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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 松澤 昭 (東工大)
副委員長 内山 邦男 (日立)
幹事 相本 代志治 (NECエレクトロニクス), 永田 真 (神戸大)
幹事補佐 藤島 実 (東大), 広瀬 佳生 (富士通研)

日時 2008年 4月17日(木) 09:25 - 17:00
2008年 4月18日(金) 10:00 - 16:35
議題 メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー) 
会場名 機会振興会館地下3階研修1号室 
住所 東京都港区芝公園3丁目5番8号
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分、都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/
お知らせ ◎4月17日(金)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

4月17日(木) 午前 
09:25 - 17:00
(1) 09:25-10:15 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ 佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝
(2) 10:15-11:05 [招待講演]NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM 山岡雅直日立)・前田徳章島崎靖久ルネサステクノロジ)・長田健一日立
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
(3) 11:15-12:05 [招待講演]833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM 加来真理子岩井 斎永井 健和田政春鈴木 淳高井智久糸賀尚子宮崎隆行岩井隆之東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治大塚伸朗東芝
  12:05-13:05 昼食 ( 60分 )
(4) 13:05-13:55 [招待講演]コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 白井浩樹石川亮佑伊藤雄一北村卓也竹内麻美佐甲 隆井上 顕川崎 澄勝木信幸星崎博之桑原愼一夏目秀隆坂尾眞人谷川高穂NECエレクトロニクス
(5) 13:55-14:20 43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発 中村 大神田和重小柳 勝山村俊雄細野浩司吉原正浩東芝)・三輪 達加藤洋介サンディスク)・Alex MakSiu Lung ChanFrank TsaiRaul CerneaBinh Leサンディスクコーポレーション)・牧野英一平 隆志東芝
(6) 14:20-15:10 [招待講演]SSD動向とNANDフラッシュメモリ 竹内 健東大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(7) 15:20-17:00 [パネル討論]大容量フラッシュメモリの可能性を探る 〜 進行するフラッシュ革命のインパクト 〜 梶谷一彦エルピーダメモリ)・篠崎直治Spansion)・柿原俊男日立グローバルストレージテクノロジーズ)・神田和重東芝)・小林三千夫Spansion)・佐圓 真日立)・杉林直彦NEC)・竹内 健東大)・塚澤寿夫東芝
4月18日(金) 午前 
10:00 - 16:35
(8) 10:00-10:25 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ 松藤謙介行川敏正中野浩明伊藤 洋和田 修大塚伸朗東芝
(9) 10:25-11:15 [招待講演]自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向 河井伸治細金 明久家重博阿部俊広橋本康平大石 司辻 直樹榊原清彦野口健二ルネサステクノロジ
(10) 11:15-12:05 [招待講演]電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 〜 マルチノードアップセット問題の対応 〜 伊部英史日立
  12:05-13:05 昼食 ( 60分 )
(11) 13:05-13:55 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子 大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝
(12) 13:55-14:20 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ 根橋竜介崎村 昇杉林直彦本庄弘明齊藤信作加藤有光笠井直記NEC
(13) 14:20-14:45 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ 崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明斉藤信作加藤有光笠井直記NEC
(14) 14:45-15:10 TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 中山昌彦甲斐 正下村尚治天野 実北川英二永瀬俊彦吉川将寿岸 達也池川純夫與田博明東芝
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(15) 15:20-16:10 [招待講演]二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 玉井幸夫シャープ)・島 久秋永広幸産総研)・細井康成大西茂夫粟屋信義シャープ
(16) 16:10-16:35 先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 〜 FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 〜 渡辺重佳湘南工科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 相本代志治 (NECエレクトロニクス)
TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878
E-:aicel 


Last modified: 2008-03-07 15:32:20


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