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講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-01 12:30
リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価
グェンスァン チュン名大)・田岡紀之産総研)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74
抄録 (和) SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から800度Cの堆積後熱処理(PDA)を行い、その化学結合状態および電気特性を詳細に調べた。PDAによって、GaのSiO2中への拡散がみられたが、その拡散量は800度Cにおいても、0.1%以下であることが明らかとなった。結果として、PDAによる顕著な化学結合状態の変化は見られなかった。更に、800度CのPDAにより欠陥準位及び固定電荷密度の減少、SiO2膜の絶縁特性の向上がみられた。これらのことは、ROPE-CVDで形成したSiO2/GaN構造は、高熱安定性を有しており、高信頼性GaNデバイスの実現に有望な構造であることを示している。 
(英) Impacts of post-deposition annealing (PDA) on interface properties in a SiO2/GaN structure formed by a remote oxygen plasma enhanced chemical vapor deposition (ROPE-CVD) method were systematically investigated. Although Ga diffusion into the SiO2 layer was found after PDA, the amount of Ga is less than 0.1% even after PDA at 800 degree C. As a result, no significant change of the chemical bonding features was observed after PDA. Furthermore, reduction of interface trap density and fixed oxide charge density, and improvement of the breakdown properties of the SiO2 layer after PDA at 800 degree C were observed. These results indicate that the SiO2/GaN structure formed by ROPE-CVD has high thermal stability, which is a candidate structure for GaN power devices with high reliability.
キーワード (和) SiO2/GaN / 堆積後熱処理 / 界面特性 / 絶縁特性 / / / /  
(英) SiO2/GaN / Post deposition annealing / Interface properties / breakdown property / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-61, pp. 61-64, 2017年11月.
資料番号 ED2017-61 
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 LQE CPM ED  
開催期間 2017-11-30 - 2017-12-01 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Inst. tech. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-11-LQE-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Chemical Structure and Electrical Properties of Remote O2 Plasma Enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiO2/GaN / SiO2/GaN  
キーワード(2)(和/英) 堆積後熱処理 / Post deposition annealing  
キーワード(3)(和/英) 界面特性 / Interface properties  
キーワード(4)(和/英) 絶縁特性 / breakdown property  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) グェンスァン チュン / NguyenXuan Truyen / グェンスァン チュン
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 GaN OIL (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL (略称: AIST GaN OIL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 永 / Hisashi Yamada / ヤマダ ヒサシ
第4著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 GaN OIL (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL (略称: AIST GaN OIL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 言緒 / Tokio Takahashi / タカハシ トキオ
第5著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 GaN OIL (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL (略称: AIST GaN OIL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ
第8著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 GaN OIL (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology GaN OIL (略称: AIST GaN OIL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / セイイチ ミヤザキ
第9著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-12-01 12:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2017-61, CPM2017-104, LQE2017-74 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) 
ページ範囲 pp.61-64 
ページ数
発行日 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) 


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