5月25日(木) 午後 新材料1
座長: 田中 有(富士通研)
13:00 - 13:55 |
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13:00-13:05 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
13:05-13:30 |
［招待講演］窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測 |
○小島一信（東北大） |
| (2) |
13:30-13:55 |
表面電流駆動型空間光変調効果の発現とその応用 |
○竪 直也（九大） |
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13:55-14:10 |
休憩 （ 15分 ） |
5月25日(木) 午後 新材料2
座長: 片桐 崇史(東北大学)
14:10 - 15:25 |
| (3) |
14:10-14:35 |
［招待講演］ハロゲン化金属ペロブスカイト半導体の光物理 ～ 太陽電池から光デバイス応用まで ～ |
○山田泰裕（千葉大）・金光義彦（京大） |
| (4) |
14:35-15:00 |
［招待講演］有機太陽電池材料とその真空蒸着時の液体導入による結晶化 |
○嘉治寿彦（東京農工大） |
| (5) |
15:00-15:25 |
［招待講演］プラズモニック材料の現状と展望 |
○髙原淳一（阪大） |
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15:25-15:40 |
休憩 （ 15分 ） |
5月25日(木) 午後 レーザ応用
座長: 川戸 栄(福井大学)
15:40 - 17:20 |
| (6) |
15:40-16:05 |
［招待講演］Ultra-high intensity, repetitive J-KAREN-P laser system at QST |
○Hiromitsu Kiriyama・Mamiko Nishiuchi・Alexander Pirozhkov・Yuji Fukuda・Hironao Sakaki・Akito Sagisaka・Nicholas Dover・Kotaro Kondo・Keita Nishitani・Koichi Ogura・Michiaki Mori・Yasuhiro Miyasaka・Masaki Kando・Kiminori Kondo（QST） |
| (7) |
16:05-16:30 |
光同期OPCPAのための高エネルギーグリーンレーザーの開発 |
○宮坂泰弘・桐山博光・岸本 牧・森 道昭・神門正城・近藤公伯（量研機構） |
| (8) |
16:30-16:55 |
光無線給電実現に向けた半導体レーザのビームステアリングシステム |
○丸山武男・Hendra Ainanta・谷沢元春（金沢大） |
| (9) |
16:55-17:20 |
共振器内部に非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効率に関する理論解析 |
○佐藤 徹・中島直哉・稲吉真一・角谷宏樹・林 啓佑・金武知樹・杉木史弘・川戸 栄（福井大） |
5月26日(金) 午前 半導体計測
座長: 望月 敬太(三菱電機)
09:00 - 10:15 |
| (10) |
09:00-09:25 |
光電変換デバイスの時間分解テラヘルツ分光 |
○永井正也・山下元気（阪大）・松原英一（阪歯科大）・芦田昌明（阪大） |
| (11) |
09:25-09:50 |
波長板を用いたTHzホール測定 |
○森本智英・永井正也・芦田昌明（阪大） |
| (12) |
09:50-10:15 |
光励起したシリコンにおけるテラヘルツパルスの伝播 |
○守安 毅・笹島秀樹（福井大）・河本敏郎（神戸大）・北原英明・谷 正彦・熊倉光孝（福井大） |
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10:15-10:25 |
休憩 （ 10分 ） |
5月26日(金) 午前 変調器
座長: 山本 剛之(富士通研)
10:25 - 11:40 |
| (13) |
10:25-10:50 |
シリコン集積素子の光I/O ～ グレーティングカプラの出力安定化／スポットサイズ変換器の突合せ接続 ～ |
○徳島正敏・牛田 淳・屋敷健一郎・堀川 剛・蔵田和彦（光電子融合基盤技研） |
| (14) |
10:50-11:15 |
III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器 |
○開 達郎・相原卓磨・長谷部浩一・藤井拓郎・武田浩司・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治（NTT） |
| (15) |
11:15-11:40 |
シリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器の設計と高速変調 |
○高澤弘樹・藪下裕貴・國分泰雄・荒川太郎（横浜国大） |
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11:40-13:10 |
休憩 （ 90分 ） |
5月26日(金) 午後 赤外・テラヘルツ
座長: 藤原 直樹(NTT)
13:10 - 14:00 |
| (16) |
13:10-13:35 |
二波長同時光パラメトリック増幅によるCEP安定な高強度中赤外パルス光の発生，及びそれを用いた固体中の強電場過程の研究 |
○金島圭佑（北大）・石井順久・竹内健悟・板谷治郎（東大） |
| (17) |
13:35-14:00 |
新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討 |
○安田浩朗（NICT） |
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14:00-14:10 |
休憩 （ 10分 ） |
5月26日(金) 午後 半導体レーザ
座長: 八木 英樹(住友電工)
14:10 - 15:50 |
| (18) |
14:10-14:35 |
28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ（AXEL） |
○進藤隆彦・小林 亘・長谷部浩一・藤原直樹・吉松俊英・金澤 慈・大野哲一郎・三条広明・大礒義孝・石井啓之・曽根由明・松崎秀昭（NTT） |
| (19) |
14:35-15:00 |
25Gb/s直接変調レーザを搭載したTO-CANの広温度範囲動作 |
○白尾瑞基・中村誠希・島田征明・鈴木洋介・境野 剛・野上正道（三菱電機） |
| (20) |
15:00-15:25 |
超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 |
○松本 敦・赤羽浩一・梅沢俊匡・山本直克（NICT） |
| (21) |
15:25-15:50 |
1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作 |
○羽鳥伸明・鄭 錫煥・田中 有（光電子融合基盤技研） |
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15:50-16:00 |
閉会挨拶 （ 10分 ） |
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