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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)
幹事補佐 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (豊橋技科大)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 岩田 展幸 (日大), 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事補佐 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 山本 剛之 (富士通研)
副委員長 浜本 貴一 (九大)
幹事 片桐 崇史 (東北大), 八木 英樹 (住友電工)
幹事補佐 川北 泰雅 (古河電工), 藤原 直樹 (NTT)

日時 2017年11月30日(木) 13:35 - 17:05
2017年12月 1日(金) 09:40 - 17:30
議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター 56号館 
住所 〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町
交通案内 JR鶴舞駅より徒歩7分 または 地下鉄鶴舞線鶴舞駅から徒歩10分
http://www.nitech.ac.jp/access/index.html#a2
会場世話人
連絡先
名古屋工業大学 江川孝志
052-732-2111

11月30日(木) 午後  LQE1
座長: 定 昌史(理研)
13:30 - 15:15
  13:30-13:35 開会挨拶 ( 5分 )
(1) 13:35-14:00 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定 清水奈緒人高橋佑知小林玄季中納 隆坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニー
(2) 14:00-14:25 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析 太田有亮坂井繁太山口敦史金沢工大
(3) 14:25-14:50 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 池田優真坂井繁太大島一輝山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニー
(4) 14:50-15:15 マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 早川峰洋林 佑樹長瀬勇樹市川修平熊本恭介柴岡真美船戸 充川上養一京大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
11月30日(木) 午後  ED1
座長: 小谷 淳二(富士通研)
15:25 - 17:05
(5) 15:25-15:50 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 河野 司久志本真希永松謙太郎新田州吾本田善央天野 浩名大
(6) 15:50-16:15 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 植村圭佑松本 悟渡久地政周伊藤圭亮佐藤威友北大
(7) 16:15-16:40 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 塩島謙次橋爪孝典福井大)・堀切文正田中丈士サイオクス)・三島友義法政大
(8) 16:40-17:05 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 金属仕事関数依存性 ~ 塩島謙次今立宏美福井大)・三島友義法政大
12月1日(金) 午前  LQE2
座長: 平山 秀樹(理研)
09:40 - 11:20
(9) 09:40-10:05 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 森 拓磨太田美希原田紘希加藤慎也三好実人江川孝志名工大
(10) 10:05-10:30 Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 舘林 潤稲葉智宏塩見圭史藤原康文阪大
(11) 10:30-10:55 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 小島久範安田俊輝上林大輝飯田一喜小出典克竹内哲也岩谷素顕上山 智赤崎 勇名城大
(12) 10:55-11:20 フォトニック結晶深紫外LEDの実現 ~ p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作 ~ 鹿嶋行雄丸文)・前田哲利理研)・松浦恵里子丸文)・定 昌史理研)・岩井 武森田敏郎東京応化)・小久保光典田代貴晴東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・倉島優一高木秀樹産総研)・平山秀樹理研
  11:20-12:30 昼休み ( 70分 )
12月1日(金) 午後  ED2
座長: 津田 邦男(東芝)
12:30 - 14:10
(13) 12:30-12:55 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 グェンスァン チュン名大)・田岡紀之産総研)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大
(14) 12:55-13:20 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 梶原瑛祐米原健矢加藤大望上杉謙次郎新留 彩蔵口雅彦向井 章大野浩志湯元美樹東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝
(15) 13:20-13:45 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 石松裕真舟木浩祐桝谷聡士宮崎恭輔大島孝仁嘉数 誠大石敏之佐賀大
(16) 13:45-14:10 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 久保俊晴三好実人江川孝志名工大
  14:10-14:20 休憩 ( 10分 )
12月1日(金) 午後  LQE3
座長: 江川 孝志(名工大)
14:20 - 16:00
(17) 14:20-14:45 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 佐々井耕平Myunghee KIM鈴木 敦澁谷弘樹栗崎湧気軒村恭平竹林 穣上山 智竹内哲也岩谷素顕赤﨑 勇名城大
(18) 14:45-15:10 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大
(19) 15:10-15:35 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 林 侑介三宅秀人平松和政秋山 亨伊藤智徳三重大)・片山竜二阪大
(20) 15:35-16:00 m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化 定 昌史南 聡史平山秀樹理研
  16:00-16:10 休憩 ( 10分 )
12月1日(金) 午後  CPM
座長: 片桐 崇史(東北大)
16:10 - 17:30
(21) 16:10-16:35 ゼオライト修飾光電極を用いた色素増感太陽電池の試作と評価 今井貴大森 義晴三浦正範鹿又健作有馬ボシールアハマド久保田 繁・○廣瀬文彦山形大
(22) 16:35-17:00 包絡線法を用いたFDTDアルゴリズムの有機太陽電池の光学解析への応用 久保田 繁鹿又健作有馬ボシールアハンマド山形大)・水野 潤早大)・廣瀬文彦山形大
(23) 17:00-17:25 銀ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴による量子ドット増感太陽電池の効率向上に関する研究 木幡優弥三浦正範鹿又健作久保田 繁廣瀬文彦有馬 ボシール アハンマド山形大
  17:25-17:30 閉会挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日本無線(株))
TEL:049-278-1441 Fax :049-278-1269
E-injr
東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 片桐 崇史(東北大学大学院)
TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106
E-:giecei

八木 英樹(住友電気工業)
TEL 045-853-7318
E-:gi-dei 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2017-11-22 18:34:33


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