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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 内山 邦男 (日立)
副委員長 吉本 雅彦 (神戸大), 濱崎 利彦 (日本TI)
幹事 広瀬 佳生 (富士通研), 鈴木 弘明 (ルネサステクノロジ)
幹事補佐 松岡 俊匡 (阪大), 竹内 健 (東大), 岡田 健一 (東工大)

日時 2011年 4月18日(月) 10:00 - 18:55
2011年 4月19日(火) 09:30 - 16:40
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
会場名 神戸大学 瀧川記念館 
住所 〒657-8501 神戸市灘区六甲台町 1-1
交通案内 阪急「六甲」駅から約15〜20分、バス:阪神「御影」駅、JR「六甲道」駅、阪急「六甲」駅から神戸市バス36系統鶴甲団地行、鶴甲2丁目止まり行き乗車「神大文理農学部前」下車、タクシー 阪神「御影」駅より約15〜20分, JR「六甲道」駅より約10〜15分,阪急「六甲」駅より約5〜10分
http://www.kobe-u.ac.jp/info/access/rokko/rokkodai-dai2.htm
会場世話人
連絡先
神戸大学 川口 博
078-803-6628
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter
お知らせ ◎1日目のパネル討論終了後に懇親会を企画しますので、併せてご予定下さい。

4月18日(月) 午前  不揮発性メモリ
10:00 - 12:30
(1) 10:00-10:50 [招待講演]スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
(2) 10:50-11:40 [招待講演]NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 高島大三郎野口充宏柴田 昇神田和重助川 博藤井秀壮東芝
(3) 11:40-12:30 [招待講演]高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ 〜 Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput 〜 筒井敬一大塚 渉宮田幸児北川 真対馬朋人ソニー
  12:30-13:30 昼食 ( 60分 )
4月18日(月) 午後  4月18日(月) 午後 不揮発性メモリ
13:30 - 18:55
(1) 13:30-14:20 [招待講演]24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 福田浩一渡辺慶久牧野英一川上浩一佐藤順平高際輝男金川直晃志賀 仁常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭小川武志岩井 信東芝)・櫻井清史東芝メモリシステムズ)・三輪 達サンディスク
(2) 14:20-15:10 [招待講演]高信頼・低電力SSD 〜 メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化 〜 竹内 健田中丸周平洪 慶麟東大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(3) 15:20-16:10 [招待講演]相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動 高浦則克超低電圧デバイス技術研究組合
(4) 16:10-17:00 [招待講演]三次元NANDフラッシュメモリ 有留誠一ハイニックス
  17:00-17:10 休憩 ( 10分 )
(5) 17:10-18:55 パネル討論:ストレージメモリの未来
オーガナイザ 宮野 信治 氏(STARC)
モデレータ 高島 大三郎 氏(東芝)

パネリスト:
筒井 敬一 氏(SONY)、
竹内 健 先生(東大)、
粟屋 信義 氏(シャープ)、
高浦 則克 氏(LEAP)、
井上 裕文 氏(東芝)、
有留 誠一 氏(Hynix)

パネル概要:
ストレージメモリ用途のメモリとして、現在はNAND Flash Memoryが主として使われているが、今後の高集積化の方向性については種々の提案がなされている。
一方で、ReRAM,PRAMといった新しいメモリにおいてもストレージメモリ分野の応用を目指して開発がすすめられている。本パネルでは、NAND、ReRAM、PRAM各分野の一線の研究者が未来のストレージメモリについて議論する。
4月19日(火) 午前  SRAM
09:30 - 12:10
(1) 09:30-09:55 [依頼講演]しきい値ばらつき耐性を有する0.45V動作9T/18TデュアルポートSRAM 柳田晃司野口紘希奥村俊介高木智也久賀田耕史神戸大)・吉本雅彦神戸大/JST)・川口 博神戸大
(2) 09:55-10:20 [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路 仁木祐介川澄 篤鈴木 東武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦藤村勇樹矢部友章東芝
(3) 10:20-10:45 [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式 武田晃一斉藤寿男朝山 忍相本代志治小畑弘之伊藤信哉高橋寿史竹内 潔野村昌弘林 喜宏ルネサス エレクトロニクス
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(4) 10:55-11:20 [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM 大内真一遠藤和彦柳 永シュン松川 貴中川 格石川由紀塚田順一山内洋美関川敏弘小池汎平坂本邦博昌原明植産総研
(5) 11:20-11:45 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM 鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター
(6) 11:45-12:10 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 宮地幸祐本田健太郎田中丸周平東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
4月19日(火) 午後  3次元メモリ・インターフェース
13:10 - 14:50
(7) 13:10-14:00 [招待講演]結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース 竹谷 勉Lan Nan中野慎也三浦典之石黒仁揮黒田忠広慶大
(8) 14:00-14:25 [依頼講演]3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ 小埜和夫柳川善光小田部 晃関口知紀日立
(9) 14:25-14:50 [依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討 畑中輝義上口 光石田光一安福 正高宮 真桜井貴康竹内 健東大
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
4月19日(火) 午後  不揮発性メモリ
15:00 - 16:40
(10) 15:00-15:25 HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 鶴田茂之木下健太郎中林竜也岸田 悟鳥取大
(11) 15:25-15:50 原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析 依田貴稔木下健太郎岸田 悟鳥取大)・荻原俊弥岩井秀夫福島 整田沼繁夫物質・材料研究機構
(12) 15:50-16:15 ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム 花田明紘木下健太郎松原勝彦福原貴博岸田 悟鳥取大
(13) 16:15-16:40 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 田中隼人木下健太郎岸田 悟鳥取大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 竹内 健 (東京大学)
TEL 03-5841-6672,FAX 03-5841-6672
E-:icd-rylsitu- 
お知らせ ◎初日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください。


Last modified: 2011-04-15 11:13:42


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