講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-02-20 11:00
正当化操作を用いたレイアウト上のホットスポット特定に関する研究 ○河野雄大・宮瀬紘平・梶原誠司・温 暁青(九工大) DC2017-80 |
抄録 |
(和) |
LSIのテスト時は,通常動作より多くの信号値遷移を伴うため消費電力が増大する.特に実速度スキャンテストにおける過度な消費電力の増大は, IR-dropを過度に増加させる.過度のIR-dropは,LSIが正しく動作していないと判定されるほどの遅延を引き起こし誤テストの原因となる.歩留りの低下に直接関わる誤テストを回避するためには,テスト時の消費電力の削減と,適切な電力評価が重要である.過度なIR-dropは回路全体で発生することは稀であり,高い IR-dropが起こるエリアを特定することが必要である.エリアの特定手段としてテストベクトルを利用する動的手法があるが,一般的に計算時間が長い.本稿では,テストベクトルを利用せずに高いIR-dropが発生するエリアを特定する手法を提案する. |
(英) |
In general, power consumption during LSI testing is higher than functional operation. Excessive power consumption in at-speed testing causes excessive IR-drop and delay, resulting in over-testing. In order to avoid over-testing, which directly is related to yield loss, test power reduction and efficient power analysis is required. Since excessive IR-drop does not occur in whole area of LSI, locating an area with high IR-drop is very important. There are two techniques to analyze power such as dynamic one and static one. Dynamic techniques require test vectors and its computational cost is expensive. In this work, we proposed a technique to locate an area with high IR-drop with static technique. |
キーワード |
(和) |
実速度テスト / テスト時の消費電力 / 誤テスト / 遷移遅延故障 / テスト生成 / / / |
(英) |
At-speed testing / test power / over-testing / transition delay test / test generation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 444, DC2017-80, pp. 19-24, 2018年2月. |
資料番号 |
DC2017-80 |
発行日 |
2018-02-13 (DC) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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DC2017-80 |