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| 講演名 | 2017-12-14 15:10 低消費電力発振器型センサ回路におけるゲートリークの影響 ○今中有介・伊藤浩之・道正志郎・石原 昇・益 一哉（東工大）  CAS2017-96 ICD2017-84 CPSY2017-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-84 |
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| 抄録 | （和） | 弛張発振器をベースとしたセンサ回路は，カウンタを使ってセンサ信号を容易にデジタル化できることや，カウンタの計測時間に応じて分解能を可変にできるといったメリットを有する．この回路をサブマイクロワット級の消費電力で動作させるためには，定常電流を消費するコンパレータの低消費電力化が課題となる．低消費電力化によりコンパレータの応答時間が悪化するため，これを用いた弛張発振器型センサ回路においては測定精度が劣化することが問題となる．本研究グループでは，これまで180nm Si CMOSプロセスを用いた発振器型センサ回路を開発しているが，本稿では応答速度向上のため65nm Si CMOSプロセスの利用を検討した．回路シミュレーションによる解析の結果，サブマイクロワット級の動作を目指す場合に比較的微細なトランジスタを用いるとゲートリークの影響により正常に動作しない場合があることが分かった． |
| （英） | A sensor circuit based on a relaxation oscillator has merits such that a sensor signal can be easily digitized using a counter and resolution can be varied according to the measurement time of a counter. In order to operate this circuit with sub-μW consumption, low power consumption of a comparator that consumes steady current is a problem. Since the response time of the comparator is getting worse due to low power consumption, in the sensor circuit based on a relaxation oscillator using this, the problem is that the measurement accuracy is getting worse. In this research group, we are developing an oscillator type sensor circuit using 180 nm Si CMOS process, but in this paper we investigated the use of 65 nm Si CMOS process to improve response speed . As a result of analysis by circuit simulation,in the case of aiming for sub-μW class operation, it was found that when using a relatively fine transistor, it may not operate properly due to the influence of gate leak. | |
| キーワード | （和） | センサ回路 / 発振器 / 低消費電力化 / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 344, ICD2017-84, pp. 137-137, 2017年12月. | |
| 資料番号 | ICD2017-84 | |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CAS2017-96 ICD2017-84 CPSY2017-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY CAS |
| 開催期間 | 2017-12-14 - 2017-12-15 |
| 開催地（和） | アートホテル石垣島 |
| 開催地（英） | Art Hotel Ishigakijima |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-12-ICD-CPSY-CAS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低消費電力発振器型センサ回路におけるゲートリークの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Leakage Issues in Low-Power Oscillator-type Sensor Circuits |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | センサ回路 / |
| キーワード(2)（和/英） | 発振器 / |
| キーワード(3)（和/英） | 低消費電力化 / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今中 有介 / Yusuke Imanaka / イマナカ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 浩之 / Hiroyuki Ito / イトウ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 道正 志郎 / Shiro Dosho / ドウショウ シロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 昇 / Noboru Ishihara / イシハラ ノボル |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 益 一哉 / Kazuya Masu / マス カズヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-14 15:10:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | CAS2017-96, ICD2017-84, CPSY2017-93 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.343(CAS), no.344(ICD), no.345(CPSY) |
| ページ範囲 | p.137 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2017-12-07 (CAS, ICD, CPSY) |
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