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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-04-19 10:10 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法 ○鈴木 峻・出口慶明・中村俊貴・溝口恭史・竹内 健（中大）  ICD2018-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2018-1 |
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| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている．本研究では，ACにエラー検出アルゴリズムを加えたHorizontal Error Detection(HED)，ページ間の信頼性の偏りを抑えて誤りを訂正するVertical-LDPC (V-LDPC)，また，それらを組み合わせたCross Error Elimination (XEE) ECCを提案する．XEE ECCでは，HEDによりエラーが検出されたビットに対して，予め予測されたエラー率を高くする事により誤り訂正符号の性能を向上させる事ができる．更に，V-LDPCを用いることで検出されたエラー数を符号語単位で均一化でき，LDPC符号の誤り訂正能力がさらに向上する．その結果，許容できるエラー率が90%，データ保持時間が230%増加した． |
| （英） | Conventional Asymmetric Coding (AC) has been proposed for improving NAND flash memories. In this work, Horizontal Error Detection (HED), which adds the error detection algorithm to AC, and Vertical-LDPC (V-LDPC), which corrects errors without depending on the bias among pages of TLC NAND flash memories, are proposed. In addition, Cross Error Elimination (XEE) ECC, which combines HED with V-LDPC, is proposed. In XEE ECC, HED detects errors and error correction capability of LDPC ECC is enhanced. Moreover, V-LDPC averages the number of detected errors among encode/decode unit and error correction capability further improves. As a result, the data-retention lifetime is increased by 230% and the acceptable BER is increased by 90% in 3D NAND flash. | |
| キーワード | （和） | 3D-TLC NAND型フラッシュメモリ / エラー検出 / LDPC符号 / SSD / / / / |
| （英） | 3D-TLC NAND flash memories / error detection / LDPC ECC / SSD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 10, ICD2018-1, pp. 1-6, 2018年4月. | |
| 資料番号 | ICD2018-1 | |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2018-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2018-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2018-04-19 - 2018-04-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（深層学習、ニューロモルフィック、セキュリティ）および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2018-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reliability Enhancement Technique with Horizontal Error Detection and Vertical-LDPC in 3D-TLC NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3D-TLC NAND型フラッシュメモリ / 3D-TLC NAND flash memories |
| キーワード(2)（和/英） | エラー検出 / error detection |
| キーワード(3)（和/英） | LDPC符号 / LDPC ECC |
| キーワード(4)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 峻 / Shun Suzuki / スズキ シュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi / デグチ ヨシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 俊貴 / Toshiki Nakamura / ナカムラ トシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 溝口 恭史 / Kyoji Mizoguchi / ミゾグチ キョウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-04-19 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2018-1 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.10 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-04-12 (ICD) |
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