4月18日(月) 午前 不揮発性メモリ
10:00 - 12:30 |
| (1) |
10:00-10:50 |
［招待講演］スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 |
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） |
| (2) |
10:50-11:40 |
［招待講演］NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 |
○高島大三郎・野口充宏・柴田 昇・神田和重・助川 博・藤井秀壮（東芝） |
| (3) |
11:40-12:30 |
［招待講演］高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ ～ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ～ |
○筒井敬一・大塚 渉・宮田幸児・北川 真・対馬朋人（ソニー） |
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12:30-13:30 |
昼食 （ 60分 ） |
4月18日(月) 午後 4月18日(月) 午後 不揮発性メモリ
13:30 - 18:55 |
| (1) |
13:30-14:20 |
［招待講演］24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 |
○福田浩一・渡辺慶久・牧野英一・川上浩一・佐藤順平・高際輝男・金川直晃・志賀 仁・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭・小川武志・岩井 信（東芝）・櫻井清史（東芝メモリシステムズ）・三輪 達（サンディスク） |
| (2) |
14:20-15:10 |
［招待講演］高信頼・低電力SSD ～ メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化 ～ |
○竹内 健・田中丸周平・洪 慶麟（東大） |
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15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
| (3) |
15:20-16:10 |
［招待講演］相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動 |
○高浦則克（超低電圧デバイス技研組合） |
| (4) |
16:10-17:00 |
［招待講演］三次元NANDフラッシュメモリ |
○有留誠一（ハイニックス） |
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17:00-17:10 |
休憩 （ 10分 ） |
| (5) |
17:10-18:55 |
パネル討論：ストレージメモリの未来
オーガナイザ 宮野 信治 氏（STARC）
モデレータ 高島 大三郎 氏（東芝）
パネリスト：
筒井 敬一 氏（SONY）、
竹内 健 先生（東大）、
粟屋 信義 氏（シャープ）、
高浦 則克 氏（LEAP）、
井上 裕文 氏（東芝）、
有留 誠一 氏（Hynix）
パネル概要：
ストレージメモリ用途のメモリとして、現在はNAND Flash Memoryが主として使われているが、今後の高集積化の方向性については種々の提案がなされている。
一方で、ReRAM，PRAMといった新しいメモリにおいてもストレージメモリ分野の応用を目指して開発がすすめられている。本パネルでは、NAND、ReRAM、PRAM各分野の一線の研究者が未来のストレージメモリについて議論する。 |
4月19日(火) 午前 SRAM
09:30 - 12:10 |
| (1) |
09:30-09:55 |
[依頼講演]しきい値ばらつき耐性を有する0.45V動作9T/18TデュアルポートSRAM |
○柳田晃司・野口紘希・奥村俊介・高木智也・久賀田耕史（神戸大）・吉本雅彦（神戸大/JST）・川口 博（神戸大） |
| (2) |
09:55-10:20 |
[依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路 |
○仁木祐介・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・藤村勇樹・矢部友章（東芝） |
| (3) |
10:20-10:45 |
[依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式 |
○武田晃一・斉藤寿男・朝山 忍・相本代志治・小畑弘之・伊藤信哉・高橋寿史・竹内 潔・野村昌弘・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） |
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10:45-10:55 |
休憩 （ 10分 ） |
| (4) |
10:55-11:20 |
[依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM |
○大内真一・遠藤和彦・柳 永シュン・松川 貴・中川 格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研） |
| (5) |
11:20-11:45 |
[依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM |
○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） |
| (6) |
11:45-12:10 |
局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 |
○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） |
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12:10-13:10 |
昼食 （ 60分 ） |
4月19日(火) 午後 3次元メモリ・インターフェース
13:10 - 14:50 |
| (7) |
13:10-14:00 |
［招待講演］結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース |
○竹谷 勉・Lan Nan・中野慎也・三浦典之・石黒仁揮・黒田忠広（慶大） |
| (8) |
14:00-14:25 |
[依頼講演]3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ |
○小埜和夫・柳川善光・小田部 晃・関口知紀（日立） |
| (9) |
14:25-14:50 |
[依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討 |
○畑中輝義・上口 光・石田光一・安福 正・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大） |
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14:50-15:00 |
休憩 （ 10分 ） |
4月19日(火) 午後 不揮発性メモリ
15:00 - 16:40 |
| (10) |
15:00-15:25 |
HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 |
○鶴田茂之・木下健太郎・中林竜也・岸田 悟（鳥取大） |
| (11) |
15:25-15:50 |
原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析 |
○依田貴稔・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大）・荻原俊弥・岩井秀夫・福島 整・田沼繁夫（物質・材料研究機構） |
| (12) |
15:50-16:15 |
ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム |
○花田明紘・木下健太郎・松原勝彦・福原貴博・岸田 悟（鳥取大） |
| (13) |
16:15-16:40 |
二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 |
○田中隼人・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大） |
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