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本研究会は、文部科学省科研費新学術領域「分子アーキテクトニクス」と共催です。 2月28日(初日)研究会の後、懇親会を予定しております。



電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 津田 邦男 (東芝)
副委員長 須原 理彦 (首都大)
幹事 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)
幹事補佐 大石 敏之 (佐賀大), 岩田 達哉 (豊橋技科大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2018年 2月28日(水) 10:00 - 17:30
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 大会議室 
他の共催 ◆応用物理学会共催

2月28日(水) 午前 
10:00 - 17:30
(1) 10:00-10:25 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性 浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大
(2) 10:25-10:50 微小トンネル接合ランダム配列での単一電子帯電効果に関する数値シミュレーション 水柿義直守屋雅隆島田 宏松本和彦森林 誠谷貝知起電通大)・木村康男東京工科大)・平野愛弓東北大)・廣瀬文彦山形大
(3) 10:50-11:15 レジスト溝内に選択配置して作製した金ナノ粒子配列での単一電子帯電効果 松本和彦森林 誠谷貝知起守屋雅隆島田 宏電通大)・木村康男東京工科大)・平野愛弓東北大)・廣瀬文彦山形大)・水柿義直電通大
  11:15-11:30 休憩 ( 15分 )
(4) 11:30-11:55 フレキシブル基板上カーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と作製 松浦智紀鹿嶋大雅廣谷 潤岸本 茂大野雄高名大
(5) 11:55-12:20 カーボンナノチューブバイオセンサの電気的特性に対する電解液の影響 長谷川加奈牛山拓也岸本 茂大野雄高名大
  12:20-13:50 昼食 ( 90分 )
(6) 13:50-14:40 [招待講演]半導体薄膜の熱電特性 太田裕道北大
(7) 14:40-15:05 表面電位顕微鏡を用いたナノ材料ゼーベック係数測定手法の開発 鈴木悠平岡 晃人川合健斗立岡浩一猪川 洋下村 勝村上健司静岡大)・ファイズ サレマラヤ大)・○池田浩也静岡大
(8) 15:05-15:30 カーボンナノチューブ薄膜を用いた流体発電の発電機構の理解と高出力化 西 涼平岸本 茂名大)・片浦弘道産総研)・大野雄高名大
  15:30-15:50 休憩 ( 20分 )
(9) 15:50-16:15 ナノ材料の熱伝導特性解析のためのシミュレーションの構築 山下尚見太田裕也七尾 亮猪川 洋下村 勝村上健司・○池田浩也静岡大
(10) 16:15-16:40 イジングマシンでの実験パラメータ探索と最適化によるAu原子接合の量子化コンダクタンス制御 酒井正太郎岩田侑馬塩村真幸木原裕介白樫淳一東京農工大
(11) 16:40-17:05 人工知能により支援されたAu原子接合の作製と量子状態の観測 岩田侑馬酒井正太郎沼倉憲彬白樫淳一東京農工大
(12) 17:05-17:30 Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング 渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 新井 学(新日本無線(株))
TEL:049-278-1441 Fax :049-278-1269
E-injr
東脇 正高(情報通信研究機構)
TEL : 042-327-6092 Fax : 042-327-5527
E- : m 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2017-12-21 10:45:58


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