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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 内山 邦男 (日立)
副委員長 吉本 雅彦 (神戸大)
幹事 藤島 実 (東大), 広瀬 佳生 (富士通研)
幹事補佐 鈴木 弘明 (ルネサステクノロジ), 松岡 俊匡 (阪大), 岡田 健一 (東工大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大)

日時 2009年 7月16日(木) 09:55 - 16:15
2009年 7月17日(金) 09:30 - 17:55
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 
住所 〒152-8552 目黒区大岡山2-12-1
交通案内 東急大岡山駅前 [正門から会場まで徒歩10分]
http://www.titech.ac.jp/about/campus/o_map.html
お知らせ ◎17日(金)研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。 大学食堂2階 東京ケータリング
http://www.titech.ac.jp/about/campus/o_map.html
「大岡山東・西・南地区」の12番です。

7月16日(木) 午前 
09:55 - 12:15
(1) 09:55-10:00 オープニング
(2) 10:00-10:25 14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器 藤島 実夏苅洋平東大
(3) 10:25-10:50 A 100Mbps, 1.28mW Impulse Radio UWB Receiver with Charge-Domain Sampling Correlator in 0.18um CMOS Lechang LiuTakayasu SakuraiMakoto TakamiyaUniv. of Tokyo
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(4) 11:00-11:25 49mW 5Gbps CMOS 60GHz Pulse Receiver for Wireless Communication Ahmet OncuMinoru FujishimaUniv. of Tokyo.
(5) 11:25-11:50 レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術 財津和也阪市大)・岩本 久黒田泰斗矢野祐二ルネサステクノロジ)・山本耕次ルネサスデザイン)・井上一成ルネサステクノロジ)・阿多信吾岡 育夫阪市大
(6) 11:50-12:15 2.88Gbps UWBトランシーバの低消費電力化技術 大島直樹沼田圭市児玉浩志石川比呂夢矢野仁之田中昭生NEC
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
7月16日(木) 午後 
13:15 - 16:15
(7) 13:15-14:00 [招待講演]CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題 藤田 忍東芝
(8) 14:00-14:25 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 田中丸周平竹内 健東大
(9) 14:25-14:50 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ 矢島亮児畑中輝義東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(10) 15:00-15:25 (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 陳 杰智更屋拓哉平本俊郎東大
(11) 15:25-15:50 Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 福留秀暢富士通マイクロエレクトロニクス)・堀 陽子富士通クオリティ・ラボ)・保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通マイクロエレクトロニクス
(12) 15:50-16:15 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝
7月17日(金) 午前 
09:30 - 12:25
(1) 09:30-09:55 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討 菅野孝一渡辺重佳湘南工科大
(2) 09:55-10:20 ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討 玉井翔人渡辺重佳湘南工科大
(3) 10:20-11:05 [招待講演]ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術 阪本利司多田宗弘辻 幸秀伴野直樹波田博光NEC)・青野正和物質・材料研究機構
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
(4) 11:15-12:00 [招待講演]Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト 遠藤哲郎羽生貴弘東北大
(5) 12:00-12:25 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ 笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立
  12:25-13:25 昼食 ( 60分 )
7月17日(金) 午後 
13:25 - 17:55
(6) 13:25-14:10 [招待講演]スピン機能MOSFETよる新しいエレクトロニクスの展開 菅原 聡東工大/JST
(7) 14:10-14:35 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM 深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NEC
  14:35-14:45 休憩 ( 10分 )
(8) 14:45-15:30 [招待講演]人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー 田原修一NEC
(9) 15:30-16:15 [招待講演]グラフェンデバイスの開発と今後の展望 尾辻泰一東北大
  16:15-16:25 休憩 ( 10分 )
(10) 16:25-17:55 パネル討論 ”CMOSとBeyond CMOSの融合”
総合司会:平本俊郎 (東大)
パネラー:藤田忍(東芝)、菅原聡(東工大)、阪本利司(NEC)
田原修一(NEC)、遠藤哲郎(東北大)、尾辻泰一(東北大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 藤島 実 (東京大学)
TEL 03-5841-7425,FAX 03-5841-8575
E-:eetu- 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2009-09-07 13:31:45


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