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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 内山 邦男 (日立)
副委員長 吉本 雅彦 (神戸大), 濱崎 利彦 (日本TI)
幹事 藤島 実 (広島大), 広瀬 佳生 (富士通研)
幹事補佐 鈴木 弘明 (ルネサステクノロジ), 松岡 俊匡 (阪大), 岡田 健一 (東工大)

日時 2010年 4月22日(木) 09:00 - 17:50
2010年 4月23日(金) 09:30 - 16:30
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
会場名 湘南工科大学 (8号館2階 8201講義室) 
住所 〒251-8511 神奈川県藤沢市辻堂西海岸1-1-25
交通案内 JR辻堂駅から徒歩15分、バス5分。
http://www.shonan-it.ac.jp/contents/access.html
会場世話人
連絡先
湘南工科大学 情報工学科 渡辺 重佳
0466-30-0208
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter
お知らせ ◎初日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

4月22日(木) 午前  低電力SRAM/DRAM
09:00 - 12:30
(1) 09:00-09:50 [招待講演]SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM 藤村勇樹平林 修佐々木貴彦鈴木 東川澄 篤武山泰久櫛田桂一深野 剛片山 明仁木祐介矢部友章東芝
(2) 09:50-10:40 [招待講演]回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ~ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ~ 新居浩二薮内 誠塚本康正平野有一岩松俊明木原雄治ルネサス エレクトロニクス
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(3) 10:50-11:15 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM 薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクス
(4) 11:15-11:40 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM 小松成亘山岡雅直日立)・森本薫夫前田徳章島崎靖久ルネサステクノロジ)・長田健一日立
(5) 11:40-12:05 しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM 田中丸周平畑中輝義矢島亮児東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
(6) 12:05-12:30 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ 小田部 晃柳川善光秋山 悟関口知紀日立
  12:30-13:30 昼食 ( 60分 )
4月22日(木) 午後  新材料メモリ
13:30 - 17:50
(7) 13:30-14:20 [招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM 土田賢二稲場恒夫藤田勝之上田善寛清水孝文浅尾吉昭梶山 健岩山昌由池川純夫岸 達也甲斐 正天野 実下村尚治與田博明渡辺陽二東芝
(8) 14:20-15:10 [招待講演]Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 高島大三郎滋賀秀裕橋本大輔宮川 正尾崎 徹金谷宏行首藤 晋山川晃司國島 巌東芝
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(9) 15:20-15:45 [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array 鈴木大輔夏井雅典池田正二東北大)・長谷川晴弘日立)・三浦勝哉東北大/日立)・早川 純日立)・遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大
(10) 15:45-16:10 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM 竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大
  16:10-16:20 休憩 ( 10分 )
(11) 16:20-17:50 パネル討論:エマージングメモリ最前線
オーガナイザ 宮野 信治 氏(STARC)

パネリスト:
FERAM 高島 大三郎 氏(東芝)、
SPRAM 竹村 理一郎 氏(日立)、
RRAM 秋永 広幸 氏(産総研)、
Fe-NAND 竹内 健 先生(東大)、
SRAMの課題 新居 浩二 氏(ルネサス)
システムサイド 萩原 靖彦 氏(NEC)、

パネル概要:
強誘電体、強磁性体、相変化膜、金属酸化膜などの新規材料を用いて、従来の半導体メモリの代替をねらう、あるいは新しい応用を目指すエマージングメモリの開発は着実に進められ、その開発のスピードは年々上がってきている。
最近では、1Gbitクラスの集積度を狙ったエマージングメモリの技術開発成果が学会等で発表されるようになってきた。本分野の最新動向について、材料、デバイス、回路に渡る技術課題について議論する。
4月23日(金) 午前  フラッシュメモリ
09:30 - 11:10
(12) 09:30-09:55 [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ 畑中輝義矢島亮児東大)・堀内健史Shouyu WangXizhen Zhang高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
(13) 09:55-10:20 [依頼講演] Multi-stacked 1G cell/layer Pipe-shaped BiCS Flash Memory 前田高志板垣清太郎菱田智雄勝又竜太鬼頭 傑福住嘉晃木藤 大田中啓安小森陽介石月 恵松並絢也藤原友子青地英明岩田佳久渡辺陽二東芝
(14) 10:20-10:45 積層型NAND FeRAMの設計法 菅野孝一渡辺重佳湘南工科大
(15) 10:45-11:10 積層型NOR MRAMの検討 玉井翔人渡辺重佳湘南工科大
  11:10-11:25 休憩 ( 15分 )
4月23日(金) 午後  高速メモリIF
11:25 - 12:15
(16) 11:25-12:15 [招待講演]高速メモリインターフェース ~ DDR/GDDR-DRAM ~ 高井康浩エルピーダメモリ
  12:15-13:45 昼食 ( 90分 )
4月23日(金) 午後  非接触メモリインターフェース
13:45 - 16:30
(17) 13:45-14:35 [招待講演]3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース 石黒仁揮黒田忠広慶大
(18) 14:35-15:00 [依頼講演]非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機 竹 康宏川井秀介石黒仁揮黒田忠広慶大
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(19) 15:15-15:40 [依頼講演]65nm CMOS GPU-0.1um DRAM間8Tb/s 1pJ/b 0.8mm2/Tb/s QDR誘導結合インタフェース 三浦典之春日一貴齊藤美都子黒田忠広慶大
(20) 15:40-16:05 [依頼講演]2Gb/s 1.8pJ/b/chip 128NANDフラッシュメモリチップ積層用誘導結合インタフェース 齊藤美都子三浦典之黒田忠広慶大
(21) 16:05-16:30 [依頼講演]Digital Rosetta Stone: A Sealed Permanent Memory with Inductive-Coupling Power and Data Link Yuxiang YuanNoriyuki MiuraKeio Univ.)・Shigeki ImaiSharp)・Hiroyuki OchiKyoto Univ.)・Tadahiro KurodaKeio Univ.

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 弘明(ルネサス)
TEL 072-787-2335
E-:as 
お知らせ ◎1日目のパネル討論終了後に懇親会を企画しますので、併せてご予定下さい。


Last modified: 2010-04-08 19:19:35


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