電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ)
 トップ  戻る   前のICD研究会 / 次のICD研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 吉田 毅 (広島大), 高宮 真 (東大), 土谷 亮 (京大), 範 公可 (電通大)

日時 2015年 4月16日(木) 13:00 - 18:00
2015年 4月17日(金) 10:00 - 17:00
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
会場名 信州大学 長野(工学)キャンパス 若里総合研究棟 1F大会議室 
住所 〒380-8553 長野市若里4-17-1
交通案内 http://www.shinshu-u.ac.jp/guidance/maps/map03.html#traffic
お知らせ ◎研究会1日目終了後,懇親会を予定していますので御参加ください。

4月16日(木) 午後 
座長: 宮地 幸祐(信州大学)
13:00 - 14:15
(1) 13:00-13:25 [依頼講演]20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム 藪内 誠塚本康正森本薫夫田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
(2) 13:25-13:50 [依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM 田中信二石井雄一郎薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中浩司塚本康正・○新居浩二佐藤広利ルネサス エレクトロニクス
(3) 13:50-14:15 [依頼講演]車載MCUにおける-40〜170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM 横山佳巧石井雄一郎福田達哉辻橋良樹宮西篤史ルネサス エレクトロニクス)・朝山 忍前川径一柴 和利ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
4月16日(木) 午後 
座長: 三輪 達(サンディスク)
14:25 - 18:00
(4) 14:25-15:15 [招待講演]車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発 棟安 誠帯刀恭彦中野全也伊藤 孝河野隆司野口健二日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクス
(5) 15:15-16:05 [招待講演]アーカイブとエンタープライズストレージに向けた高信頼TLC NANDフラッシュソリッド・ステート・ドライブ 蜂谷尚悟田中丸周平?冨 司土井雅史北村雄太山?泉樹小林惇朗竹内 健中大
(6) 16:05-16:30 [依頼講演]A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology Mario SakoTakao NakajimaJunpei SatoKazuyoshi MuraokaMasaki FujiuFumihiro KonoMichio NakagawaMasami MasudaKoji KatoYuri TeradaYuki ShimizuMitsuaki HonmaYoshinao SuzukiYoshihisa WatanabeToshiba)・Ryuji YamashitaSanDisk
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
(7) 16:40-18:00 [パネル討論]クラウド時代の半導体メモリー技術 新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・宮地幸祐信州大)・高野了成産総研)・高木健誠三輪 達サンディスク
4月17日(金) 午前 
座長: 渡邊 大輔(アドバンテスト)
10:00 - 11:40
(8) 10:00-10:50 [招待講演]Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM) 高浦則克超低電圧デバイス技術研究組合
(9) 10:50-11:40 [招待講演]Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ 松嵜隆徳大貫達也長塚修平井上広樹石津貴彦家田義紀坂倉真之熱海知昭塩野入 豊加藤 清奥田 高山元良高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・小山 潤山崎舜平半導体エネルギー研
  11:40-12:40 昼食 ( 60分 )
4月17日(金) 午後 
座長: 永田 恭一(マイクロンメモリジャパン)
12:40 - 14:45
(10) 12:40-13:30 [招待講演]キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術 野口紘希池上一隆櫛田桂一安部恵子板井翔吾高谷 聡田中千加鎌田親義天野 実北川英二下村尚治川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
(11) 13:30-13:55 [依頼講演]A 2.4 pJ Ferroelectric-Based Non-Volatile Flip-Flop with 10-Year Data Retention Capability Hiromitsu KimuraTakaaki FuchikamiKyoji MarumotoYoshikazu FujimoriROHM)・Shintaro IzumiHiroshi KawaguchiMasahiko YoshimotoKobe Univ.
(12) 13:55-14:45 [チュートリアル講演]不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用 羽生貴弘鈴木大輔望月 明夏井雅典鬼沢直哉東北大)・杉林直彦NEC)・池田正二遠藤哲郎大野英男東北大
  14:45-14:55 休憩 ( 10分 )
4月17日(金) 午後 
座長: 三浦 典之(神戸大学)
14:55 - 17:00
(13) 14:55-15:45 [招待講演]An 1800-Times-Higher Power-Efficient 20k-spin Ising Chip for Combinatorial Optimization Problem with CMOS Annealing Masanao YamaokaChihiro YoshimuraMasato HayashiTakuya OkuyamaHidetaka AokiHiroyuki MizunoHitachi
(14) 15:45-16:35 [招待講演]伝送線路型結合器を用いた非接触メモリインタフェース 小菅敦丈門本淳一郎黒田忠広慶大
(15) 16:35-17:00 [依頼講演]位相分割多重コイルを用いたプロセッサ-メモリ間誘導結合インタフェース 竹 康宏黒田忠広慶大

講演時間
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分
チュートリアル講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分
一般講演(依頼講演)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 ICD幹事補佐:高宮 真(東京大学)
miisu- 


Last modified: 2015-03-18 03:20:59


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[研究会資料(技術研究報告)の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの目次)]
 

[ICD研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のICD研究会 / 次のICD研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会