講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-01-18 14:55
薄型チップの高強度化 ○田久真也・黒澤哲也・清水紀子・原田 享(東芝) CPM2007-145 ICD2007-156 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2007-145 ICD2007-156 |
抄録 |
(和) |
高度情報ネットワークを支える情報通信端末が次々と携帯機器化されるにつれ,情報端末の小型化,軽量化への要求が高まってきている.この実現には,半導体の小型軽量化が不可欠であり,チップの薄型化と高強度化が重要な技術となる.チップの薄型加工,および個片化にはダイヤモンド砥石を用いた機械加工が用いられてきた.しかし,50~200 µm 厚の薄型化をターゲットとした場合には,この機械加工による残留ダメージがチップの抗折強度低下の要因となる為,このダメージの除去を実現するプロセスの構築が必要になる.チップに残留するダメージと抗折強度の関係を調査し,裏面チッピング,研削条痕,切削条痕の順にダメージ除去する事にした.これを実現するプロセスとして,Cleaving-DBG+CMP のプロセスを導きだし,チップの平均抗折強度を253 MPa から1903 MPa まで大幅に向上した. |
(英) |
Accompanying the rapid progress of the digital network information society, there is strong demand for high functionality and miniaturization of mobile personal digital assistance. The realization of chip thickness under 50 um is demanded. However, the chip bending force is decayed dramatically as the decay of chip thickness. Wafers are thinned by means of mechanical in-feed grinding using a grindstone containing diamond particles, so there are spiral grinding saw marks on the backside of the wafer. Dicing wafers always causes surface chipping, dicing saw mark on chip side and backside chipping. These damages remained on chip faces become source of cracks, as a result chip strength decrease. In this paper, novel wafer dicing and thinning technologies that realize the average of chip strength has increased from 253 MPa to 1903 MPa are described. |
キーワード |
(和) |
薄型チップ / 裏面研削 / ダイシング / 先ダイシング / へき開 / / / |
(英) |
Thin chip / Backside Grinding / Dicing / Dicing Before Grinding / Cleaving / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 425, CPM2007-145, pp. 99-103, 2008年1月. |
資料番号 |
CPM2007-145 |
発行日 |
2008-01-10 (CPM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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