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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 10:30 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | ［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発 ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大）  CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 |
[more] | CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 pp.17-21 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:05 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2016-67 ICD2016-35 |
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DI... [more] | SDM2016-67 ICD2016-35 pp.123-126 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 ○小林正治・チャン キュンミン・上山 望・平本俊郎（東大） SDM2016-68 ICD2016-36 |
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには，エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] | SDM2016-68 ICD2016-36 pp.127-130 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 11:45 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 ○小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-60 ICD2015-29 |
[more] | SDM2015-60 ICD2015-29 pp.15-18 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 11:45 |
熊本 | 熊本市 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-68 ICD2015-37 |
[more] | SDM2015-68 ICD2015-37 pp.59-62 |
| SDM | 2015-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ ○後藤正英・萩原 啓・井口義則・大竹 浩（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大） SDM2014-141 |
超高精細と高フレームレートとを両立できる次世代のイメージセンサを目指して、画素並列信号処理を行う３次元構造CMOSイメー... [more] | SDM2014-141 pp.25-28 |
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