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集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 藤島 実 (広島大)
副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 吉田 毅 (広島大), 高宮 真 (東大)
幹事補佐 橋本 隆 (パナソニック), 夏井 雅典 (東北大), 伊藤 浩之 (東工大), 範 公可 (電通大)

日時 2017年 4月20日(木) 10:10 - 17:00
2017年 4月21日(金) 09:35 - 15:05
議題 メモリ技術と集積回路関連一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修2号室(4月20日)、研修1号室(4月21日)(←1日目と2日目で部屋が変わりますので、ご注意下さい) 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan Chapter;IEEE SSCS Kansai Chapter共催
お知らせ ◎研究会1日目終了後,懇親会を予定していますので御参加ください。
日時:4月20日 17:30~19:30
場所:機械振興会館 ニュー・トーキョー

4月20日(木) 午前 
座長: 新居 浩二(ルネサスエレクトロニクス)
10:10 - 11:50
(1) 10:10-10:35 [依頼講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ (Ultra-low Energy Consumption High-Dentisy VoCSM) ~ 與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上口裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝
(2) 10:35-11:00 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発 才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希東芝)・安部恵子東芝R&D)・藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大
(3) 11:00-11:50 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM 土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynix
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
4月20日(木) 午後 
座長: 藤島 実(広島大学)
13:00 - 14:40
(4) 13:00-13:50 [招待講演]ナノドット型恒久メモリーの研究 渡邊 強三浦典之劉 施佳今井繁規永田 真神戸大
(5) 13:50-14:15 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 鶴見洸太田中誠大竹内 健中大
(6) 14:15-14:40 [依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 中村俊貴小林惇朗竹内 健中大
  14:40-14:55 休憩 ( 15分 )
4月20日(木) 午後 
座長: 三浦 典之(神戸大学)
14:55 - 17:00
(7) 14:55-15:20 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS 津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立
(8) 15:20-16:10 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクス
(9) 16:10-17:00 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDC
4月21日(金) 午前 
座長: 宮地 幸祐(信州大学)
09:35 - 11:50
(10) 09:35-10:00 [依頼講演]不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能 北形大樹周藤悠介山本修一郎菅原 聡東工大
(11) 10:00-10:25 [依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFS
(12) 10:25-10:50 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM 澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明石井雄一郎ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(13) 11:00-11:25 [依頼講演]高耐熱ポリマー固体電解質(TT-PSE)を用いた不揮発プログラマブルロジック向け高信頼性Cu原子スイッチ 岡本浩一郎多田宗弘伴野直樹井口憲幸波田博光阪本利司宮村 信辻 幸秀根橋竜介森岡あゆ香白 旭杉林直彦NEC
(14) 11:25-11:50 [依頼講演]原子スイッチFPGAの高密度化とスケーラビリティ 辻 幸秀白 旭森岡あゆ香宮村 信根橋竜介阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光杉林直彦NEC
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
4月21日(金) 午後 
座長: 渡邊 大輔(アドバンテスト)
13:00 - 15:05
(15) 13:00-13:25 [依頼講演]クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路 安田心一小田聖翔松本麻里辰村光介財津光一郎何 英豪小野瑞城東芝
(16) 13:25-13:50 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝
(17) 13:50-14:15 [依頼講演]60nm CAAC-IGZO FETと65nm CMOSを組み合わせて作成した組み込みメモリとARM Cortex-M0コア 大貫達也磯部敦生安藤善範岡本 悟加藤 清半導体エネルギー研)・T R YewChen Bin LinJ Y WuChi Chang ShuaiShao Hui WuUnited Microelectronics Corporation)・James MyersARM)・Klaus DopplerNokia Technologies)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
(18) 14:15-15:05 [招待講演]A 1/2.3in 20Mpixel 3-Layer Stacked CMOS Image Sensor with DRAM Tsutomu Haruta・○Tsutomu NakajimaJun HashizumeTaku UmebayashiHiroshi TakahashiKazuo TaniguchiMasami KurodaHiroshi SumihiroKoji EnokiSony Semiconductor Solutions)・Takatsugu YamasakiSony Semiconductor Manufacturing)・Katsuya IkezawaAtsushi KitaharaMasao ZenMasafumi OyamaHiroki KogaSony Semiconductor Solutions

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 45 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 高宮 真 (東京大学)
E-:miisu- 


Last modified: 2017-04-05 19:40:06


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