講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-02-28 10:50
レジスト溝内に選択配置して作製した金ナノ粒子配列での単一電子帯電効果 ○松本和彦・森林 誠・谷貝知起・守屋雅隆・島田 宏(電通大)・木村康男(東京工科大)・平野愛弓(東北大)・廣瀬文彦(山形大)・水柿義直(電通大) ED2017-106 SDM2017-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-106 SDM2017-106 |
抄録 |
(和) |
金ナノ粒子を島電極とした単一電子素子の作製が広く行われているが、金ナノ粒子の位置制御に困難さがある。レジスト溝を用いて金ナノ粒子を分散させながら配置させる方法が報告されており、溝内の金ナノ粒子同士をトンネル接合で接続させることができれば、単一電子素子の作製の有用な手段の一つとなると考えられる。本研究では、異なる溝幅をもつレジスト溝を用いて、チオール分子で接続された粒径30nmの金ナノ粒子を配置し、配置状態や配列の電気的特性を評価した。作製した金ナノ粒子の配列では、4.2 Kにて単一電子トランジスタに特有な電流抑制現象やゲート応答が得られた。 |
(英) |
Single-electron devices with gold nanoparticles as island electrodes have been widely fabricated, but position control of gold nanoparticles is difficult. There has been reported a method in which gold nanoparticles are arranged and dispersed using resist grooves, and if one can connect gold nanoparticles with a tunnel junctions in the groove, it becomes one of useful methods for fabricating a single-electronic device. In this study, we have placed the 30nm of gold nanoparticles connected by thiol molecules inside resist grooves with different widths, and evaluated their placement states and electrical characteristics. Current suppression phenomenon and gate responses similar to those of a single-electron transistor was obtained at 4.2 K. |
キーワード |
(和) |
単一電子帯電効果 / 金ナノ粒子 / レジスト溝 / / / / / |
(英) |
Single Electron Effects / Gold Nanoparticle / Resist Groove / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 453, ED2017-106, pp. 11-14, 2018年2月. |
資料番号 |
ED2017-106 |
発行日 |
2018-02-21 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2017-106 SDM2017-106 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-106 SDM2017-106 |