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| 講演名 | 2017-12-22 14:45 シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 ○平出 惇・山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大）  EID2017-22 SDM2017-83 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-22 SDM2017-83 |
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| 抄録 | （和） | シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は，不揮発性メモリ，フォトニック結晶，圧電MEMSなどへの応用が期待されている．しかし，圧電応用をするにあたっては，一般に厚膜のパターニングを行う必要がある．電子よりも約1800倍重たい素粒子であるプロトンは，被照射物質内部において散乱されにくいため，電子ビーム露光よりも優れた露光光源になると考えられる．そこで我々は，プロトンビームを用いた新たな露光・加工技術の提案をしてきた．本報告では，シリコン基板上に形成された非鉛強誘電体であるチタン酸ビスマス(Bi4Ti3O12)に，照射プロトンビームが与える効果について検討を行った． X線回折の結果から，照射プロトンビーム量に依存して，チタン酸ビスマスの結晶性が制御できることが明らかになった． |
| （英） | Ferroelectric thin films deposited on silicon substrates are expected to be applied to nonvolatile memories, photonic crystals, piezoelectric MEMS, and the like. However, when considering piezoelectric application, thick film patterning problem arises. A proton is an elementary particle having a mass of about 1,800 times that of an electron. Therefore, it is considered that the scattering inside the substance is less than the electron. Thus, we are proposing a new processing technology using proton beam. In this report, we investigated the influence of proton irradiation on bismuth titanate thick film, which is a lead-free ferroelectric material on a silicon substrate. When the proton beam was irradiated on the crystallized film, it was confirmed that the crystallinity was deteriorated by the increase in irradiation amount from the measurement result of X-ray diffraction intensity and ferroelectric properties. |
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| キーワード | （和） | プロトンビーム / Bi4Ti3O12 / / / / / / |
| （英） | Proton beam / Bi4Ti3O12 / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-83, pp. 57-62, 2017年12月. | |
| 資料番号 | SDM2017-83 | |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2017-22 SDM2017-83 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-22 SDM2017-83 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2017-12-22 - 2017-12-22 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modification effects of ferroelectric thick-film properties on silicon substrates by proton beam irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プロトンビーム / Proton beam |
| キーワード(2)（和/英） | Bi4Ti3O12 / Bi4Ti3O12 |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平出 惇 / Jun Hirade / ヒラデ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi / ヤマグチ マサキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda / ヤマグチ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-22 14:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2017-22, SDM2017-83 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.372(EID), no.373(SDM) |
| ページ範囲 | pp.57-62 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
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