講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-22 11:15
Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~ ○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研) EID2017-14 SDM2017-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-14 SDM2017-75 |
抄録 |
(和) |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜にNをコドーピングすることで,結晶性が改善されることが報告されている.そこで本研究では,Al-Nコドープp型4H-SiCの電気的特性を評価した.Al単独ドープより,Nをコドープすることで最近接ホッピング伝導が高温側で生じやすくなることが確認できた. |
(英) |
To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is required to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrate that is a collector of n-channel IGBTs and to obtain high quality crystal. It is reported that codoping of Al and N in heavily Al-doped p-type 4H-SiC can form high quality epilayers. In this study, electrical properties of Al-N codoped p-type 4H-SiC epilayers are investigated. It is found that the codoping of N makes nearest-neighbor hopping conduction dominant at temperatures higher in the singly-doped samples. |
キーワード |
(和) |
p型4H-SiC / 高濃度Alドープ4H-SiC / 高濃度Al-Nコドープ4H-SiC / 伝導機構 / 抵抗率の温度依存性 / / / |
(英) |
p-type 4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC / Heavily Al-N codoped 4H-SiC / Conduction mechanism / Temperature-dependent resistivity / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-75, pp. 13-16, 2017年12月. |
資料番号 |
SDM2017-75 |
発行日 |
2017-12-15 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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