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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-03-08 13:55 メモリスタ論理による誤り訂正符号回路の設計と評価 ○石坂 守（奈良高専）・新谷道広・井上美智子（奈良先端大）  CPSY2017-146 DC2017-102 |
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| 抄録 | （和） | 抵抗変化型メモリ（Resistive RAM, ReRAM）は，高集積，高速，低消費電力の観点から，フラッシュメモリを代替する次世代のメモリ素子として期待されている． 一方で，未成熟製造プロセスおよび書き込み制限から長期信頼性に関して課題が指摘されている． 既存のメモリ素子は誤り訂正符号（ECC）回路を備えることで信頼性を確保してきた． ReRAMの構成要素であるメモリスタ素子は論理回路を構成することもできることから，本稿では，ReRAMに向けたメモリスタ論理に基づく誤り訂正回路を提案する． ところが，ECC回路の全ブロックをメモリスタで構成すると，メモリスタと同様に書き込み制限によりストレージ全体の寿命が低下してしまう． そこで，ECC回路のうち書き込み回数が多いブロックのみを既存のCMOS回路で構成することで，回路面積の増加を抑制しつつ長寿命化を図る． 数値実験から，提案回路を用いることで，45nmプロセスCMOSで設計したECC回路と比べて回路面積を73%低減しつつ，ECC回路付加しない場合と比べて書き込み動作50万回の長期化が可能となった． |
| （英） | ||
| キーワード | （和） | 抵抗変化型メモリ / メモリスタ / 誤り訂正符号回路 / 信頼性 / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 480, DC2017-102, pp. 257-262, 2018年3月. | |
| 資料番号 | DC2017-102 | |
| 発行日 | 2018-02-28 (CPSY, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPSY2017-146 DC2017-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPSY DC IPSJ-SLDM IPSJ-EMB IPSJ-ARC |
| 開催期間 | 2018-03-07 - 2018-03-08 |
| 開催地（和） | 隠岐の島文化会館 |
| 開催地（英） | Okinoshima Bunka-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 組込み技術とネットワークに関するワークショップ ETNET2018 |
| テーマ（英） | ETNET2018 |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | DC |
| 会議コード | 2018-03-CPSY-DC-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | メモリスタ論理による誤り訂正符号回路の設計と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / |
| キーワード(2)（和/英） | メモリスタ / |
| キーワード(3)（和/英） | 誤り訂正符号回路 / |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石坂 守 / / イシザカ マモル |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良工業高等専門学校 (略称： 奈良高専) (略称： ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新谷 道広 / / シンタニ ミチヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 美智子 / / イノウエ ミチコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-03-08 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | DC |
| 資料番号 | CPSY2017-146, DC2017-102 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.479(CPSY), no.480(DC) |
| ページ範囲 | pp.257-262 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-02-28 (CPSY, DC) |
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