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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2012年度)
「from:2013-02-27 to:2013-02-27」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 13:30 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | ［招待講演］グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果 ○町田友樹（東大/JST）・増渕 覚・大貫雅広・井口和之・森川 生・山口健洋・荒井美穂（東大）・渡邊賢司・谷口 尚（物質・材料研究機構）  ED2012-128 SDM2012-157 |
高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた．バリスティックに伝導するディラックフェル... [more] | ED2012-128 SDM2012-157 pp.1-5 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 14:10 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化 ○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振） ED2012-129 SDM2012-158 |
シリコンをナノ構造化することにより熱電変換性能を向上するためのひとつのポイントは，フェルミエネルギーを制御してゼーベック... [more] | ED2012-129 SDM2012-158 pp.7-11 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 14:35 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製 ○加藤義人・市村正也（名工大） ED2012-130 SDM2012-159 |
[more] | ED2012-130 SDM2012-159 pp.13-17 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 15:00 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか ○榊原宏武・和田耕司・加藤正史・市村正也（名工大） ED2012-131 SDM2012-160 |
[more] | ED2012-131 SDM2012-160 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 15:40 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn Junctions ○Sri Purwiyanti・Arief Udhiarto（Shizuoka Univ./Univ. Indonesia）・Roland Nowak（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Djoko Hartanto（Univ. Indonesia）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2012-132 SDM2012-161 |
In this work, we report the experimental observation of dopa... [more] | ED2012-132 SDM2012-161 pp.25-30 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 ○孫 屹・木村祐太・前元利彦・佐々誠彦（阪工大）・葛西誠也（北大） ED2012-133 SDM2012-162 |
酸化物半導体のデバイス応用として，セルフスイッチング型ナノダイオード（Self Switching nano-Diode... [more] | ED2012-133 SDM2012-162 pp.31-34 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:30 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討 ○殷 翔・葛西誠也（北大） ED2012-134 SDM2012-163 |
グラフェン３分岐接合デバイス（TBJ）は特異な非線形伝達特性を示し，電界効果による伝導型制御との組合せによりANDゲート... [more] | ED2012-134 SDM2012-163 pp.35-38 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 17:20 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス ○船山裕晃・渡邉龍郎・道又賢司・和保孝夫・村上 新・下村和彦（上智大） ED2012-136 SDM2012-165 |
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAs ナノワイヤ をSi基板上に堆積した。InAs ナノワイヤ及びI... [more] | ED2012-136 SDM2012-165 pp.43-46 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:00 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化 ○鈴木龍太・野末喬城・更屋拓也・平本俊郎（東大） ED2012-137 SDM2012-166 |
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] | ED2012-137 SDM2012-166 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:25 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 ○内田貴史・竹中浩人・吉岡 勇・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2012-138 SDM2012-167 |
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] | ED2012-138 SDM2012-167 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:50 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ○水柿義直（電通大） ED2012-139 SDM2012-168 |
単一電子トランジスタでは，微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより，島電極上の電荷が離散的に変化する．また，超伝導... [more] | ED2012-139 SDM2012-168 pp.59-64 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 10:15 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 ○滝口将志・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2012-140 SDM2012-169 |
強磁性体-超伝導体-強磁性体からなる二重トンネル接合デバイスでは，バイアス電圧が超伝導ギャップ近傍にて負の磁気抵抗比が現... [more] | ED2012-140 SDM2012-169 pp.65-70 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 10:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | SPMスクラッチ法を用いたナノスケール加工のグラフェンへの適用 ○須田隆太郎・齋藤孝成・吉田 卓（東京農工大）・Ampere A. Tseng（Arizona State Univ.）・白樫淳一（東京農工大） ED2012-141 SDM2012-170 |
我々は，グラフェンナノデバイスの新たな作製手法として走査型プローブ顕微鏡（Scanning Probe Microsco... [more] | ED2012-141 SDM2012-170 pp.71-76 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 11:20 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | ジュール加熱されたグラフェンの近赤外イメージングによるその場温度測定 ○齋藤孝成・厚母息吹・須田隆太郎・伊藤光樹・白樫淳一（東京農工大） ED2012-142 SDM2012-171 |
我々は，その場温度観察が可能な近赤外イメージングシステムを利用して，通電下のグラフェンの発熱現象のリアルタイム観察を行っ... [more] | ED2012-142 SDM2012-171 pp.77-82 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 11:45 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | CNT添加カーボンファイバの電気的特性 ○綿貫雄仁・田中 朋・佐野栄一・古月文志（北大） ED2012-143 SDM2012-172 |
PAN(ポリアクリロニトリル)中に多層カーボンナノチューブ(Multiwall CNT)を添加して作製したCNT添加カー... [more] | ED2012-143 SDM2012-172 pp.83-88 |
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