講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-02-28 14:40
表面電位顕微鏡を用いたナノ材料ゼーベック係数測定手法の開発 鈴木悠平・岡 晃人・川合健斗・立岡浩一・猪川 洋・下村 勝・村上健司(静岡大)・ファイズ サレ(マラヤ大)・○池田浩也(静岡大) ED2017-110 SDM2017-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-110 SDM2017-110 |
抄録 |
(和) |
熱電変換効率を向上するための方策のひとつとしてナノ構造材料の導入が期待されているが,そのためにはナノスケール材料の熱電特性評価技術が不可欠である.我々は,ナノスケールの熱電材料のゼーベック係数を測定するために,表面電位顕微鏡(KFM)を用いた新しい手法を開発している.KFMでは試料とカンチレバーの局所的なフェルミエネルギー差を測定できるので,温度差を与えた試料の高温部分と低温部分の表面電位差と温度差がわかれば,ゼーベック係数を評価できる.本研究では,SOI(Si on insulator)基板に温度差を与えたときのKFMによる熱起電力測定を確認するとともに,局所的に温度を測定するためにKFMを使った温度計測技術についても報告する. |
(英) |
Although the introduction of nanostructures into thermoelectric materials is one of key technology for enhancement in thermoelectric conversion efficiency, a technique for characterizing the nanometer-scale material is required. With the aim of evaluating Seebeck coefficient of nanostructured thermoelectric materials, we propose a new technique by Kelvin-probe force microscopy (KFM) which gives us local surface potential corresponding to the Fermi energy difference of a sample relative to the cantilever. Hence, thermoelectromotive force and temperature difference are obtained from the surface potentials and temperatures at the high- and low-temperature regions on the sample, which leads to evaluation of Seebeck coefficient. In this study, the Seebeck coefficient of Si-on-insulator (SOI) layer is evaluated by KFM. In addition, the measurement technique of local temperature by KFM is also described. |
キーワード |
(和) |
熱電変換 / ナノ構造 / ゼーベック係数 / 表面電位顕微鏡(KFM) / / / / |
(英) |
thermoelectrics / nanostructure / Seebeck coefficient / Kelvin-probe force microscopy (KFM) / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 454, SDM2017-110, pp. 27-30, 2018年2月. |
資料番号 |
SDM2017-110 |
発行日 |
2018-02-21 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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