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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-12 11:15 AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大）  ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス（BTストレス）評価と表面制御プロセスの開発を行なった。オフ状態でのBTストレス（220oC）により、HEMTのドレイン電流特性および伝達特性はいずれも著しい劣化が見られた。表面制御プロセスを行なったデバイスでは、ゲート漏れ電流が3桁以上低減し、同時に電流特性の温度依存性が明確になった。また、表面制御プロセス後のHEMTは、BTストレスによっても電流特性の劣化は示さず、非常に安定した動作特性を持つことが明らかになった。表面制御プロセスによりAlGaN表面近傍の不純物・欠陥に関連する電子捕獲準位が低減し、準位を介する欠陥増殖が抑制されたことが、安定動作の一因になったものと思われる。 |
| （英） | We have investigated the change in DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs after the gate-and drain-bias stress at high temperatures. A pronounced reduction of drain current and a degradation of transfer characteristics were observed after an off-state stress at 220oC. To improve the operation stability of the HEMT device, we have developed a surface control process utilizing an ultrathin Al layer. The process was very effective in reducing gate leakage currents. The device with the surface control process showed no degradation in DC characteristics even after the off-state stress at 220oC. It is likely that the surface process effectively suppress a trap- and/or defect-assisted multiplication of defect levels near AlGaN surface during the BT stress. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / HEMT / 表面制御 / 安定性 / 信頼性 / / |
| （英） | GaN / AlGaN / HEMT / surface control / stability / reliability / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-170, pp. 73-76, 2007年10月. | |
| 資料番号 | ED2007-170 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface control of AlGaN/GaN strcutures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 表面制御 / surface control |
| キーワード(5)（和/英） | 安定性 / stability |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 正文 / Masafumi Tajima / タジマ マサフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universiy (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universiy (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 隆博 / Takahiro Tamura / タムラ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universiy (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido Universiy (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-12 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-170, CPM2007-96, LQE2007-71 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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