユニバーサリティについて実験的に検討を行った。その結果、従来のバルクM... [more] | SDM2007-160 ICD2007-88 pp.107-111 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | (110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証 ○清水 健・更屋拓哉・平本俊郎（東大） |
(110)面pMOSFETはその移動度の高さから将来のCMOSテクノロジにおいて有用な選択肢の一つであるが、移動度のユニ... [more] | SDM2006-143 ICD2006-97 pp.105-109 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | 薄膜BOX 完全空乏型SOI MOSFET におけるばらつきの影響 ○大藤 徹（東大）・杉井信之（日立）・平本俊郎（東大） |
[more] | SDM2006-144 ICD2006-98 pp.111-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 11:10 |
北海道 | 函館国際ホテル | 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 ○筒井 元・齋藤真澄・平本俊郎（東大） |
短チャネル効果抑制の観点から，極薄SOI MOSFETは将来有望なデバイス構造として期待されている．極薄SOI MOSF... [more] | SDM2005-133 ICD2005-72 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET ○大藤 徹・南雲俊治（東大）・横山弘毅（東大/中大）・平本俊郎（東大） |
(事前公開アブストラクト) VTCMOS[1]はMOSの基板バイアス効果を使った有望な低電力化回路技術であり、待機消費電... [more] | SDM2005-134 ICD2005-73 pp.37-42 |
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