講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-22 11:00
高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~ ○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治(阪電通大)・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元(産総研) EID2017-13 SDM2017-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2017-13 SDM2017-74 |
抄録 |
(和) |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1.6×1019 cm-3の6H-SiCにおいて,ホッピング伝導領域でホール係数が小さくなり,かつ符号が反転すると報告されている.しかし,Al濃度が2×1019 cm-3以上の高濃度p+型4H-SiC試料では,バンド伝導領域ですでにホール係数が小さくなり,かつ符号が反転することがわかった.また,ホール電圧が反転する温度は高濃度試料ほど高温側に移動することがわかった. |
(英) |
To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is essential to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrates that are collectors of n-channel IGBTs. In p-type 6H-SiC with an Al concentration (NAl) of 1.6×1019 cm-3, it was reported that a decrement in its Hall coefficient appeared in a hopping conduction region, not a band conduction region, and that an inversion of its Hall coefficient occurred at a lower temperature. On the other hand, in p-type 4H-SiC with NAl of higher than 2×1019 cm-3, it is found that the decrement and inversion of their Hall coefficients occur in the band conduction region. Moreover, the temperature at which the inversion of the Hall coefficient occurs becomes higher as NAl is increased. |
キーワード |
(和) |
高濃度Alドープ4H-SiC / 抵抗率 / ホール効果測定 / ホール係数 / 伝導機構 / / / |
(英) |
Heavily Al-doped 4H-SiC / Resistivity / Hall-effect measurement / Hall coefficient / Conduction mechanism / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 373, SDM2017-74, pp. 9-12, 2017年12月. |
資料番号 |
SDM2017-74 |
発行日 |
2017-12-15 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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