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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| QIT (第二種研究会) |
2011-11-22 12:40 |
大阪 | 大阪大学基礎工学研究科国際棟 | 確率論的に安全なチートセンシティブ・ビットコミットメントのための量子プロトコル ○清水 薫・玉木 潔（NTT）・井元信之（阪大基礎工） |
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| QIT (第二種研究会) |
2011-11-21 14:40 |
大阪 | 大阪大学基礎工学研究科国際棟 | ［ポスター講演］超伝導量子ビットを用いた量子ゼノン効果 ○松崎雄一郎・齊藤志郎・角柳孝輔・仙場浩一（NTT） |
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| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］SiC上グラフェンの物性評価 ○永瀬雅夫・日比野浩樹・影島博之・山口浩司（NTT）  ED2009-61 SDM2009-56 |
近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従... [more] | ED2009-61 SDM2009-56 pp.47-52 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ～ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ～ ○西口克彦・藤原 聡（NTT） ED2007-251 SDM2007-262 |
シリコンMOSFETを利用した確率的情報処理回路について報告する．ナノ・スケールMOSFETに流れる電流をアトアンペア以... [more] | ED2007-251 SDM2007-262 pp.75-79 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
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