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超伝導エレクトロニクス研究会(SCE) [schedule] [select]
専門委員長 日高 睦夫 (国際超電導産技研究センター)
幹事 柴田 浩行 (NTT), 山田 隆宏 (産総研)
幹事補佐 赤池 宏之 (名大)

日時 2011年10月12日(水) 13:00 - 16:05
議題 超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般 
会場名 機械振興会館 地下3階2号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄神谷町駅から徒歩10分
http://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html
会場世話人
連絡先
NTT 柴田浩行
046-240-3150

10月12日(水) 午後  前半
座長: 日高睦夫(超電導工学研)
13:00 - 14:40
(1) 13:00-13:25 超伝導ナノワイヤ単一光子検出器におけるダークカウントの物理的起源 山下太郎三木茂人牧瀬圭正丘 偉寺井弘高藤原幹生佐々木雅英王 鎮NICT
(2) 13:25-13:50 SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 菊池健人守屋雅隆島田 宏・○水柿義直電通大
(3) 13:50-14:15 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答 矢野 峻奥村崇之赤池宏之藤巻 朗名大
(4) 14:15-14:40 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善 舩井辰則内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大
10月12日(水) 午後  後半
座長: 赤池宏之(名大)
14:50 - 16:05
(5) 14:50-15:15 交流プログラマブル型ジョセフソン電圧標準の開発 丸山道隆浦野千春山田隆宏山森弘毅金子晋久産総研
(6) 15:15-15:40 Josephson-CMOSハイブリッドメモリ用低温CMOS増幅器の評価 陳 賢珠桑原啓太山梨裕希吉川信行横浜国大
(7) 15:40-16:05 大規模SFQ回路のためのNb多層アドバンストプロセスの開発 永沢秀一日野出憲治佐藤哲朗日高睦夫超電導工学研)・藤巻 朗赤池宏之名大)・吉川信行横浜国大)・高木一義高木直史京大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SCE 超伝導エレクトロニクス研究会(SCE)   [今後の予定はこちら]
問合先 柴田浩行(NTT)
TEL:046-240-3150, FAX:046-240-4726
e: bah 


Last modified: 2011-08-23 11:38:35


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