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講演抄録/キーワード
講演名
2017-12-22 16:30
DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
○
中野 響
・
松尾直人
・
部屋 彰
・
高田忠雄
・
山名一成
(
兵庫県立大
)・
佐藤 旦
・
横山 新
(
広島大
)・
大村泰久
(
関西大
)
EID2017-28 SDM2017-89
エレソ技報アーカイブへのリンク:
EID2017-28
SDM2017-89
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-89, pp. 85-88, 2017年12月.
資料番号
SDM2017-89
発行日
2017-12-15 (EID, SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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EID2017-28 SDM2017-89
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EID2017-28
SDM2017-89
研究会情報
研究会
SDM EID
開催期間
2017-12-22 - 2017-12-22
開催地(和)
京都大学
開催地(英)
Kyoto University
テーマ(和)
Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術
テーマ(英)
Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2017-12-SDM-EID
本文の言語
日本語
タイトル(和)
DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Study for hole- or electron- conduction of DNA/Si-MOSFET
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
中野 響
/
Hibiki Nakano
/
ナカノ ヒビキ
第1著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
松尾 直人
/
Matsuo Naoto
/
マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
部屋 彰
/
Akira Heya
/
ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
高田 忠雄
/
Tadao Takada
/
タカダ タダオ
第4著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
山名 一成
/
Kazusige Yamana
/
第5著者 所属(和/英)
兵庫県立大学
(略称:
兵庫県立大
)
University of Hyogo
(略称:
Univ. of Hyogo
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
佐藤 旦
/
Tadashi Sato
/
サトウ タダシ
第6著者 所属(和/英)
広島大学
(略称:
広島大
)
Hiroshima University
(略称:
Univ. Hiroshima
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
横山 新
/
Shin Yokoyama
/
ヨコヤマ シン
第7著者 所属(和/英)
広島大学
(略称:
広島大
)
Hiroshima University
(略称:
Univ. Hiroshima
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
大村 泰久
/
Omura Yasuhisa
/
オオムラ ヤスヒサ
第8著者 所属(和/英)
関西大学
(略称:
関西大
)
Kansai University
(略称:
Univ.Kansai
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2017-12-22 16:30:00
発表時間
15分
申込先研究会
SDM
資料番号
EID2017-28, SDM2017-89
巻番号(vol)
vol.117
号番号(no)
no.372(EID), no.373(SDM)
ページ範囲
pp.85-88
ページ数
4
発行日
2017-12-15 (EID, SDM)
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