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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 10:55 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ［招待講演］強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討 ○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎（東大）  EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 |
[more] | EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 pp.51-54 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 10:30 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | ［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発 ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大） CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 |
[more] | CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 pp.17-21 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:05 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2016-67 ICD2016-35 |
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DI... [more] | SDM2016-67 ICD2016-35 pp.123-126 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 ○小林正治・チャン キュンミン・上山 望・平本俊郎（東大） SDM2016-68 ICD2016-36 |
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには，エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] | SDM2016-68 ICD2016-36 pp.127-130 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 11:45 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 ○小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-60 ICD2015-29 |
[more] | SDM2015-60 ICD2015-29 pp.15-18 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 11:45 |
熊本 | 熊本市 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-68 ICD2015-37 |
[more] | SDM2015-68 ICD2015-37 pp.59-62 |
| SDM | 2015-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ ○後藤正英・萩原 啓・井口義則・大竹 浩（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大） SDM2014-141 |
超高精細と高フレームレートとを両立できる次世代のイメージセンサを目指して、画素並列信号処理を行う３次元構造CMOSイメー... [more] | SDM2014-141 pp.25-28 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:00 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 ○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉（東大） SDM2014-71 ICD2014-40 |
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した．このデバイスでは，オン時にVthが低下し，オフ時に... [more] | SDM2014-71 ICD2014-40 pp.51-54 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2014-72 ICD2014-41 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] | SDM2014-72 ICD2014-41 pp.55-58 |
| ICD | 2014-04-18 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・水谷朋子・平本俊郎（東大） ICD2014-11 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | ICD2014-11 pp.53-57 |
| SDM | 2014-01-29 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析 ○水谷朋子・クマール アニール・平本俊郎（東大） SDM2013-142 |
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した．その結果，定電流法で定義された ... [more] | SDM2013-142 pp.31-34 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2013-74 ICD2013-56 |
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして，ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した．NMと... [more] | SDM2013-74 ICD2013-56 pp.43-46 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2013-75 ICD2013-57 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] | SDM2013-75 ICD2013-57 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:00 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 ○鈴木龍太・野末喬城・更屋拓也・平本俊郎（東大） ED2012-137 SDM2012-166 |
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] | ED2012-137 SDM2012-166 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
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