講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 12:30
リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン(名大)・田岡紀之(産総研)・大田晃生(名大)・山田 永・高橋言緒(産総研)・池田弥央・牧原克典(名大)・清水三聡(産総研)・宮崎誠一(名大) ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
抄録 |
(和) |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から800度Cの堆積後熱処理(PDA)を行い、その化学結合状態および電気特性を詳細に調べた。PDAによって、GaのSiO2中への拡散がみられたが、その拡散量は800度Cにおいても、0.1%以下であることが明らかとなった。結果として、PDAによる顕著な化学結合状態の変化は見られなかった。更に、800度CのPDAにより欠陥準位及び固定電荷密度の減少、SiO2膜の絶縁特性の向上がみられた。これらのことは、ROPE-CVDで形成したSiO2/GaN構造は、高熱安定性を有しており、高信頼性GaNデバイスの実現に有望な構造であることを示している。 |
(英) |
Impacts of post-deposition annealing (PDA) on interface properties in a SiO2/GaN structure formed by a remote oxygen plasma enhanced chemical vapor deposition (ROPE-CVD) method were systematically investigated. Although Ga diffusion into the SiO2 layer was found after PDA, the amount of Ga is less than 0.1% even after PDA at 800 degree C. As a result, no significant change of the chemical bonding features was observed after PDA. Furthermore, reduction of interface trap density and fixed oxide charge density, and improvement of the breakdown properties of the SiO2 layer after PDA at 800 degree C were observed. These results indicate that the SiO2/GaN structure formed by ROPE-CVD has high thermal stability, which is a candidate structure for GaN power devices with high reliability. |
キーワード |
(和) |
SiO2/GaN / 堆積後熱処理 / 界面特性 / 絶縁特性 / / / / |
(英) |
SiO2/GaN / Post deposition annealing / Interface properties / breakdown property / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-61, pp. 61-64, 2017年11月. |
資料番号 |
ED2017-61 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |