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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-22 16:30
DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
中野 響松尾直人部屋 彰高田忠雄山名一成兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大)・大村泰久関西大EID2017-28 SDM2017-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-28 SDM2017-89
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文献情報 信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-89, pp. 85-88, 2017年12月.
資料番号 SDM2017-89 
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2017-12-22 - 2017-12-22 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 
テーマ(英) Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study for hole- or electron- conduction of DNA/Si-MOSFET 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 響 / Hibiki Nakano / ナカノ ヒビキ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Matsuo Naoto / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 部屋 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山名 一成 / Kazusige Yamana /
第5著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 旦 / Tadashi Sato / サトウ タダシ
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Univ. Hiroshima)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Univ. Hiroshima)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 泰久 / Omura Yasuhisa / オオムラ ヤスヒサ
第8著者 所属(和/英) 関西大学 (略称: 関西大)
Kansai University (略称: Univ.Kansai)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-12-22 16:30:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2017-28, SDM2017-89 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.372(EID), no.373(SDM) 
ページ範囲 pp.85-88 
ページ数
発行日 2017-12-15 (EID, SDM) 


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