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研究会終了後に懇親会を開催いたします.



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2010年 6月22日(火) 09:30 - 17:30
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) 
会場名 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 (An401・402 
住所 〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1
交通案内 東北沢駅より徒歩7分, 駒場東大前駅より徒歩10分または代々木上原駅より徒歩12分.
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html
会場世話人
連絡先
東京大学生産技術研究所 藤岡洋
03-5452-6342
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ ◎今回は、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
表面・界面・シリコン材料研究委員会が企画する第125回研究集会
「ゲートスタック技術の進展 -新構造・新材料を中心に」
との合同開催です。
研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
本研究会に関するお問い合わせ先:宮崎誠一(名古屋大学:ee-u)

6月22日(火) 午前 
09:30 - 12:25
(1) 09:30-09:55 SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル ~ バリステイックおよび準バリステイック輸送 ~ 名取研二東工大
(2) 09:55-10:20 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 右田真司森田行則太田裕之産総研
(3) 10:20-10:45 キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 佐藤創志角嶋邦之パールハット アヘメト東工大)・大毛利健治早大)・名取研二岩井 洋東工大)・山田啓作早大
(4) 10:45-11:10 SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 茂森直登佐藤創志角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
  11:10-11:25 休憩 ( 15分 )
(5) 11:25-11:45 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調:第一原理計算による化学的傾向の検討 小日向恭祐丸田勇亮中山隆史千葉大
(6) 11:45-12:05 Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 藤岡知宏板東竜也大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大
(7) 12:05-12:25 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討 DongHun Lee金島 岳奥山雅則阪大
  12:25-13:25 昼食 ( 60分 )
6月22日(火) 午後 
13:25 - 17:30
(8) 13:25-13:45 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性 古田和也竹内和歌奈坂下満男近藤博基中塚 理財満鎭明名大
(9) 13:45-14:10 EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 来山大祐小柳友常角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
(10) 14:10-14:35 High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大
(11) 14:35-15:00 GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 喜多浩之東大/JST)・王 盛凱李 忠賢吉田まほろ東大)・西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大/JST
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(12) 15:15-15:35 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
(13) 15:35-15:55 一層型SGT、積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討 小玉貴大渡辺重佳湘南工科大
(14) 15:55-16:15 ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討 玉井翔人渡辺重佳湘南工科大
  16:15-16:30 休憩 ( 15分 )
(15) 16:30-16:50 銅酸化物超伝導体を用いたReRAMの研究 ~ ペロブスカイト型ReRAMの動作解明 ~ 松原勝彦木下健太郎花田明紘岸田 悟鳥取大
(16) 16:50-17:10 TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響 大田晃生後藤優太モハマド ファイルズ カマルザン尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大
(17) 17:10-17:30 フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ~ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ~ 上沼睦典・○川野健太郎奈良先端大/CREST JST)・吉井重雄山下一郎奈良先端大/パナソニック)・浦岡行治奈良先端大/CREST JST
  17:40-19:10 懇親会 ( 90分 )

講演時間
一般講演((5)-(8)(12)-(17))発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演((1)-(4)(9)-(11))発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: HiAniny 


Last modified: 2010-06-17 22:42:14


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