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13日の研究会終了後に懇親会を予定しております。みなさま奮ってご参加ください。



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大), 小野 行徳 (NTT)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 大庭 直樹 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 今井 欽之 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

日時 2010年 5月13日(木) 13:30 - 17:05
2010年 5月14日(金) 10:00 - 14:45
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 静岡大学 浜松キャンパス 電子工学研究所2階会議室(創造科学大学院から変更になりました) 
住所 〒432-8561浜松市中区城北3-5-1
交通案内 JR浜松駅前北口 バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)
http://www.shizuoka.ac.jp/ippan/hamamatsu.html
会場世話人
連絡先
静岡大学 電子工学研究所 池田浩也
お知らせ ◎5月13日の研究会終了後、懇親会を予定しておりますので奮ってご参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月13日(木) 午後 
13:30 - 17:05
(1) 13:30-13:55 DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定 ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17 渡邉 新江川孝志名工大
(2) 13:55-14:20 Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性 ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18 永井一弘ローレンス セルバラージ江川孝志名工大
(3) 14:20-14:45 Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19 近藤正樹秦 貴幸岡田 浩若原昭浩古川雄三豊橋技科大)・佐藤真一郎大島 武原子力機構
(4) 14:45-15:10 シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 池田浩也ファイズ サレ静岡大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(5) 15:25-15:50 Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21 Earfan HamidJuli ChaTaridoSakito MikiDaniel MoraruTakeshi MizunoMichiharu TabeShizuoka Univ.
(6) 15:50-16:15 Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22 Arief UdhiartoDaniel MoraruRyusuke NakamuraSakito MikiTakeshi MizunoMichiharu TabeShiuzoka Univ.
(7) 16:15-16:40 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 早川泰弘ムカンナン アリバナンドハンゴビンダサミー ラジェッシュ小山忠信百瀬与志美森井久史青木 徹田中 昭岡野泰則静岡大)・小澤哲夫静岡理工科大)・稲富裕光JAXA
(8) 16:40-17:05 Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and Properties ED2010-24 CPM2010-14 SDM2010-24 Mani NavaneethanShizuoka Univ.)・Jayaram ArchanaK. D. NishaSMR Univ)・Mukannan ArivanandhanShizuoka Univ.)・Suruttaiyaudaiyar PonnusamyChellamuthu MuthamizhchelvanSMR Univ)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
5月14日(金) 午前 
10:00 - 12:20
(9) 10:00-10:25 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果 ED2010-25 CPM2010-15 SDM2010-25 以西雅章加藤 卓静岡大
(10) 10:25-10:50 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 ED2010-26 CPM2010-16 SDM2010-26 中村光宏以西雅章静岡大
(11) 10:50-11:15 Ga2O3酸素センサの作製と評価 ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 茅野真也山口直哉以西雅章静岡大
  11:15-11:30 休憩 ( 15分 )
(12) 11:30-11:55 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性 ED2010-28 CPM2010-18 SDM2010-28 中村郁太伊藤達也以西雅章静岡大)・星 陽一東京工芸大
(13) 11:55-12:20 MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ~ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 ~ ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29 後藤達彦江川 鍛小川博久土用下尚外福田浩幸犬塚博章舘 忠裕藤村直也安形保則ニラウラ マダン安田和人名工大
5月14日(金) 午後 
13:30 - 14:45
(14) 13:30-13:55 インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30 李 昌勇松野文弥橋元芳昇岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
(15) 13:55-14:20 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 高野 泰山田洋毅見崎 龍高木達也福家俊郎静岡大
(16) 14:20-14:45 Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 田中誠造野口健太山根啓輔出口裕輝古川雄三岡田 浩若原昭浩米津宏雄豊橋技科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E--mail: HiAniny 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 野毛 悟(沼津工業高等専門学校)
E--mail: s-ge-ct
阿部 克也(信州大学)
E--mail: abens-u 


Last modified: 2010-04-06 13:05:55


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