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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2017年 6月20日(火) 13:00 - 17:10
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 キャンパス・イノベーションセンター東京 
住所 〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6
交通案内 http://www.cictokyo.jp/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月20日(火) 午後 
13:00 - 17:10
(1) 13:00-13:20 [依頼講演]シンチレータとGa2O3半導体 SDM2017-21 岡田 豪臼井雄輝河野直樹河口範明柳田健之奈良先端大
(2) 13:20-13:40 [依頼講演]SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ~ 半導体で素粒子・X線を見る ~ SDM2017-22 新井康夫高エネルギー加速器研究機構
(3) 13:40-14:00 [依頼講演]皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究 SDM2017-23 山田祐樹檜山 聡NTTドコモ)・田畑 仁東大
(4) 14:00-14:20 [依頼講演]ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 SDM2017-24 岩崎孝之波多野睦子東工大
  14:20-14:35 休憩 ( 15分 )
(5) 14:35-14:55 XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 SDM2017-25 藤村信幸大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
(6) 14:55-15:15 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 SDM2017-26 大田晃生加藤祐介池田弥央牧原克典宮崎誠一名大
(7) 15:15-15:35 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 SDM2017-27 高山留美星井拓也東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・大橋弘通角嶋邦之若林 整筒井一生東工大
(8) 15:35-15:55 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 SDM2017-28 川那子高暢居駒 遼高木寛之小田俊理東工大
  15:55-16:10 休憩 ( 15分 )
(9) 16:10-16:30 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 松浦賢太朗大橋 匠宗田伊理也東工大)・石原聖也明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
(10) 16:30-16:50 Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 SDM2017-29 金田裕一池 進一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(11) 16:50-17:10 エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 SDM2017-30 伊藤公一大田晃生黒澤昌志洗平昌晃池田弥央牧原克典宮崎誠一名大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2017-04-19 17:20:55


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