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電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 小南 裕子 (静岡大)
副委員長 木村 睦 (龍谷大)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 山口 雅浩 (東工大)
幹事補佐 山口 留美子 (秋田大), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ), 中田 充 (NHK), 野中 亮助 (東芝), 奥野 武志 (ファーウェイ), 志賀 智一 (電通大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2017年12月22日(金) 10:30 - 17:00
議題 Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
会場名 京都大学桂キャンパス A1棟地下1階 第1講義室 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1
交通案内 阪急桂駅からバス15分またはJR桂川駅からバス20分
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人
連絡先
京都大学 木本恒暢
075-383-2300

12月22日(金) 午前 
10:30 - 12:00
(1) 10:30-10:45 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果 中井雄也石河泰明浦岡行治奈良先端大
(2) 10:45-11:00 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~ 小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研
(3) 11:00-11:15 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~ 西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研
(4) 11:15-11:30 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~ 日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研
(5) 11:30-11:45 Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ 岡本研正光半導体デバイス応用技術研
(6) 11:45-12:00 薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電 三澤慶悟冨岡圭佑三宅康平木村 睦龍谷大
  12:00-13:15 昼食 ( 75分 )
12月22日(金) 午後 
13:15 - 15:15
(7) 13:15-13:30 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大
(8) 13:30-13:45 レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 野村竜生荒牧達也松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大
(9) 13:45-14:00 Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP) Xudongfang WangYasuaki IshikawaShinji ArakiYukiharu UraokaNAIST)・Seokwoo JeonKAIST
(10) 14:00-14:15 IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム 山川大樹柴山友輝生島恵典杉崎澄生龍谷大)・宮前義範ローム)・木村 睦龍谷大
(11) 14:15-14:30 アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス 田中 遼杉崎澄生木村 睦龍谷大
(12) 14:30-14:45 強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション 小川功人横山朋陽木村 睦龍谷大
(13) 14:45-15:00 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 平出 惇山口正樹芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大
(14) 15:00-15:15 ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価 岡本龍吾福嶋大貴松田時宜木村 睦龍谷大
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
12月22日(金) 午後 
15:30 - 17:00
(15) 15:30-15:45 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ 西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大
(16) 15:45-16:00 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証 三宅康平冨岡圭佑三澤慶悟木村 睦龍谷大
(17) 16:00-16:15 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 吉岡尚輝秋田佳輝部家 彰松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大
(18) 16:15-16:30 円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果 吉岡尚輝部家 彰松尾直人秋田佳輝兵庫県立大
(19) 16:30-16:45 DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討 中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大
(20) 16:45-17:00 グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討 松尾直人部家 彰兵庫県立大

講演時間
一般講演発表 10 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2017-10-18 12:59:09


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