講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-22 10:45
高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研) EID2017-12 SDM2017-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-12 SDM2017-73 |
抄録 |
(和) |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H-SiCにおける伝導機構とAlドープ量及び温度との関係が明らかになっていない.そこで,異なる高濃度Alドープ4H-SiCの抵抗率をvan der Pauw法を用いて測定し,抵抗率の温度依存性から伝導機構とAlドープ量及び温度との関係を明らかにした. |
(英) |
To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is essential to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrates that are collectors of n-channel IGBTs. However, it is not clear that the relationships between its conduction mechanisms and Al concentration or measurement temperature in heavily Al-doped 4H-SiC. Therefore, we measured the temperature-dependent resistivity in heavily-doped 4H-SiC with several Al concentrations by a van der Pauw method, and then elucidated the relationships. |
キーワード |
(和) |
SiC IGBT / p型4H-SiC / 高濃度Alドープ4H-SiC / 抵抗率の温度依存性 / 伝導機構 / / / |
(英) |
SiC IGBT / p-type 4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC / Temperature-dependent resistivity / Conduction mechanism / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-73, pp. 5-8, 2017年12月. |
資料番号 |
SDM2017-73 |
発行日 |
2017-12-15 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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